据2020年10月19日国家统计局网站消息,2020年前三季度中国集成电路产品产量总共生产了1822亿块,同比增长14.7%,其中,9月份共生产了241亿块,同比增长16.4%。
据工信部运监局统计报道,2020年7月,中国集成电路产品产量同比增长9.0%,8月份集成电路产品产量同比增长12.1%。
2. 2020年前三季度中国集成电路产品进出口情况
据中国海关总署公布:
2020年1-9月,中国累计进口集成电路3871亿块,同比增长23.0%;
2020年1-9月,中国累计进口集成电路金额17673.2亿元,同比增长16.6%;
2020年1-9月,中国累计出口集成电路1868.3亿块,同比增长18.7%;
2020年1-9月,中国累计出口集成电路金额5780.2亿元,同比增长14.9%;
2020年1-9月,中国集成电路产品进出口逆差为11893.0亿元(约为1703.9亿美元);
2020年1-9月,中国机电产品出口1.31万亿元,同比增长1.4%,占同期对美出口总额的60%。其中,笔记本电脑出口额为1620.9亿元,同比增长14.4%,出口手机1286.9亿元,同比下降3.4%;集成电路出口占机电产品出口总额的44.1%。
3. 发改委:个别地方盲目上芯片项目,风险显现
国家发改委于10月20日召开10月份例行新闻发布会,发改委新闻发言人孟玮出席。
孟玮指出,国内投资集成电路产业热情不断高涨,2019年,我国集成电路销售收入7562亿元,同比增长15.8%,已成为全球集成电路发展增速最快的地区之一。同时一些没经验没技术没人才的三无企业也加入其中,个别地方盲目上项目,低水平重复建设风险显现。
孟玮表示,发改委将从四方面维护产业发展秩序:
一是加强规划布局。按照“主体集中、区域集聚”的发展原则,加强对集成电路重大项目建设的服务和指导,有序引导和规范集成电路产业发展秩序,做好规划布局。引导行业加强自律,避免恶性竞争。
二是完善政策体系。加快落实国发〔2020〕8号文,也就是关于新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策,抓紧出台配套措施,进一步优化集成电路产业发展环境,规范市场秩序,提升产业创新能力和发展质量,引导产业健康发展。
三是建立防范机制。建立“早梳理、早发现、早反馈、早处置”的长效工作机制,强化风险提示,加强与银行机构、投资基金等方面的沟通协调,降低集成电路重大项目投资风险。
四是压实各方责任。坚持企业和金融机构自主决策、自担责任,提高产业集中度。引导地方加强对重大项目建设的风险认识,按照“谁支持、谁负责”原则,对造成重大损失或引发重大风险的,予以通报问责。
10月15日,半导体产业链创新论坛作为IC CHINA平行论坛在上海浦东嘉里大酒店召开,论坛由中国半导体行业协会集成电路分会、封装分会、支撑业分会承办。论坛以“新时期、新政策、新发展”为主题,由中国半导体行业协会支撑分会秘书长石瑛、中国半导体行业协会封装分会常务副秘书长徐冬梅共同主持。
中国半导体行业协会副理事长于燮康出席了论坛并发表了主题为《中国集成电路产业发展进入新阶段》的演讲,为大家介绍了中国集成电路产业发展的基本情况。于燮康指出,我国集成电路产业运行质量在不断提高。可以说,集成电路设计业的产品档次从低档逐渐走向高档,高端芯片占比不断提升;晶圆制造业的产品附加值在不断提高;封测业的先进封装占比也在不断上升。同时针对中国集成电路产业发展的新阶段提出了强化顶层设计和产业集群建设、优化资源配置加大研发投入、强化应用引领应用驱动、加强知识产权保护、政策普惠分立器件共五个方面的建议。
华海清科股份有限公司常务副总经理李昆、华天科技(昆山)电子有限公司研究院院长马书英、江苏华海诚科新材料股份有限公司董事长韩江龙、迪思科科技(中国)有限公司产品经理束亚运、通富微电子股份有限公司封装研究院SiP首席科学家谢建友、北京中电科电子装备有限公司技术总监叶乐志以及默克中国负责人王美良也参加了论坛,围绕“新时期、新政策、新发展”的主题,分别从封测技术、装备材料等角度与现场观众进行了探讨与分享。
