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浅谈齐纳二极管和并联拓扑 如何选择合适的分流电阻器

电子设计 来源:eeweb 作者:Maxim 2021-06-17 09:37 次阅读

还有什么比参考电压更基本的东西——一个简单的、恒定的参考电压?与所有设计主题一样,需要权衡取舍。本文讨论了不同类型的电压基准、它们的关键规格以及设计权衡,包括精度、温度无关性、电流驱动能力、功耗、稳定性、噪声和成本。

理想

理想电压基准具有完美的初始精度,并能独立于负载电流、温度和时间的变化而保持其电压。在现实世界中,设计人员必须进行权衡,例如:初始电压精度、电压温度漂移和迟滞、电流源和吸收能力、静态电流(或功耗)、长期稳定性、噪声和成本。

参考类型

两种最常见的参考类型是齐纳和带隙。齐纳二极管通常用于两端并联拓扑。带隙基准通常用于三端串联拓扑。

齐纳二极管和并联拓扑

齐纳二极管是针对在反向偏置击穿区域中工作而优化的二极管。由于击穿是相对恒定的,它可用于通过反向驱动已知电流来产生稳定的参考。

齐纳二极管的一大优势是可用的电压范围很广,从 2V 到 200V。它们还具有广泛的功率处理能力,从几毫瓦到几瓦不等。

齐纳二极管的主要缺点是它们对于高精度应用来说不够精确,而且它们的功耗使得它们很难适用于低功率应用。一个例子是 BZX84C2V7LT1G,它的击穿电压或标称参考电压为 2.5V,变化范围为 2.3V 至 2.7V,精度为 ±8%。这仅适用于精度要求不高的应用。

齐纳参考的另一个问题是输出阻抗。我们上面的例子的内部阻抗在 5mA 时为 100Ω,在 1mA 时为 600Ω。根据负载电流的变化,非零阻抗会导致参考电压的额外变化。选择具有低输出阻抗的齐纳二极管可以最大限度地减少这种影响。

埋入式齐纳二极管是一种特定类型的齐纳二极管,由于其结构将它们置于硅表面之下,因此比普通齐纳二极管更稳定。

实际齐纳二极管的替代方案是模拟齐纳二极管的有源电路。电路允许器件显着改进齐纳二极管的经典局限性。MAX6330就是这样一种器件。它在 100µA 至 50mA 的负载变化范围内具有严格的 1.5%(最大)初始精度。这种类型的 IC 的典型实现如图 1 所示。

pYYBAGDKp4WAWcVvAACHsc2EC80186.png

选择合适的分流电阻器

所有分流配置参考都需要一个与参考元件串联的限流电阻器。它可以从以下等式计算:

RS = (VIN(max) – VSHUNT (min))/(ISHUNT (max) + ILOAD(min)) ≤ RS ≤ (VIN (min) – VSHUNT (max))/(ISHUNT (min) + ILOAD (max) )

其中:

  • VIN 是输入电压范围
  • VSHUNT 是稳压电压
  • ILOAD 是输出电流范围
  • ISHUNT 是最小分流工作电流

请注意,无论是否存在负载,分流电路始终消耗 ILOAD(最大值)+ISHUNT。

通过适当调整 RS 的大小,相同的分流器可用于 10VIN 或 100VIN。为 RS 选择最大的标称电阻值可实现最低的电流消耗。请记住提供一个安全裕度,以纳入所用电阻器的最坏情况容差。您还应该确保电阻器的额定功率足够,使用以下两个通用功率方程之一:

PR = IIN(VIN(max) – VSHUNT)

= I²INRS

= (VIN(max) – VSHUNT)²/RS

编辑:hfy

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