芯片巨头美光宣布向客户交付176层闪存

芯片巨头“美光”11月10日正式宣布，将向客户交付176层TLC NAND闪存。

这使得“美光”成为全球第一家量产176层TLC NAND闪存的芯片商。

176层NAND支持的接口速度为 1600MT / s，高于其96层和128层闪存的 1200MT/s。与 96L NAND相比，读（写）延迟提高了35% 以上，与128LNAND 相比，提高了25%以上。美光表示其176层3D NAND已开始批量生产，已经搭载在某些英睿达的消费级SSD产品中。

美光表示，新的176层NAND的厚度仅为一张打印纸的五分之一，尽管其堆叠层数已经达到了原来的64层NAND的两倍，但厚度仍可以控制在和以前64层NAND颗粒同样的水平。176层设计来自将两个88层堆栈堆叠在一起，之前的128层和96层TLC其实就是这种技术的产物。由于仍然是TLC NAND颗粒而不是QLC，因此新的产品理论上也会有更好的耐久性。

美光还表示，公司的176层NAND具有里程碑式的意义：一方面，目前该技术达到的颗粒密度已经是早期3D NAND设计的近10倍，意味着同体积的NAND颗粒可以存储更多的东西；其次，对于价格的影响，闪存颗粒在密度上的提升最终会作用到产品的售价上，虽然这两年的存储市场不能算很太平，但总体上，价格还是在逐渐慢降低。

原文标题：芯片大突破

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责任编辑：haq