4.3.5实验设计5:4层PCB
到目前为止,我们已经考虑了第1层铜(连接到MOSFET漏极片)没有连接到任何其他层的情况。然而,我们完全有可能使用MOSFET漏极片下的散热过孔模式来提供与第4层上的
VCC平面的电连接(例如)。这种方法与图2的拓扑结构一致。除了提供必要的电连接外,这种安排还将提供一个远离MOSFET的额外的热通道,从而“电过孔”也起“散热过孔”的作用。
虽然众所周知,在器件中添加散热过孔通常会提高器件的热性能,但是很难知道有多少散热过孔能提供最佳的解决方案。
显然,我们不希望添加太多的散热过孔,如果它们不能显著提高热性能,因为它们的存在可能会在PCB组装过程中产生问题(当然,我们是PCB的第一个过孔付出成本)。因此,本实验设计的目的是研究不同的模式对设计的热性能的影响。
本节的实验设计将使用边长15mm的第1层铜面积,并将考虑使用表1中列出的特征的模式。在所有情况下,散热过孔的直径为0.8mm,都假定为空心的。PCB叠层如图8所示。图11 显示了过孔模式的示例。
表1。过孔模式总结
图11所示。5 x 4过孔模式(非比例尺绘图)。
图12显示了不同过孔模式的结果。
图12所示。器件结温与散热过孔的数量的关系
图12显示了从器件Tj下没有过孔到器件下有20过孔的情况的显著下降。这是一个明确的指示,表明热量正在从MOSFET漏极到第4层,这正是我们所期望的结果。值得注意的是,在器件下增加越来越多的散热过孔,几乎不会增加Tj的减少。这是因为,当我们添加更多的散热过孔时,布置图的通板电导率增加。然而,同时我们也是减少器件和PCB之间的接触面积,因为更多的1层铜被空气取代。因此,我们没有看到热性能有多大的改善。因此,我们可以从这个实验设计中得出的结论是,添加一些散热过孔将提高热性能,但继续添加更多散热过孔不会带来进一步显著的性能改进。
责任编辑:lq
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原文标题:PCB热设计之实验设计5
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