随着5G时代的来临,新基建的需求对集成电路产业提出了更高的要求,也是集成电路产业新的机遇。本次半导体产业链创新论坛的召开,意在加强产业链的交流合作,推动我国集成电路5G新时期可持续、高质量发展。论坛得到了产业界人士高度关注,现场座无虚席,与会人士站满了通道及入口。
5. 南京集成电路大学正式成立
2020年10月22,由南京江北新区联合企业、高校共同成立的南京集成电路大学,在南京江北新区举行了揭牌仪式。
南京市政协主席、集成电路产业链“链长”刘以安,南京市委常委、江北新区党工委专职副书记罗群,南京市副市长沈剑荣等来自南京市、江北新区的主要领导以及高校、企业的代表出席活动。活动由南京市副市长沈剑荣主持。
刘以安为南京集成电路大学揭牌,并为时龙兴教授颁发南京集成电路大学校长聘书。
今年7月,国务院将集成电路设为一级学科,同时期发布了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》,集成电路产业发展和人才培养的重要性进一步凸显。在此背景下,南京集成电路大学应运而生。
南京集成电路大学将以面向产业人才为定位,与传统高校取长补短,以机制创新、相互补充的方式,解决当前人才培养难点,促进地方产业发展,是一个衔接政府、高校、企业以及推进产教融合的开放平台。活动中,来自高校、科研单位、企业的相关代表,与南京集成电路大学就产业人才培养合作进行签约。
南京集成电路大学揭牌仪式的同期还举行了产业人才培养高端论坛。
6. 首片国产6英寸碳化硅晶圆产品在上海临港正式发布
据上海临港官微报道,10月16日,首片国产6英寸碳化硅(SiC)MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)晶圆在上海临港正式发布。
据上海瞻芯电子创始人兼总经理张永熙介绍,如果用了碳化硅MOSFET新能源汽车作电驱动的话,续航里程可以有5%到10%的提升。比如说用了碳化硅工艺器件的光伏逆变器的话,效率也可以非常大的提升尤其在能耗上面降低50%。目前,这款晶圆已经有国内10多家客户进行了试用,其中2家已经形成了小批量出货。
据悉,上海瞻芯电子提供以SiC功率器件、SiC/Si MOSFET驱动芯片、SiC模块为核心的功率转换解决方案,适用于风能逆变、光伏逆变、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域。
上海瞻芯电子2017年7月17日在上海临港正式注册成立,开发以6英寸为主的碳化硅晶圆。2017年10月上旬完成工艺流程、器件和版图设计,在10月到12月间完成初步工艺试验,并且从2017年12月开始正式流片,在不到5个月内成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上完成碳化硅(SiC)MOSFET的制造流程。
7. 国联闻泰5G通讯和半导体产业基金成立
10月18日,国联集团与闻天下投资有限公司签署合作协议,双方共同发起成立起始规模达100亿元的国联闻泰5G通讯和半导体产业基金。这是继今年8月闻泰科技超级智慧产业园项目落户高新区以来,闻泰与无锡展开全面战略合作的又一重磅举措,将为无锡加快集成电路及5G产业发展、培育世界级产业集群注入新动力。
今年8月,闻泰科技投资100亿元筹建无锡超级智慧产业园,建设闻泰全球第一个世界最先进水平的智慧超级工厂及研发中心。此次,无锡与闻泰再度牵手,共同发起设立国联闻泰5G通讯和半导体产业基金,依托闻泰科技和国联集团在半导体产业的资金、技术优势,围绕闻泰科技及其供应链,以“数字新基建”为主题重点布局符合国家战略、突破关键技术、市场认可度高的高端智能制造企业。作为基金的重要合伙人,国联集团子公司国联资本运营有限公司将参与基金的组建和运营管理,发挥好国有资本的独特优势。
