0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SK海力士收购Intel存储业务,标志着韩企在NAND闪存领域的强势地位

如意 来源:雷锋网 作者:李帅飞 2020-10-21 09:37 次阅读

作价 90 亿美元,Intel 又卖出了旗下的一个重要业务。

这个业务,就是 NAND 闪存。

这是继 NVIDIA 宣布以 400 亿美元收购 ARM 之后,全球半导体领域的又一笔重大交易。

这笔交易中的买家,是韩国企业 SK 海力士,而 SK 海力士本身也是 NAND 闪存领域的一个重要玩家——这意味着,在 NAND 闪存领域,韩国企业越来越强势了。

那么,对中国半导体行业来说,这笔交易会产生什么影响?

这笔交易涉及到 Intel 中国大连工厂

北京时间 10 月 20 日, SK 海力士和 Intel 共同宣布了上述签署协议。

根据协议约定,SK 海力士将以 90 亿美元的价格,收购 Intel 的 NAND 闪存及存储业务。本次收购包括 Intel NAND SSD 业务、NAND 部件及晶圆业务——以及 Intel 在中国大连的 NAND 闪存制造工厂。

Intel 中国大连工厂由 Intel 在 2007 年 9 月投资建造,并在 2010 年正式投产,是 Intel 在亚洲的唯一的晶圆制造工厂。

2015 年,Intel 宣布投资 55 亿美元将这个工厂升级为非易失性存储技术制造基地,并于 2016 年 7 月正式投产。2017 年 5 月,Intel 还专门在其大连工厂发布了采用 3D NAND 技术的全新数据中心级固态盘——2018 年 9 月,Intel 当时最先进的 96 层 3D NAND 产品也在大连投产。

如今,伴随着这笔收购,Intel 在中国唯一的晶圆制造工厂也拱手让给 SK 海力士。

值得一提的是,尽管出售 NAND 闪存业务,Intel 还将保留其特有的傲腾(Optane)业务。

根据双方协议,SK 海力士与 Intel 将争取在 2021 年底前取得所需的政府机关许可——包括来自美国、欧盟、中国、韩国等监管机构的许可。

协议表示,在获取相关许可后,SK 海力士将通过支付第一期 70 亿美元对价从 Intel 收购 NAND SSD 业务(包括 NAND SSD 相关知识产权和员工)以及位于中国大连的工厂。

此后,预计在 2025 年 3 月份最终交割时,SK 海力士将支付 20 亿美元余款从 Intel 收购其余相关资产,包括 NAND 闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及中国大连工厂的员工。

同时,根据协议,在交割过程中,Intel 将继续在大连闪存制造工厂制造 NAND 晶圆,并保留制造和设计 NAND 闪存晶圆相关的知识产权 (IP),直至最终交割日。

按照双方说法,通过这次收购,SK 海力士旨在急速成长的 NAND 闪存领域中提升包括企业级 SSD 在内的存储解决方案相关竞争力,进一步跃升为行业领先的全球半导体企业之一。

Intel 为什么要卖?

Intel 出售其 NAND 闪存业务,并不令人感到意外。

自从 2019 年 2 月正式担任 Intel CEO 以来,Bob Swan 就致力于推动 Intel 的业务调整和财务状况好转——值得一提的是,Bob Swan 此前担任 Intel CFO,所以更善于从财务角度看待问题。

实际上,Bob Swan 执掌 Intel 两年多来(包括担任临时 Intel CEO 的时间),他已经在 Intel 调制解调器业务上展现了自己的执掌思路。

据 FastCompany 报道,2018 年底,在出售调制解调器业务之前,他曾非常质疑为什么 Intel 不转移注意力到其他更能赚钱的业务。随后在 2019 年 4 月,苹果宣布与高通达成和解之后,Intel 当天就立即宣布退出 5G 调制解调器业务。

随后在 2019 年 7 月,Intel 以 10 亿美元的价格,将调制解调器业务的大部分出售给了苹果。

显然,2020 年,NAND 闪存业务成为了 Bob Swan 的 “刀下之魂”。

截止今年 6 月 27 日,Intel 的 NAND 业务在今年上半年为 Intel 非易失性存储器解决方案事业部(Non-volatile Memory Solutions Group, NSG)创下了约 28 亿美元的营收,以及约 6 亿美元的营业利润。

当然,作为世界半导体行业的领先者,Intel 也拥有业界领先的 NAND SSD 技术以及 4 阶储存单元(quadruple level cell,QLC)NAND 闪存产品线。

对于这次出售,Intel CEO Bob Swan 表示:

这次交易能让我们更加专注于投资具有差异化特点的技术,从而令我们在客户的成功中扮演更重要的角色,并且为我们的投资者产出可观的回报。

Intel 方面还表示,在出售业务之后,它计划将本次交易获得的资金用于开发业界领先的产品和加强其具有长期成长潜力的业务重点,包括人工智能AI)、5G 网络智能自动驾驶相关边缘设备。

NAND 闪存领域生变:韩国占大头,中国正赶上

Intel 和 SK 海力士的这笔交易,将对全球 NAND 领域产生重大影响。

根据 TrendForce 集邦咨询旗下半导体研究处发布的数据,2020 年第二季度,在全球 NAND Flash 产业:

排名第一的三星营收占比为 31.4%;

第二名 Kioxia 营收占比为 17.2%;

第三名西部数据营收占比为 15.5%;

第四名 SK 海力士营收占比为 11.7%;

第五名镁光营收占比为 11.5%;

第六名 Intel 营收占比为 11.5%。

SK海力士收购Intel存储业务,标志着韩企在NAND闪存领域的强势地位

依照上述数据,如果 SK 海力士成功收购 Intel NAND 闪存业务,则它将拥有超过该领域 23% 的全球市场份额,一举成为这一领域的全球第二。

——如此一来,SK 海力士和三星加起来,韩国企业将占据全球 NAND 领域营收的半壁江山,份额超过 50%。

那么,中国 NAND 领域发展如何呢?

