紫光国芯发布GDDR6控制器芯片：12nm工艺 速率可达16Gbps

日前西安紫光国芯宣布推出12nm工艺的GDDR6存储控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP）。紫光国芯之前做过DDR内存芯片，还有就是NAND闪存，推出显存相关的IP芯片还是第一次，而且水准不低。

制程工艺使用的是GF格芯的12nm LP低功耗工艺，做的也是GDDR6存储控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP），可以理解为GDDR6显存的主控芯片。

根据紫光国芯介绍，这个GDDR6 MC/PHY IP包括一个可配置的内存控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0标准，并允许设计工程师生成具有优化延迟和带宽的GDDR6控制器以满足高性能应用的要求，如显卡，游戏机和AI计算等。

该IP针对功耗和性能进行了优化设计，西安紫光国芯的GDDR6物理接口（PHY）提供了高达12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的数据速率，同时兼容JEDEC250和DFI3.1标准。

物理接口（PHY）部分还嵌入了高性能锁相环以满足严格的时序规范。

与主流GDDR6存储颗粒集成，经过流片测试验证，该IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据率时满足设计规格要求。且当数据率为16Gbps时，平均每个DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。

目前，紫光国芯的GDDR6 MC/PHY IP已经在格芯的12LP工艺平台上架。

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