作为无锡集成电路产业发展的最前沿和主阵地,无锡高新区有着涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试、配套服务在内的完整产业链。蒋敏表示,无锡高新区作为太湖湾科创带的核心区,在发展5G通讯和半导体上具有得天独厚的产业链、创新链和政策链优势。下阶段,高新区将全面秉承“无难事、悉心办”的理念,一如既往地当好“店小二”,为企业发展营造良好环境,实现双方互利共赢。
8. 华润微拟增募资50亿 主攻功率半导体封测
10月19日晚,华润微发公告称,公司拟非公开发行股票募集资金50亿元,投向功率半导体封测基地项目。
公告显示,华润微电子功率半导体封测基地建设项目总占地面积约100亩,规划总建筑面积约12万平方米。本项目预计建设期为3年,项目总投资42亿元,拟投入募集资金38亿元,其余所需资金通过自筹解决。本项目建成并达产后,主要用于封装测试标准功率半导体产品、先进面板级功率产品、特色功率半导体产品,生产产品主要应用于消费电子、工业控制、汽车电子、5G、AIOT等新基建领域。
华润微表示,项目建成后,公司在封装测试环节可与芯片设计、晶圆制造等环节形成更好的产品与工艺匹配,有利于充分释放内部各环节的资源优势与协同效应,公司生产一体化比例有望进一步提升,推动公司进一步向功率半导体综合一体化运营公司转型。
9. 12个芯片项目落户无锡锡山
集微网消息,10月19日,无锡锡山经济技术开发区举办“‘芯’谷启航 ‘芯’动锡山”开发区集成电路产业项目合作交流活动。
活动上签约落户12个芯片项目,包括华为、小米生态链企业瀚昕微,中兴、华为战略合作伙伴赛尔特安,京东方、小米供应商海鲸半导体及MEMS传感器芯片项目、浪涌防护芯片项目、光通信用全集成收发芯片项目等。
会上还发布了锡山开发区“芯片10条”与1个基金—南京俱成秋实贰号创业投资合伙企业。基金规模17.91亿人民币。投资领域包括创业各阶段的新型信息技术、集成电路设计制造、新材料、新能源、智能制造等先进制造行业企业。
10. 深科技投资存储先进封测与模组制造项目
近日,深圳长城开发科技股份有限公司发布两份重要公告,一是全资子公司沛顿科技(深圳)有限公司联合大基金二期等设立沛顿存储;二是拟非公开发行募资不超过17.1亿元,投入沛顿存储的存储先进封测与模组制造项目。
根据外投资公告,深科技全资子公司沛顿科技与大基金二期、合肥经开投创以及关联方中电聚芯于2020年10月16日签署了《投资协议》,拟共同出资设立合肥沛顿存储科技有限公司,作为存储先进封测与模组制造项目的实施主体。
根据公告,沛顿存储投资总额30.67亿元,注册资本30.60亿元,其中,沛顿科技、大基金二期、合肥经开投创和中电聚芯分别现金出资17.10亿元、9.50亿元、3亿元和1亿元,并各持有沛顿存储55.88%、31.05%、9.80%和3.27%股权。
根据2020年度非公开发行A股股票预案,深科技此次拟非公开发行股份89,328,225股(含本数),募集资金总额不超过17.1亿元,扣除发行费用后拟将全部用于存储先进封测与模组制造项目。
据披露,存储先进封测与模组制造项目计划总投资30.67亿元,将主要建设包括DRAM存储芯片封测、存储模组、NAND存储芯片封装业务,预计全部达产后月产能分别4800万颗、246万条、320万颗,建设期3年,可实现年产值28.63亿元。主要为客户提供存储芯片封测和模组制造产能,项目建设周期3年,可实现年产值28.63亿元。
深科技表示,本次非公开发行募集的资金将全部用于“存储先进封测与模组制造项目”,为客户提供存储芯片封测和模组制造产能。本项目实施后,可满足客户较大需求的DRAM、Flash存储芯片封测以及DRAM内存模组制造业务,有助于国内存储器芯片封测的深度国产化。本次募投项目实施后的新增产能加上公司现有产能,将为存储器芯片国产化提供保障。
11. 利扬芯片拟公开发行3410万股并于科创板上市
