全自主国产芯片：所有IP全自主国产，功能一次测试通过

我国一站式IP定制芯片企业芯动科技（INNOSILICON）近日宣布：已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。 芯动科技拥有自主全系列高带宽高性能计算IP技术，曾多次在芯片先进工艺上填补国内空白。自2019年开始，芯动科技在中芯国际“N+1”工艺尚待成熟的情况下，技术团队全程攻坚克难，投入数千万元进行优化设计，基于中芯国际“N+1”制程的首款芯片经过持续数月、连续多轮的测试迭代，成功助力中芯国际突破“N+1”工艺良率瓶颈，从而向着实现大规模量产迈出了坚实一步。

在今年3月底，中芯国际也表示，先进工艺正是中芯国际今年发展的重点，接下来该公司会转向下一代工艺——N+1及N+2代FinFET工艺的研发。 2019年初，中芯国际投资额达100亿美元，完成中芯国际南方FinFET晶圆厂的建设，该晶圆厂将用于领先的制造技术，并将在设备中投入使用。一旦该晶圆厂准备投入商业运营，中芯国际将能够使用其14nm和N＋1 FinFET制造技术来提高芯片产量。 在2019年第四季度，中芯国际首次开始使用其14 nm FinFET制造工艺开始大规模生产芯片。由于只有很少的公司设法开发了依赖于此类晶体管的制造工艺，因此中芯国际的FinFET生产线比其他代工厂要小得多。中芯国际的前代制造技术为28nm，因此14nm工艺切实提高了晶体管的密度，提高了性能，并降低了功耗，这自然使该公司能够生产出更复杂，更昂贵的芯片，而这些芯片原本可以外包给更大的竞争对手，加之国内对少数公司开发了依赖于此类晶体管的制造工艺，中心国际的芯片竞争优势并不显著。 从那时起，该公司一直在努力开发其下一个主要节点，称为N +1。该技术具有与竞争性7 nm工艺技术相当的某些功能，但中芯国际希望明确表明N + 1不是7nm制程工艺。 与中芯国际的14 nm制程技术相比，N + 1将功耗降低了57％，性能提高了20％，逻辑面积减少了63％。尽管此过程使芯片设计人员能够使SoC变得更小，更节能，但适度的性能改进无法使N + 1与竞争对手的7nm技术及其派生产品竞争。因此，中芯国际将其N + 1定位为便宜的芯片技术。 中芯国际发言人说：“我们对N + 1的目标是低成本应用，与7nm相比，它可以将成本降低约10％。因此，这是一个非常特殊的应用。” 值得一提的是，中芯国际的N + 1没有使用极端紫外光刻（EUVL），因此制造商无需从ASML购买其他昂贵的设备。但这并不是说该公司尚未考虑EUV（该公司确实获得了EUV逐步扫描系统），但尚未安装。据悉，中芯国际的N + 2将使用EUV。

责任编辑：xj

原文标题：全自主国产 | 基于中芯国际N+1先进工艺的芯片流片和测试完成

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