DRAM价格急单涨幅扩大至10~20% 或将导致约30%供应短缺的冲击

据digitimes报道，业内人士透漏，近日利基型DRAM价格急单涨幅扩大至10~20%，2021年报价将逐季提升5~10%，预计明年第3季度价格将有机会较今年同期大幅上涨30~40%。

对于涨价的原因，digitimes指出一方面是存储大厂三星电子、SK海力士冲刺CMOS图像传感器（CIS）产能，陆续将DRAM制程产线转至生产CIS，尤其以小容量、旧规格的DDR2或DDR3首当其冲。

业内人士指出，利基型DRAM产品约占全球DRAM比重9~10%左右，属于少量多样的应用需求。当三星、SK海力士淡出旧规格产品及产能转换，尽管对全球DRAM产能影响可能仅有3%，但在利基型DRAM却可能导致约30%供应短缺的冲击。

三星、SK海力士产能转换后，促使终端应用客户转向台厂急下订单，产能吃紧至少将延续至2021年上半。

另一涨价原因则在于利基型DRAM终端应用需求逐渐回暖，包括远程商机带动的数字电视及机顶盒需求，5G基础建设带动的Wi-Fi路由器等网通产品需求。

台系存储厂商透漏，近日利基型DRAM客户订单爆满，受限于既有产能规模，只能选择性接单或挑单，急单涨幅甚至达到10~20%。该厂商并乐观看待明年需求，称由于客户担心产能不足，订单已排至2021年下半年，预计到2021年第3季价格将有机会较2020年同期大幅上涨30~40%。
编辑：hfy