0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存芯片研发成功

lhl545545 来源:比特网 作者:张伟 2020-09-18 11:06 次阅读

模仿WannaCry新勒索病毒WannaRen爆发 多家机构发布解密工具

近日,一款新型勒索病毒WannaRen意外爆发。据安全机构分析,WannaRen与2017年全球爆发的WannaCry病毒类似,两者不仅都是借助“永恒之蓝”漏洞扩散,入侵电脑后显示的勒索信息,界面布局及文件信息也都神似Wannacry。如病毒入侵电脑后,都会弹出勒索对话框,并向用户索要比特币

既然病毒与Wannacry类似,可以预计的是,个人用户中招应该仍是少数,毕竟有系统自身安全防护外加设备长期处于联网状态可实时进行漏洞修复,足以避开WannaRen。但但事实上大量政府、传统行业使用的依然是较老的操作系统,这种情况在国内外亦十分常见,尤其在疫情这段特殊的时期里,系统崩溃带来的后果将难以预计。

Windows Defender成历史:Win10 5月更新确定

微软即推出的Windows 10 5月更新中,将对一些新的功能进行调整,当然这个调整也包含命名上的,比如Windows Defender。在Windows 10 2020年5月更新中(今年最重要的Windows 10更新),微软悄然更新了Windows安全应用,将Windows Defender的提法改为Microsoft Defender。换句话说就是,微软已经让Windows Defender这一名字成为历史。

龙宇燃油:子公司与阿里云签订9.64亿元数据中心合作协议

龙宇燃油公布,合同已经公司于2020年4月10日召开的第四届董事会第二十九次会议审议通过,根据《公司章程》的规定,该合同无需提交股东大会批准。该合同标的位于北京市顺义区临空经济核心区天柱西路8号,双方因其业务发展的需要,由北京金汉王技术有限公司在位于北京市顺义区临空经济核心区天柱西路8号的数据中心向阿里云计算有限公司提供数据中心托管服务。

在新基建的加速下,数据中心行业需求日益增大,但同样这也是个挑战与机遇并存的市场,数据中心的建设速度、电力消耗等方面都面临着考量。

长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存芯片研发成功

长江存储近日在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片X2-9060,以满足不同应用场景的需求。

TLC真香时代来了?X2-6070何时能够量产上市,十分值得业界期待。

美光5210 ION企业级SATA固态硬盘发布 随机读取速度比HDD快175倍

近日美光科技发布了全新容量和功能的美光 5210 ION企业级 SATA 固态硬盘(SSD)。作为全球首款 QLC SSD, 美光5210基于QLC NAND 技术,希望能迅速取代传统机械硬盘 。

谷歌延长Google Meet使用时长:免费提供至9月30日

据外媒报道,谷歌正在延长其高级视频聊天功能可用于学校和其他组织的时间。该公司新命名的Google Meet软件将于9月30日之前向所有G Suite用户开放。

Gartner:2020年全球半导体收入将受新冠病毒冲击下滑0.9%

根据Gartner报告显示,由于受到疫情对半导体供需的影响,预计2020年全球半导体收入将下降0.9%,远远低于上一年度预测的增长12.5%。

美联储官员Kashkari:美国可能面临18个月周而复始的停工停产

日前,明尼阿波利斯联储银行行长Neel Kashkari称,如果研制不出针对病毒的特效药或疫苗,美国经济可能随着疫情起伏而面临长达18个月周而复始的停摆。
责任编辑:pj

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    456

    文章

    50884

    浏览量

    424147
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27431

    浏览量

    219243
  • 控制器
    +关注

    关注

    112

    文章

    16382

    浏览量

    178299
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000

    电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,铠侠再次宣布,将在2027年实现3D NAND的1000堆叠,而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000
    的头像 发表于 06-29 00:03 4542次阅读

    3D NAND的发展方向是500到1000

    芯片行业正在努力在未来几年内将 3D NAND 闪存的堆栈高度提高四倍,从 200 增加到 800
    的头像 发表于 12-19 11:00 161次阅读
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>的发展方向是500到1000<b class='flag-5'>层</b>

    【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

    技术方案。   三、NAND Flash分类   NAND闪存卡的主要分类以NAND闪存颗粒的技术为主,
    发表于 12-17 17:34

    铠侠量产四单元QLC UFS 4.0闪存

    近日,铠侠宣布成功量产业界首款采用四单元(4LC)技术的QLC UFS 4.0闪存。这款新型闪存
    的头像 发表于 10-31 18:22 2028次阅读

    铠侠瞄准2027年:挑战1000堆叠的3D NAND闪存新高度

    在全球半导体行业的激烈竞争中,日本知名存储芯片制造商铠侠(Kioxia)展现了其雄心壮志和坚定决心。在结束了长达20个月的NAND闪存减产计划后,铠侠的两座日本工厂生产线开工率已提升至100%,同时上周还公布了其令人瞩目的
    的头像 发表于 06-29 09:29 634次阅读

    西部数据推出2TB QLC NAND闪存芯片,重塑数据存储新纪元

    在当今这个数据爆炸的时代,存储技术的每一次革新都牵动着整个科技行业的神经。近日,西部数据在投资者活动上揭开了一项令人瞩目的技术突破——业界最高密度的2TB QLC NAND闪存
    的头像 发表于 06-15 11:42 1092次阅读

    三星已成功开发163D DRAM芯片

    在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出16
    的头像 发表于 05-29 14:44 807次阅读

    3D NAND闪存来到290,400+不远了

    电子发烧友网报道(文/黄晶晶)早在2022年闪存芯片厂商纷纷发布200+ 3D NAND,并从TLC到
    的头像 发表于 05-25 00:55 3847次阅读
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b><b class='flag-5'>闪存</b>来到290<b class='flag-5'>层</b>,400<b class='flag-5'>层</b>+不远了

    美光率先量产232QLC NAND产品

    美光科技再次领跑行业前沿,近日宣布其232QLC NAND产品已成功实现量产,并已开始应用于部分Crucial英睿达固态硬盘中。这一突破性
    的头像 发表于 05-09 14:53 615次阅读

    美光232QLC NAND现已量产

    美光科技近日宣布了重大技术突破,其先进的232QLC NAND闪存成功实现量产,并已部分应用
    的头像 发表于 05-06 10:59 661次阅读

    美光232QLC NAND芯片已量产并出货,推出SSD新品

    美光科技近期宣布,其创新的232QLC NAND芯片成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的
    的头像 发表于 04-29 10:36 765次阅读

    三星即将量产290V-NAND闪存

    据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290第九代V-NAND3D NAND闪存
    的头像 发表于 04-17 15:06 620次阅读

    铠侠计划2030-2031年推出千3D NAND闪存,并开发存储级内存(SCM)

    目前,铠侠和西部数据共同研发NAND闪存技术,他们最杰出的作品便是218堆叠的BICS8 3D闪存
    的头像 发表于 04-07 15:21 676次阅读

    长江存储QLC闪存寿命实现重大突破

    根据官方介绍,长江存储X3-6070 QLC闪存的IO接口传输速度达到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同时读
    发表于 04-03 15:04 737次阅读
    <b class='flag-5'>长江</b><b class='flag-5'>存储</b><b class='flag-5'>QLC</b><b class='flag-5'>闪存</b>寿命实现重大突破

    三星将推出GDDR7产品及280堆叠的3D QLC NAND技术

    三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280堆叠的3D QLC NAND技术。
    的头像 发表于 02-01 10:35 798次阅读