三星在奥斯汀的新厂已确认将生产非内存半导体和系统LSI
钜亨网援引韩媒报道称，为如期在2022 年量产 3 纳米芯片，三星将在美国德州奥斯汀的半导体子公司启动EUV专用系统 LSI 新厂投资计划。据悉，此项投资高达 100 亿美元，月产能约 7 万片。
韩媒infostockdaily报道，相关行业人士表示，三星在奥斯汀的新厂已确认将生产非内存半导体 （Non-memory Semiconductor） 和系统 LSI。
此前业界就已传出，三星电子正计划在韩国华城、平泽以及美国德州奥斯汀等地建立 EUV 生产体系，作为 7 纳米以下芯片的生产基地。
同时根据韩媒披露，三星副会长李在镕上个月亲访荷兰ASML总部，实地了解了EUV 设备生产情况，并希望提前交付预定的 EUV 生产设备。
不过韩媒在最新的报道中，并未提到三星目前美国工厂的进展，包括是否已经通过美国政府的审查或已进入最终阶段。
责任编辑:tzh
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
334文章
27305浏览量
218172 -
三星电子
+关注
关注
34文章
15860浏览量
180995 -
EUV
+关注
关注
8文章
606浏览量
86008
发布评论请先 登录
相关推荐
三星电子计划新建封装工厂，扩产HBM内存
三星电子计划在韩国天安市新建一座半导体封装工厂，以扩大HBM内存等产品的后端产能。该工厂将依托现有封装设施，进一步提升三星电子
三星扩建半导体封装工厂，专注HBM内存生产
近日，三星电子计划在韩国忠清南道天安市的现有封装设施基础上，再建一座半导体封装工厂，专注于HBM(High Bandwidth Memory，高带宽存储器)等内存产品的生产。据悉，
三星确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资
据韩国媒体最新报道，三星电子已正式确认在平泽P4工厂投资建设先进的1c nm DRAM内存产线，并预计该产线将于明年6月正式投入运营。这一举
三星电机宣布与AMD合作实施一项将多个半导体芯片集成到单个基板上的技术
Grid Array)的供应合同，并已进入大规模生产。 据业内消息，该产品将在三星电机的釜山工厂和越南新工厂生产。 越南工厂是三星电机自2021年起投入超过1万亿韩元建设的FC-BG
三星芯片复兴之路：半导体业务飙升与HBM挑战并存
在科技行业的浩瀚星空中，三星电子无疑是一颗璀璨的星辰。近期，这家科技巨头凭借其半导体业务的显著改善，实现了利润的飙升，再次向世人展示了其强大的市场影响力和技术实力。然而，在光鲜亮丽的背
三星调整战略重心：汽车半导体项目放缓，聚焦AI芯片开发
据韩国媒体最新报道，三星电子正经历一场深刻的业务与组织重组，其系统LSI部门——这一负责芯片设计的核心部门，正逐步调整其战略方向。报道指出，三星电子已决定将未来的研发重心从汽车
三星已开始使用AI技术设计半导体
近日，业内传出消息，三星电子系统LSI部门成功完成了针对系统半导体“核心”设计的AI EDA（电子设计自动化）解决方案。这一创新技术标志着
三星Galaxy S25 Ultra 内存将升级至16GB
据报道，三星Galaxy S24 Ultra已现身市场，其存储版本分别有256GB、512GB及1TB三款，但内存皆为12GB。然而，最新传闻称三星
受困于良率？三星否认HBM芯片生产采用MR-MUF工艺
电子发烧友网报道（文/黄晶晶）据报道，三星电子在半导体制造领域再次迈出重要步伐，计划增加“MUF”芯片制造技术，用于生产HBM（高带宽内存
三星半导体冻薪！
来源：EETOP，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 根据韩国朝鲜日报报道，2023 年遭遇创业以来最大亏损的三星电子半导体业务部门高层决定，在2024 年将冻结薪资调整。 报道指出，日
传三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备
数据显示，首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力，并启动大规模HBM设备采购；此外，
三星半导体将接管Micro LED微型显示器项目开发
根据最新的韩国媒体报道，三星电子已经做出重大决策，将对公司的显示部门和半导体部门进行大规模的重组和任务调整。
工商网监
评论