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国产芯片制造获华为支持,14nmFinFET工艺正式贡献营收

454398 来源:百家号 作者:柏铭 2020-12-23 15:19 次阅读

中国芯片制造龙头中芯国际公布的业绩显示14nmFinFET工艺正式贡献营收,分析认为这代表着国产芯片龙头企业华为海思已在中芯国际投产,随着华为海思的芯片正式投产,代表着中芯国际的14nmFinFET工艺正式进入量产阶段并开始贡献营收。

全球前五大芯片代工企业当中,台积电和三星位于第二阵营,这两家企业代表着全球最领先的水平,它们目前已投产最先进的7nmEUV工艺,两家企业正在展开针锋相对的竞争。

第二阵营的就是第三至第五名的格芯、联电和中芯国际,中芯国际目前在营收方面虽然还比不上格芯和联电,不过却是第二阵营当中最积极进取的芯片代工企业。

中芯国际依托于中国庞大的市场以及这里对最先进工艺要求,因此积极开发更先进的工艺,而格芯和联电考虑到7nm及更先进工艺的庞大资金投入选择放弃而止步于14nmFinFET工艺,后两者致力于提升现有芯片工艺的利润水平。

中芯国际经过数年的努力,特别是前台积电资深研发处长梁孟松的加入帮助它加速了14nmFinFET工艺的研发,在去年成功投产14nmFinFET工艺,在工艺技术水平上与格芯和联电达到了统一水平。相比于格芯和联电停止研发7nm及更先进工艺,中芯国际则表示目前正在开发7nm工艺。

中芯国际在投产14nmFinFET工艺后,正愁没有客户,毕竟任何芯片企业都不愿冒险尝试这家芯片代工企业刚刚投产的14nmFinFET工艺,毕竟对于中国芯片企业来说它们可以选择台积电、联电等技术更成熟的企业,在此时却传来华为海思将转单中芯国际,可谓一大喜讯。

自去年6月以来,美国一再限制华为,到去年底更是要求芯片代工企业不得将来自美国专利占比超过10%的技术提供给华为海思,而台积电的16nmFinFET工艺恰恰受制于这一限制,华为海思被迫放弃台积电的16nmFinFET工艺,此时中芯国际恰好投产了14nmFinFET工艺,于是顺理成章的华为海思将采用14nmFinFET工艺生产的电源管理芯片等交给中芯国际。

如今中芯国际公布的2019年四季度的业绩显示,14nmFinFET工艺正式贡献营收,应该就代表着华为海思已正式将部分芯片订单交给它。华为海思是全球前十大芯片设计企业之一,也是台积电前两大客户之一,随着华为海思将更多的芯片交给中芯国际,中芯国际的营收可望获得快速增长。

值得注意的是华为海思在芯片制造工艺方面也有一定的经验,此前华为海思就与台积电合作研发了16nmFinFET、7nm工艺,华为海思与中芯国际合作将有助于后者开发更先进的7nm工艺。此举如取得成功,中芯国际可望一举超越格芯和联电,成为全球第三大芯片代工企业。

中国从2014年成立集成电路产业基金以来,芯片制造工艺正是受到扶持的重点之一,这是因为中国的芯片设计行业已进入蓬勃发展阶段并取得显著的成绩,华为海思在手机芯片技术方面已与全球手机芯片老大高通相当,唯有芯片制造工艺拖后腿,而中芯国际代表着中国芯片制造工艺的最高水平,在集成电路产业基金和华为海思的助力下,中芯国际进一步提升工艺水平应该不成问题。

编辑:hfy

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