目前来看,在 NAND 领域,中国的厂商还处于追赶阶段,营收排名还比较靠后,位于 Others 之列。

不过,在国产存储企业中,位于武汉的长江存储正在快速跟进,并且已取得重大成功——可以说是国产 NAND 闪存一哥。

2020 年 4 月,长江存储宣布 128 层 QLC 3D NAND 闪存(X2-6070)研发成功,这是我国首款 128 层 3D NAND 闪存芯片,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度(QLC,4 bit/cell),最高 I/O 传输速度(1.6G/s)和最高单颗 NAND 闪存容量(1.33Tb)。

按照长江存储高级副总裁龚翊的说法,此次产品发布,意味着长江存储在 3D NAND 闪存领域已经基本追平国际先进水平,在某些领域甚至有所领先。

值得一提的是,这次发布的产品即将走向量产,预计在 2021 年上市。

除了技术上的追赶,长江存储也在不断跟进生产进度;今年目标是成都长投产,并逐步完成武汉厂区剩余二座厂房的兴建与扩产。由此,调研机构集邦咨询预计,2021 年长江存储产能预估占整体 NAND Flash 约 8%。

8% 的份额,虽然看起来不大,但也许是国产 NAND 闪存的出头机会。

当然,要想与韩国、美国等竞争对手抗衡甚至实现超越,以长江存储为代表的中国企业,还要有很长的路要走。

但眼下,这条逆袭的道路,已经看到曙光。
责编AJX

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1697

    浏览量

    136571
  • 存储
    +关注

    关注

    13

    文章

    4367

    浏览量

    86262
  • SK海力士
    +关注

    关注

    0

    文章

    975

    浏览量

    38780
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    SK海力士计划减产NAND Flash存储器以应对市场下滑

    产品价格。 继美光和三星宣布减产计划后,全球第二大NAND Flash厂商SK海力士也宣布了减产决定。据悉,SK海力士计划将上半年
    的头像 发表于 01-20 14:43 278次阅读

    SK海力士考虑提供2.5D后端工艺服务

    与测试)市场,这将标志着AI芯片产业链上的布局进一步向下延伸。此举不仅有助于SK海力士扩大整体利润规模,更能在一定程度上缓解下游外部先进封装厂产能瓶颈对其HBM(高带宽
    的头像 发表于 12-25 14:24 278次阅读

    SK海力士展出全球首款16层HBM3E芯片

    近日举行的SK AI峰会上,韩国存储巨头SK海力士向全球展示了其创新成果——全球首款48GB 16层HBM3E产品。这一产品的推出,
    的头像 发表于 11-13 14:35 521次阅读

    SK海力士开发出第六代10纳米级DDR5 DRAM

    SK海力士宣布了一项重大技术突破,成功开发出全球首款采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb DDR5 DRAM。这一里程碑式的成就标志着SK海力
    的头像 发表于 08-29 16:39 736次阅读

    SK海力士率先展示UFS 4.1通用闪存

    最近的FMS 2024峰会上,SK 海力士凭借其创新实力,率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品,再次引领存储技术的
    的头像 发表于 08-10 16:52 2221次阅读

    SK海力士加速NAND研发,400+层闪存量产在即

    韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新,据媒最新报道,该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠
    的头像 发表于 08-02 16:56 1178次阅读

    SK海力士考虑让Solidigm美上市融资

    据最新消息,SK海力士正酝酿一项重要财务战略,考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm美国进行首次公开募股(IPO)。Soli
    的头像 发表于 07-30 17:35 1115次阅读

    SK海力士携手台积电,N5工艺打造高性能HBM4内存

    半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK
    的头像 发表于 07-18 09:47 728次阅读

    SK海力士开发出用于端侧AI PC的高性能固态硬盘PCB01

    (SSD)——PCB01。这款产品的推出,不仅标志着SK海力士NAND闪存解决方案
    的头像 发表于 07-01 14:58 604次阅读

    SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案

    智能手机技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,成功推出新一代移动端NAND闪存解决方案——ZUFS 4.0。这款专为端侧AI手机
    的头像 发表于 05-11 10:14 546次阅读

    SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0

    今日,SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破,他们成功研发出了面向端侧(On-Device)AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。这款
    的头像 发表于 05-09 11:00 667次阅读

    SK海力士发布NAND闪存解决方案,助力端侧AI手机发展

    SK海力士指出,“ZUFS 4.0是新一代移动端NAND闪存解决方案,具备行业内最高性能且专门针对端侧AI手机进行优化。”此外,公司还强调,“借助此产品,我们将在
    的头像 发表于 05-09 09:30 491次阅读

    SK海力士成功量产超高性能AI存储器HBM3E

    HBM3E的推出,标志着SK海力士高性能存储领域取得了重大突破,将现有DRAM技术推向了新的
    的头像 发表于 03-20 15:23 1182次阅读

    SK海力士重组中国业务

    SK海力士,作为全球知名的半导体公司,近期中国业务方面进行了重大的战略调整。据相关报道,SK海力士
    的头像 发表于 03-20 10:42 1486次阅读

    铠侠向SK海力士提议日产非易失性存储器,推动合作达成

    去年,铠侠与西数的合并谈判因 SK 海力士阻挠而被搁置,其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK
    的头像 发表于 02-18 16:06 601次阅读