谢仲辉先生拥有超过25年半导体产业经验。曾参与国内外Foundry 工艺开发,客户支持及市场相关工作。此外,他还从事过芯片设计及技术市场方面的工作。有多年芯片设计及工艺开发相关技术及管理经验。近年来,借助于其在芯片产品相关经验,积极提供给亚太客户相关EDA解决方案经验,并提供给设计公司在各垂直应用市场如5G、AI、汽车等领域所需要的EDA技术及服务解决方案。参与支持客户包括三星、联发科、紫光展锐、百度、阿里巴巴、燧原、地平线、寒武纪等。谢仲辉先生拥有台湾大学电机工程学士及英国南安普敦大学微电子硕士学位。
当前芯片开发面临的挑战主要来自两个方面:一个来自制造实现,另一个则来自设计和验证阶段。在时间条件约束下,这两个挑战难度就更大了。
总有人给摩尔定律判死刑,其实提高晶体管集成度的比赛远未结束,不过困难确实在累积。先进工艺日益接近物理极限,需要考虑的参数就日益增多,寄生效应就日益严重,新工艺量产的风险与不确定性也就日益加大。具体来看,5纳米工艺设计规则是28纳米工艺的5倍,5纳米工艺仿真任务量是28纳米工艺100倍,版图复杂度大幅增加。 从系统角度来看,复杂度也是指数型上升:应用场景变多,架构变从同构向异构转变,应用软件的规模也大增。
在新思科技中国副总经理谢仲辉看来, 当前芯片开发面临的挑战主要来自两个方面,一个来自制造实现,另一个则来自设计和验证阶段,在时间条件约束下,这两个挑战难度就更大了。 “工艺和开发都变得非常复杂,但进入市场的时间窗口并没有大的变化,大家还是希望12到18个月能流片,或者说两年时间芯片进入量产,在时间窗口不变的前提下,先进工艺开发问题边复杂很多。”
EDA公司在新工艺开发中的作用
在制造层面,可制造性与良率是新工艺最重要的指标。可制造性与良率也不再只是晶圆厂来保证,EDA公司、IP公司以及最终使用新工艺的设计公司都要参与其中。谢仲辉说:“ 一定要有DTCO(设计工艺协同优化),设计和工艺之间要做共同优化,在前期还不成熟的时候,工艺就要和设计紧密结合,只要这样才能确保单元库、IP、后端设计与工艺产线的特性能够紧密吻合,才能避免良率低或者芯片特性与设计不一致等问题。 ”
除了协同晶圆厂和设计公司做好DTCO, EDA公司在新工艺开发中的角色也越来越重要。在新工艺预研阶段,材料特性研究是重点,因此需要对工艺配方建模仿真。“先进工艺工序特别多,如果每道工序都用硅片去做实验,耗财耗时,这就需要用建模的方法去设计实验(即以仿真替代部分实际物料实验)。”据谢仲辉介绍, 利用新思科技的材料配方建模工具,可以降低实验成本,快速确定材料配比。
在新工艺材料配方确定后,就进入试产阶段,这时候晶圆厂需要利用合作公司提供的存储器、处理器等IP跑测试片,新思科技的IP团队就会针对新工艺特性设计IP,以帮助晶圆厂完成试产阶段的测试片流程。
同时,设计工具团队也会在试产阶段介入,根据新工艺特性对流程和设计规则快速迭代,以便新工艺开放时工程师就有趁手的工具。规则会越来越多,过孔要打多开,布线间距可以放多少,这些设计规则都要在新工艺试产阶段就要定下来, 有这些规则做基础,开发者才能够在工具上进行自动化设计。
“工艺工具和IP要差不多同时和晶圆厂新产线去配合做新工艺研发,设计工具稍晚,但也会在试产早期阶段就会介入。”
并行开发(Shift Left)势在必行
在制造实现上,工具公司介入越来越深,在设计与验证上,也需要“左移(Shift Left,时间轴上左移,即并行开发验证)”。传统开发方法各环节顺序进行,先硬件后软件,软硬件之间的协同非常少,软件开发需要等芯片RTL(硬件描述)代码写好以后再到FPGA上去进行,或者用旧款芯片开发,等新款芯片回来以后再做迭代开发,这样软件开发工作启动晚,而通过软件激励发现硬件问题就会更晚,如果流片以后才发现,解决方法是要么芯片改版,要么用软件做一个权变方案——通常意味着损失性能。
而在系统越来越复杂的背景下,串行开发验证的弊端越来越大,动辄集成数十亿晶体管的先进工艺芯片,软件开发工作异常复杂,已经到了开发方法不“左移”就无法在两年内量产的地步。
开发左移的基础是虚拟原型化。 传统的物理原型化是在FPGA上进行功能验证,如前所述,这种开发流程需要等RTL代码完成以后才能进行软件开发,而虚拟原型化采用C等高级语言来建模,软件无需等RTL代码开发完成就可以在虚拟原型搭建的系统上进行开发。