10月22日,广东利扬芯片测试股份有限公司披露的招股意向书显示,该公司拟首次公开发行股票3410万股(占发行后总股本的比例为25%)并于科创板上市,本次公开发行后公司总股本不超过13640万股。本次发行初步询价日期为2020年10月27日,申购日期为2020年10月30日。
另外,招股意向书显示本次发行仅为发行人公开发行新股,发行人股东不公开发售其所持股份,即本次发行不设老股转让。
2017年至2019年,利扬芯片分别实现营业收入1.29亿元、1.38亿元、2.32亿元;分别实现净利润1946.30万元、1592.71万元、6083.79万元。
据悉,利扬芯片是国内知名的独立第三方集成电路测试服务商,产品主要应用于通讯、计算机、消费电子、汽车电子及工控等领域,工艺涵盖8nm、16nm、28nm等先进制程。
12. 山东有研“集成电路用大尺寸硅材料规模化生产项目”通线量产
10月16日,山东有研半导体材料有限公司“集成电路用大尺寸硅材料规模化生产项目”量产通线仪式在德州举行。
该项目由北京有研院与山东德州市政府于2018年6月签约,2018年7月正式落户德州经开区,2019年3月动工,总投资80亿元。一期投资18亿元,规划建设8英寸硅片276万片/年、6英寸硅片180万片/年;300吨12-18英寸大直径硅单晶生产线。二期建设12英寸集成电路用大硅片,预期在2021年开工建设
作为省级重点“头号”项目,从2018年7月26日项目签约,到山东省首根半导体级8英寸直拉单晶硅棒拉制成功,再到德州8英寸集成电路用硅片通线量产,仅仅用了两年多时间。
据悉,二期年产360万片12英寸硅片项目计划明年开工建设,建成投产后,将成为我国北方最大的半导体材料生产基地,可有效辐射北京、天津、无锡、石家庄等我国重要电子信息产业基地。
13. SK海力士宣布收购英特尔闪存业务
10月20日,SK海力士在官网宣布,将收购英特尔的SSD、NAND flash、晶圆业务以及其于中国大连的产线,总价值大约10.3万亿韩元(约合90亿美元)。此次交易后,将使SK海力士市占超越日商铠侠,跃居存储器第二的位置。
英特尔表示,被剥离的因为为非核心业务,交易将有助于其解决芯片技术困境,其特有的傲腾TM业务部门将被保留。对英特尔来说,剥离非核心业务将有助于其解决芯片技术困境。
两家公司表示,将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后,SK hynix将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务(包括NAND SSD相关知识产权和员工)以及大连工厂。此后,预计在2025年3月份最终交割时,SK hynix将支付20亿美元余款从英特尔收购其余相关资产,包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工。
根据协议,英特尔将继续在大连闪存制造工厂制造NAND晶圆,并保留制造和设计NAND闪存晶圆相关的知识产权(IP),直至最终交割日。
SK海力士表示将依规定向中、美、韩等国家政府机关申请许可,预计在2021年年底前完成收购。
14. 联电晋华案双方有望以6000万美元和解
据台媒报道,晶圆代工大厂联电之前被美国司法部诉讼协助晋华窃取美光的DRAM制造技术一案,双方有望以6000万美元进行和解,目前方案尚待法院核准。
联电10月22日发布公告称,联电向美国司法部提出和解解决方案,以期在最短时间内结束本案。联电提出的建议量刑状书包含:请求法院处以轻便的罪名,以及原被告双方协商的罚金美金6000万美元。解决方案尚待法院批准。
盗窃知识产权和窃取商业机密如果被判事实成立,向来都会面临最严厉的处罚。如今协商到仅营业秘密刑事案件,罚金6千万美元,比之前预期的结果好很多。
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