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华瑞微半导体IDM芯片项目由南京华瑞微集成电路有限公司总投资30亿元建设

电子工程师 来源:世界半导体论坛 作者:世界半导体论坛 2020-11-05 09:43 次阅读

近日, 安徽滁州南谯区举行10月份重大项目集中开工暨华瑞微半导体IDM芯片项目奠基仪式。

据南谯区政府信息,华瑞微半导体IDM芯片项目由南京华瑞微集成电路有限公司总投资30亿元建设,是浦口—南谯合作产业园区首个落户项目。这也使得南京浦口与滁州南谯产业合作进一步加强。

据滁州网此前报道,该项目主要经营半导体功率器件的研发及生产制造,项目一期总投资10亿元,用地100亩,建设周期3年,建设6英寸功率器件晶圆生产线,全部达产后预计年销售达到10亿元。

此次落户,是南谯经开区面向“长三角”招商的重要突破,是南谯经开区与南京江北新区达成战略合作协议后取得的积极成果。

资料显示,南京华瑞微集成电路有限公司成立于2018年5月,是一家集功率器件产品研发、生产、销售和服务于一体的高新技术企业。华瑞微已经研发成功且量产的产品包括高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS和SGT MOS,同时正在开展第三代半导体(SiC、GaN)功率器件的研发工作。

责任编辑:lq

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原文标题:30亿元,又一个半导体IDM项目开工

文章出处:【微信号:icdaily,微信公众号:icdaily】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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