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中芯国际第二代FinFET N+1可望于2020小批量试产

电子工程师 来源:快科技 作者:快科技 2020-09-26 10:11 次阅读
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作为内地规模最大的晶圆代工厂,中芯国际的一举一动都牵动人心。

近日有报道称,在大规模量产14nm工艺后,中芯国际的N+1代工艺已经进入客户导入阶段,可望于2021年进入量产。

对此,中芯国际回应称,该公司的第一代FinFET 14nm工艺已于2019年第四季度量产,第二代FinFET N+1工艺已经进入客户导入阶段,可望于2020年底小批量试产。

按照这样的时间表推测,中芯国际N+1代工艺确实会在2021年规模量产。

N+1是中芯国际对其第二代先进工艺的代号,但从未明确具体数字节点,只是说相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%、SoC面积缩小55%,之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。

今年8月底的时候,中芯国际曾表示,N+1工艺进展顺利,已经进入客户产品验证阶段。(来源:快科技)

原文标题:恭喜!中芯国际神秘的N+1工艺终于要来了!

文章出处:【微信公众号:半导体圈+】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

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原文标题:恭喜!中芯国际神秘的N+1工艺终于要来了!

文章出处:【微信号:icjobs,微信公众号:半导体材料圈】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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