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如何将霍尔效应锁存器A1262用于独立于气隙的速度和方向感应

电子设计 来源:eeweb 作者:Allegro MicroSystems 2021-04-27 11:30 次阅读

本文介绍了双通道,超灵敏霍尔效应锁存器A1262,以及如何将其用于独立于气隙的速度和方向感应。它显示了两个案例研究,例如多环形磁体和径向环形磁体。

介绍

A1262集成电路是一个超灵敏的双通道霍尔效应锁存器。与传统的双通道锁存器一样,A1262的正交输出指示旋转环形磁铁靶的旋转方向和位置/速度。然而,它的独特之处在于它使用垂直霍尔技术来感应除振幅之外的磁场方向。

A1262包含一个常规的平面霍尔元件以导出一个通道,并包含一个垂直霍尔元件以导出另一通道。结果是,A1262能够产生正交输出信号(≈90°相位差),其中相分离在很大程度上与气隙,环形磁体尺寸或磁极间距无关。这为系统设计人员在选择环形磁体及其相对于传感器的位置和方向时提供了前所未有的灵活性。它的小型(SOT23-5)封装替代了一对传统的霍尔效应锁存器,从而节省了空间并减少了元件数量。

实例探究

本应用笔记将重点介绍许多可能的系统配置中的两种。在这两种情况下,均假定A1262LLHLT‑T设备将Z感测方向用于平面霍尔元件,将Y用作垂直霍尔元件(参见图1)。还提供了A1262的替代版本A1262LLHLT‑X‑T,它在Z和X方向均具有灵敏度。有关A1262的详细信息,请参见A1262数据表和其他相关应用笔记。

o4YBAGCHhYaAT148AAB82g8R35c229.png

图1 A1262感测方向

在这两种情况下,靶都是整体尺寸相同的铁氧体环形磁体。在情况1中,磁体是多极环形磁体。在情况2中,它是直径磁化(1极对)的环形磁体。

情况1:多个环形磁铁

在这种情况下,目标是具有以下特征的环形磁体:

pIYBAGCHhZGAbtavAAGaANG64LI455.png

图2情况1的机械配置

案例1环形磁体周围的径向和切向磁场与气隙的关系如图3和图4所示。径向磁场分量激励A1262平面霍尔元件,并显示为Z方向。垂直霍尔元件响应切向磁场;显示为Y方向。

o4YBAGCHhZuAFKChAAFWc84iU7A455.png

图3径向B场多极环形磁铁与气隙的关系

o4YBAGCHhbaAL_TSAAFSbHON0yM869.png

图4切向B场多极环形磁铁与气隙的关系

pIYBAGCHhaeACHwBAAEYY2wDg6Q403.png

图5径向/切向B场多极环形磁体与气隙的关系

如图3和图4所示,两个通道中每个通道的磁峰位置相对于另一个通道非常一致。气隙几乎没有变化。图5通过仅显示最小和最大气隙分别为1.5和5.0 mm的结果更清楚地说明了这一点。

编辑:hfy

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