编者按: 全球电子供应链的波动十分微妙, 据最新外媒消息,台积电可能已经被批准可以向华为继续供货了,但是严格控制供货条件。台积电获得许可是 28nm 等成熟的工艺,不包括 16nm、10nm、7nm、5nm 这些先进的制程工艺。11月6日,英飞凌在第三届中国国际进口博览会上宣布,将新增在华投资,扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线。无锡工厂扩产后,将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。
11月7日消息,据外媒消息称,台积电可能已经被批准可以向华为继续供货了,不过这有个情况,那就是供货的货源是被严格限制的,并不是恢复了所有。
报道中提到,台积电获得许可是 28nm 等成熟的工艺,不包括 16nm、10nm、7nm、5nm 这些先进的制程工艺,这也就意味着台积电依旧不能为华为代工最新的麒麟 9000 处理器,这一处理器采用的是台积电目前最先进的 5nm 工艺。
另外,像麒麟990、麒麟990 5G等7nm工艺芯片,台积电也是不允许生产的。
对于这个情况,有行业人士表示,如果台积电目前只是被允许上述条件跟华为供货的话,那么对华为手机业务并没有太多的意义。
之前有消息称,在禁令开始前,华为已低调囤积了数月的 5G 基站核心芯片,至少到 2021 年都确保可用。
据靠近台积电的知情人士爆料,台积电自 2019 年底起开始扩大华为 5G 基站核心通讯芯片天罡的生产。在9月禁令生效前,台积电应华为要求共交付 200 多万颗 7 nm 天罡芯片。订单规模之大,一度让台积电高层质疑是否低估了 5G 的全球需求。
知情人士称,华为已告知三大运营商,其零部件仍可支持 2021 年及以后的基站建设。华为方面至少从去年年底就已经开始交付未使用美国技术的 5G 基站。
英飞凌宣布最新在华投资计划
11月6日,英飞凌在第三届中国国际进口博览会上宣布,将新增在华投资,扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线。无锡工厂扩产后,将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。英飞凌将以更丰富的IGBT产品线,满足快速增长的可再生能源、新能源汽车等领域的应用需求。
IHS Markit的统计数据显示,英飞凌是全球排名第一的IGBT供应商。IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品。产品具有高频率、高电压、大电流、易于开关等优良性能,是能源转换和传输的核心器件,被业界誉为功率变流装置的“CPU”。IGBT可广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源、交流变频、风力发电、电机传动、汽车等强电控制产业领域。
建成后的新生产制造中心将生产用于电动汽车的HybridPACK™双面冷却模块,用于工业电机驱动、光伏及储能等众多工业应用的Easy 1/2模块和 1B/2B模块,用于家电和工业等领域的CIPOS™ Mini智能功率模块 (IPM)等功率模块器件。其中,HybridPACK™双面冷却模块是英飞凌全新的IGBT产品,可应用于混合动力及电动汽车的主逆变器和充放电。目前该模块已成功用于全球多款插电式混动、电动汽车中。
英飞凌科技首席运营官Jochen Hanebeck表示:“中国在英飞凌的全球业务中占有重要的战略地位。无锡工厂的升级扩能,不仅能进一步提升我们在中国的产能,而且还将帮助英飞凌巩固其在全球IGBT业务发展中的领导地位。”
英飞凌科技大中华区总裁苏华博士说:“我们非常高兴能够在进博会上,与无锡市政府一起启动英飞凌无锡IGBT生产项目。英飞凌在中国的成功发展,得益于中国持续良好的营商环境。今年也是英飞凌连续第三年参与进博会。正如习近平主席在进博会的主旨演讲中所强调的,中国将坚定不移全面扩大开放。英飞凌也将凭借创新的产品和服务,与我们在中国的合作伙伴一起,打造一个更加‘便利、安全和环保的世界’。”
本文资料来自腾讯科技和英飞凌官方微信, 本文整理发布。
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