IGBT单管TRENCHSTOP IGBT7产品概述
TRENCHSTOP IGBT7现在提供TO-247封装，电流等级为20-75A。
TRENCHSTOP IGBT7带来更高的击穿电压（650V）、一流的性价比和效率，实现简单的即插即用解决方案。
IGBT7 T7主要针对工业电机驱动应用、PFC和PV/UPS应用。
特 性
低Vce(sat) ≤1.35V
EMI性能增强
耐湿性得到改善
650V击穿电压和3us短路能力
IGBT饱和压降低、二极管导通电压低
优 势
损耗小，外壳温度降低20%
出色的可控性
满电流续流二极管，恢复特性软（EC7）
100%动态测试
更坚固耐用
标准TO-247封装
目标应用
工业电机驱动应用
PFC
PV/UPS应用
竞争优势
一流性价比
更高功率密度，降低冷却要求
降低系统成本
产品设计方便，易于更换
系统可靠性高
应用示意图：逆变器
产品概述
责任编辑：xj
原文标题：新品 | IGBT单管650VTRENCHSTOP™IGBT7 T7
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
IGBT
+关注
关注
1265文章
3769浏览量
248452 -
单管
+关注
关注
1文章
26浏览量
16895
原文标题：新品 | IGBT单管650VTRENCHSTOP™IGBT7 T7
文章出处：【微信号：yflgybdt，微信公众号：英飞凌工业半导体】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
新品 | D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP™的IGBT7系列
新品D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用额定电压为1200V的
IGBT芯片/单管/模块/器件的区别
在电力电子技术的快速中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术以其高效、可靠的性能，成为众多领域的核心组件。从微小的IGBT芯片到复杂的IGBT器件，每一个组成部分都承载着推动电力电子技术
新品 | 采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM
新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi转模封装IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRENCHSTOPIGBT7和快速二极管
上能电气采用英飞凌IGBT7 EconoDUAL™3实现单机2MW储能变流器
的基于英飞凌IGBT7技术的新一代高功率密度2MW储能变流器PCS，使用英飞凌最新的EconoDUAL3封装的750
收藏！IGBT7系列分立器件核心知识点最全整理！
英飞凌IGBT7单管系列，作为目前炙手可热的光储应用新星产品，正受到众多玩家的追捧。本篇文章特地为大家贴心整理该系列产品的核心知识大全，希望
最新IGBT7系列分立器件常见问题
英飞凌新推出的IGBT7单管系列市场热度不减，本文为大家整理针对该产品系列的常见问题，一看就懂，牢牢码住!直播回放链接获取IGBT7都通过了
IGBT7系列分立器件核心知识点最全整理！
英飞凌IGBT7单管系列，作为目前炙手可热的光储应用新星产品，正受到众多玩家的追捧。本篇文章特地为大家贴心整理该系列产品的核心知识大全，希望
扩展 IGBT7 产品组合，实现bast-in-Class功率密度
我们已经介绍过关于采用标准TO-247封装的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二极管续流产品的优点。秉承"越多越好"的宗旨，英飞凌最近拓展了
igbt与mos管的区别
igbt与mos管的区别 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-E
工商网监
评论