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大电流双列直插式沟道MOSFET分析

电子设计 来源: IXYS 作者: IXYS 2021-05-28 16:02 次阅读

在汽车中使用越来越多的功率驱动器,其功率范围从几百瓦到几千瓦不等,例如用作起动发电机或电动助力转向风扇泵的致动器,以及将来的线控制动系统。通常使用三相交流电机,这需要根据图1的逆变器从汽车的直流母线电压L +,L-产生具有当今V电平或将来目标的12 V的交流系统L1,L2,L3。在内燃机冷启动期间,由此产生的电流朝着额定功率的上限升高,达到启动发电机功率部分中的约500A。电力电子系统面临恶劣的环境条件,这些设备必须承受较长的时间范围(-30°C≤TS≤120°C)的较宽工作温度范围,并且在较长时间内必须通过内燃机冷却液回火,使TS = 90°C左右。尽管如此,这些部件在车辆的预期使用寿命内必须是高度可靠的。

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图1 MOSFET三相全桥

实现

所建议的新设备的型号名称为GWM160-0055P3的轮廓如图2和3所示。与上一节中介绍的其他ISOPLUS组件一样,其黑色塑料主体由覆盖DCB基板的打浆化合物组成。为了最小化从DCB顶部的芯片到后面的散热器的热阻,同时保持足以为电池供电的汽车系统提供的隔离电压,已经采用了工业用设备已知的厚度小于0.63 mm的陶瓷。

图2拟议的GWM160-0055P3组件的外部俯视图和仰视图

o4YBAGCwoimAOE5fAAB2Nk3G1Gk172.png

图3建议的GWM160-0055P3组件的引脚排列和尺寸

编辑:hfy

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