(电子发烧友网报道 文/章鹰)近日,著名调研机构Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半导体报告》显示,在混合动力及电动汽车、电源和光伏逆变器需求的拉动下,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的新兴市场预计在 2021 年突破 10 亿美元。
氮化镓是一种宽能隙半导体材料,相较于传统的硅基半导体,氮化镓能够提供显著的优势来支援功率应用,这些优势包括在更高功率获取更大的节能效益,以致寄生功耗大幅度降低;氮化镓技术也容许更多精简元件的设计以支援更小的尺寸外观。此外,,相校于硅基元件,氮化镓元件切换速度增快达10倍,同时可以在更高的温度下运作,这些强大的材料特性让氮化镓广泛适用于具备100伏与600伏两种电压范畴之持续成长的汽车、工业、电信、以及特定消费性电子应用产品。
11月10日,在线上发布会上,德州仪器高压电源应用产品业务部氮化镓功率器件产品线经理Steve Tom,宣布TI发布其首款集成了驱动器、保护和有源电源管理功能的汽车级GaN FET,新产品是TI针对氮化镓产品的战略性投资,这些新产品的创新点体现在哪些方面?
碳化硅新品的优势
在电源管理领域,Steve Tom认为,TI可以在五个最具有挑战的前沿领域提供解决方案:包括功率密度、低EMI、低静态电流、低噪声高精确度和隔离。
在汽车、工业领域、消费领域,电源管理无处不在,传统解决方案中,工程师通常要在低成本、高可靠性、小体积以及优秀系统性方面有所取舍。得益于GaN的优质特性,TI GaN可以改变这种情况。
TI对GaN采取的硅基氮化镓,我们将驱动集成在了硅基层上,可以提供更可靠、更具成本优势、更加实用的GaN解决方案。
得益于TI GaN集成的优势,功率密度增加到非常大,能够提供大于150 V /ns和大于2.2 MHz的业界更快切换速度。高压摆率和高切换速度能够将电路中的磁元件减少的更小,通过集成可以将功率磁元件体积减少59%,以及减少十多个组件需求。
集成的驱动就像芯片的大脑一样,可以给我们一些额外的功能。比如TI的智能死区自适应功能,就可以减少设备在死区的时间,从而将PFC中第三项象限损耗降低了66%。
封装技术也十分重要,TI GaN新品采用极具创新性的12×12 QFN封装。对比其他水平接近的友商来说,这家公司提供的技术能够减少23%的热阻抗。另外,集成驱动让我们可以控制可靠性、成本、以及产品的质量。
Steve Tom重点介绍两款新品:LMG3525R030-Q1和LMG3425R030。LMG3525R030-Q1是650-V汽车GaN FET,具有集成驱动器和保护功能。
对于转换器来说,通过使用GaN可以提升汽车的充电速度及驾驶里程。此外,车载充电器可以得到更高的效率和更轻的重量。我们两款新品:LMG3525R030-Q1,650V汽车GaN FET,具有集成驱动器和保护功能,对于转换器来说,使得充电器得到更高效率,更轻盈的重量。
与现有的硅基产品对比,可将电动汽车车载充电器尺寸减少50%,快速切换,2.2MHz集成。这款产品面向未来,预测为车载充电器带来更小空间,更强的可靠性,为汽车解决方案提供更大的优势。
我们可以提供评估板,和客户要求的资料。这块评估板用了两块LMG3525 30mΩ GaN FET并在半桥中配置了所有必需的偏置电路和逻辑/功率电平转换功能。还有一点非常重要的是,这块评估板可以转换高达5000瓦的功率。
LMG3425R030针对工业方面的。从图中可以看到,充电桩应用可以使用这款工业级产品。这款元器件的优势在于功率密度的加倍,并能实现99%的效率,在类似于图腾柱PFC中可以做广泛的应用。
这款LMG3425可以在工业中具有非常广泛的应用。比如在5G、电信、服务器等方面,电源的AC/DC转换中可以有非常广泛的应用。通常在传统的应用中,在非常高的效率、功率密度以及非常低的成本中必须要有所取舍。但是,GaN可以达到99%的效率,同时也可以在成本方面非常具有竞争力。
这款产品同样推出了评估板,集成了两个FET在一个半桥模式下,这款产品是从底部进行冷却,可获取高达4000瓦的效率。这款产品同样配置有插座式外部连接,可轻松与外部功率级连接,可以非常方便的设计在现有的产品中。
TI为何会选择硅基氮化镓?Steve Tom的解释是:“选择硅基氮化镓是集成了驱动,我们的驱动是基于硅的,使得TI可以更好的集成,硅基氮化镓可以使得成本更低,使消费者拿到成本更加低廉的产品。TI对于硅可以进行大规模的生产,我们选择了硅基氮化镓,一是可以降低成本,二是可以进行非常大规模和可靠的生产。”
TI 在汽车设计领域的四大战略投资
TI对于汽车设计具有非常全面的战略性投资,可以在下面4个领域看到。包括先进驾驶辅助系统(ADAS)、信息娱乐系统、混合动力、电动和动力总成系统,车身电子元件和照明。
汽车需要非常多层级的电源转化,除了车载充电器外,GaN可以被应用在高压的DC/DC的转化方面。据悉,TI的GaN晶体管被采用,用于电信、服务器、电机驱动器、笔记本电脑适配器和电动汽车的板载充电器等各种应用。
-
ti
+关注
关注
112文章
7960浏览量
212083 -
adas
+关注
关注
309文章
2165浏览量
208501 -
功率密度
+关注
关注
0文章
89浏览量
16885
发布评论请先 登录
相关推荐
评论