隔离式IGBT栅极驱动器需要隔离式电源,以实现安全隔离和电平转换。不幸的是,基于标准电源控制IC的隔离式电源设计并非易事。要使用离散的组件定制解决方案,就需要专门知识和大量的验证工作,这些组件占用较大的电路板空间并增加了组件故障的可能性。更加希望将功率转换功能集成到栅极驱动器中,以简化设计,减小占位面积并提高可靠性。
隔离式反激转换器框图
反激转换器在不连续模式下使用直接占空比控制。输出电压通过集成的光耦合器反馈,如图1所示。
可以观察到这种拓扑的一些直接好处。
输出电压通过具有集成反馈的逐个栅极进行调节。
隔离边界与栅极驱动器很好地对齐,从而实现了紧凑的PCB布局。
主开关Msw进一步集成到栅极驱动器IC中。
更少的分立组件,易于设计。
双极栅极偏置可以通过简单的齐纳二极管(D4)和电阻器(R4)来实现。
下节给出了一个示例,以说明详细的设计过程
电源规格
以下是HEV和EV应用中IGBT栅极驱动器的一组典型浮动电源规范。
(3-1)[tex] Vin_ {min} = 8hspace {1mm} V,hspace {1mm} Vin_ {max} = 18hspace {1mm} V [tex]
(3-2)[tex] Vcc2_ {min} = 18hspace {1mm} V,hspace {2mm} Vin_ {max} = 22hspace {1mm} V [tex]
Vcc1设计为通过IC初级侧的内部线性稳压器处理8 V至18 V的较大输入电源范围。Vcc2提供正和负栅极偏置。
负载电流包括栅极驱动器IC(Icc2)的偏置电流和动态栅极驱动器电流Igate,其中
(3-3)[tex] I_ {gate} = f_ {pwm}乘以Q {g}'[tex]
f(pwm)是IGBT的PWM开关频率,Qg'是用于将栅极电压从Vee2切换到Vcc2的栅极电荷。在许多情况下,它小于IGBT数据表中指定的Qg,后者可测量-15 V至15 V的栅极电荷。
对于[Q] Q {g}'= 4hspace {1mm} mu C,hspace {1mm} f_ {PWM} = 10hspace {1mm} kHz [tex]
(3-4)[x] I_ {gate} = 10hspace {1mm} kHz乘以4hspace {1mm} mu C = 40hspace {1mm} mA [tex]
在本节中,我们研究与功率转换相关的变压器规格,例如,初级和次级绕组电感以及匝数比。这些参数由最大输入功率,最小输入电压,开关频率范围,最大占空比和最大初级电流限制确定。
在图1中,初级绕组的开关频率为60 kHz(最小值)。和最大变化如下:
(4-1)[tex] fs_ {min} = 40hspace {1mm} kHz,hspace {1mm} fs_ {typ} = 60hspace {1mm} kHz [tex]
IC很难将导通占空比限制为50%– 60%。建议您使用最大最大负载的占空比为50%,以确保对Vcc2的良好调节。
(4-2)[D] D_ {max} = 50hspace {1mm} percent [tex]
编辑:hfy
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