三星FinFET专利侵权案宣布和解，多款处理器均涉侵权
FinFET（鳍式场效应晶体管）在当前的晶圆代工领域可谓是大放异彩的核心技术，台积电甚至打算一路用到3nm时代。
不过，不为认知的是，三星在过去4年的时间内，深陷FinFET专利侵权案中，直到最近才了结。
官司的原告是韩国科学技术院（KAIST），其在2001年在美国和韩国提交了FinFET技术相关专利，由韩国科学技术院与首尔大学教授Lee Jong-ho合作开发。
2016年11月29日的时候，韩国科学技术院在美国德克萨斯对三星、高通和格芯（GlobalFounderies）提起了FinFET专利侵权诉讼。据说，Intel是乖乖交过了相关“保护费”。
2018年6月和2019年2月，KAIST先后两次起诉三星，声称后者生产的7nm、8nm、10nm、11nm、14nm手机应用处理器均涉侵权之列，要求4亿美元赔偿。今年2月，法院判令三星赔偿2亿美元。
目前该案已和解，和解细节不详。
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