谢仲辉说:“这就是数字孪生的概念,物理世界里面的任何事物都可以用一个数字化模型来表征,而EDA公司已经将芯片开发中用到的大部分模型建好,开发者根据产品的规格要求,利用新思科技等公司提供的成熟模型,例如处理器与USB、PCIe等接口模型做定制化配置,再加上自己独有的行为模型,就可以在原型化系统上进行软件开发。”
用虚拟原型化取代FPGA原型化,并不意味着RTL验证就不需要。在先进工艺开发中,RTL代码完成后,通常会放入硬件仿真器去做全芯片系统的优化与验证,要把性能与功耗等问题,尽可能在硬件仿真时发现。 先进工艺芯片规模巨大,这就要求硬件仿真器速度要快,容量要大,就像新思科技的ZeBu等产品,能把所有信号都抓出来进行分析。
“ 这样从抽象层到RTL层全面覆盖,目标就是在流片前把场景驱动的软硬件问题一并找出来并解决掉,这就是当前先进工艺开发方法学的大方向。 ”谢仲辉总结,根据项目复杂度不同,采用新思提出的新开发方法学,可以把开发进度提前3到9个月不等,在大型SoC开发中节省3到9个月可能决定着一款产品在市场上是否能抢到时间窗口。
异构越来越普遍
立体封装与异构集成是当前提高集成度的重要方法。 进 入FinFET时代,工艺每升 级一代,仍然表现出功耗降低、性能提升、尺寸变小的趋势,但与平面工艺相比,工艺升级带来的红利明显降低, 正如谢仲辉所说:“工艺尺寸变小让开发者在面积上更有把握,但与过去(平面工艺)相比,现在工艺升级带来的功耗降低与性能提升效果甚微,没那么线性了。”
立体封装(3D封装)流行的另一个原因是集成电路不同模块对工艺要求差异变大。处理器、大规模计算专用集成电路等需要用到7纳米、5纳米等先进工艺;而IO接口并不需要很先进的工艺,16纳米就可以满足;大容量存储器是独立工艺,并不是标准逻辑工艺。所以,处理器、IO和存储器可以用不同工艺生产,最后用系统级封装将三块集成起来,形成一颗集成电路产品。
“它外面看起来是一颗芯片,里面是三个die(裸芯片)整合在一起,加一块电路板封装在一起,这是一种很精密的电路集成,不能再叫芯片,又回到‘集成电路’这个定义。”谢仲辉解释,3D封装是目前做复杂异构的主流方式。
谢仲辉强调,在单颗裸芯片的内部也有异构,里面可能集成处理器、DSP、AI加速器、总线、缓存(Cache)等不同功能,软件开发就会特别复杂, 如果没有良好的工具来做软件与硬件之间的桥梁,硬件性能就不能得到很好的发挥。
“立体封装和异质集成需要两类工具。一类跟实现相关,系统级封装(即立体封装)工具要考虑如何实现自动化加工,还要具有分析功耗、封装特性和信号完整性的能力;一类是应用相关,即系统开发相关,怎么把软件架构和硬件架构做到无缝连接,让用户看不到底层复杂的异构架构,即软件界面要很整合、底层驱动要很智能、软件和硬件的中间层开发环境要优化到位,用起来和单一架构一样很自然,以最大限度提高开发效率,” 谢仲辉告诉探索科技(ID:techsugar)。
完备验证方法在复杂SoC开发中的必要性
IP化开发是节约复杂SoC开发成本的关键方法,不过先进工艺IP也越来越贵。 在谢仲辉看来,这主要由两个原因导致:
● 第一,使用先进工艺开发IP的成本在大幅增加,研发人力投入与工艺流片投入加剧,先进工艺流片费用非常贵,往往要几百万到上千万美元。
● 第二,先进工艺的客户数量相对较少,这样分摊到每家客户头上的费用也在增加。
不管是工艺本身的流片费用,还是IP使用费用,以及人力成本都在上升,尤其是验证与系统实现上,需要比以往多得多的人力。“以前可能只需要测10个场景,但现在需要测上万个甚至10万个场景,验证工作量变大,验证的难度或者说维度变大了。”
谢仲辉表示,手机处理器等SoC的人力配置上,芯片设计工程师与验证工程师(含软件工程师)的比例可能会达到1比10,“现在设计工程师与验证工程师的比例,可以达到1:5到1:10的规模,SoC要有好的用户体验,大部分都与系统验证的人相关,与跟软件的人相关。”
采用7纳米或5纳米工艺的芯片,一颗产品从立项到量产通常需要数千万美元,如果不引入最先进的方法学,项目风险就会大到难以承受。所以, 在先进工艺节点上,新的开发方法学就成为必需,新方法学包括完备的验证手段,以及虚拟原型化和硬件仿真等加速开发进度的工具。
“完备的验证方法就像买保险,可以锁定市场风险。做一个掩膜版的改变,时间至少增加3个月,又要多花几百万美元,而且可能错过最佳市场时间窗口,几千万美元全部打水漂。”在谢仲辉看来,完备的验证方法,对复杂SoC开发项目的风险控制,是非常必要的。
责任编辑:haq
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