MPS二极管结构示意图分析

肖特基二极管具有良好的反向恢复特性，但是其击穿电压较低；传统PIN二极管具有较高的击穿电压，但其反向恢复特性差。因此，将两者优点结合的MPS二极管应运而生，其结构示意图如图1所示：

由图1可知，MPS二极管的阳极由肖特基结和PN结所组成，其中肖特基宽度较窄。正向导通时，由于肖特基结势垒较低，正向电流首先从肖特基势垒流入，之后P+区逐渐向基区注入空穴以产生电导调制效应以降低基区电阻从而降低正向导通压降。反向耐压时，由于肖特基结宽度较窄，以至于它被P+N-的耗尽区所屏蔽，因此避免了肖特基结较大的漏电流，从而保证了一个较高的反向击穿电压。

与传统的PIN二极管相比，MPS二极管表现出良好的正向导通特性与反恢复时间之间的平衡。但同时，MPS难以在需求高反向击穿电压的情况下使用。