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在PCB上正确放置去耦电容

PCB打样 2020-10-12 20:59 次阅读

我们不时听到客户提出一个很好的问题。将去耦电容器放置在目标IC附近是否重要?一般的经验法则是这样说的,每个PCB设计者都知道这一点,甚至经验不足。

但是,在现实生活中的布线实践中,通常很难在机械限制和电气需求之间找到可接受的折衷方案。特别是如果我们不讲几个简单的片状电容器或一个低功率轨。如果是带有50-100个去耦电容器的BGA封装的FPGAPHY怎么办?

不久前,我们的工程师正在处理一个复杂的PCB项目,其中除其他外,还提出了这样一个意想不到的挑战。板上有一个带有60个去耦电容器的10G以太网PHY。布局设计师试图实现最高质量的设计,他设法将几乎所有电容器都非常靠近板背面IC的相应引脚。但不是所有人。在这种情况下,通常将较小封装和电容的电容器直接放置在引脚附近,而稍大一些的电容器则要稍远一些,但要尽可能接近电路板上的情况。因此,这是在给定项目中解决问题的方式:

1.jpg

到目前为止,布局看起来还不错。但是,在进行电源完整性分析时在其中一个电源子网中,很明显该电路的阻抗曲线在低频时明显高于目标阻抗。这表明缺少“大”高电容去耦电容器。曲线如下所示:

2.jpg

这种情况可能导致以太网PHY电源设备出现问题。分析此问题后,决定稍微重新进行PCB布置,然后将唯一的大电容器移至该子网的三个引脚之一。

3.jpg

加上几个小电容器的电容的微小变化以抑制第二个峰值,此措施可显着改善结果,请参见下图:

4.jpg

即使在此板中,也发现了如上所述的其他一些问题。本文中考虑的示例只是一个特例,清楚地表明了无条件地需要对具有高端IC(例如FPGAPHY)的电路板以及具有大电流的电路板进行功率完整性分析,从而避免出现实际问题。样品。

另外,我们要强调的是,在实际设计中,即使严格按照制造商的建议执行,也可能存在各种偏差,如果没有适当的SI / PI仿真,这些偏差是无法预测的。

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