UnitedSiC基于第四代SiC FET技术的器件推出，性能取得突破性发展

作为第三代半导体，SiC凭借着多方面更优异的性能正在向更多应用领域扩展，但不容回避，成本、易用性方面，传统的SiC器件在某些方面仍然稍逊于硅器件，这也让碳化硅器件取代硅器件的发展之路面临挑战。

日前，领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司，推出了基于其第四代SiC FET先进技术平台的四款器件。该产品的性能取得了突破性发展，很好地解决了易用性、成本这个工程师面临的最大挑战，旨在加速碳化硅这种宽带隙器件在汽车充电、工业充电、电信整流器、数据中心PFC直流转换、可再生能源和储能应用中的广泛应用。

作为目前市场上首批750V SiC FET，UnitedSiC公司这四款第四代器件基于领先的品质因数（FoM）实现了新的性能水平，从而使汽车、工业充电、电信整流器、数据中心功率因数校正（PFC）和 DC-DC转换以及可再生能源和储能领域的电源应用都能够从中受益。

这四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ两种方案，具有出色的FoM，并且其单位面积通态电阻更低，本征电容也很低。在硬开关应用中，第四代FET实现了极低的RDS（on）×EOSS（mΩ·μJ），因此其导通损耗和关断损耗都得到降低。在软开关应用中，其低RDS（on）×Coss（tr）（mΩ·nF）规格则可实现更低的传导损耗和更高的频率。这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能（无论是在25℃低温还是125℃高温下工作），而且还提供了极低的体二极管VF，并具有出色的反向恢复特性，从而降低了死区损耗并提高了效率。

UnitedSiC公司FAE经理Richard Chen表示，目前市场上同类的SiC MOSFET 电压一般为650V，或650V以下，对于电动汽车等领域要求的400/500V总线电压应用，750V的碳化硅MOSFET能为设计人员提供更多的裕量并减少其设计约束。

另外，市场上已有的SiC MOSFET对驱动电压的要求也有别于以前的硅器件，这让工程师在从原来的硅器件转向碳化硅FET时，不得不去重新设计，以便采用新的驱动电路。

Richard Chen告诉21ic电子网记者，UnitedSiC的第四代SiC FET的所有器件都可以用0至+12V栅极电压驱动，与之前的硅器件完全一样，因此，工程师可以将它们与现有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器一起使用，大大简化了他们的设计工作。

UnitedSiC公司负责亚太区销售的VP Liu Luwei告诉21ic电子网记者，虽然是成立不久的新公司，但UnitedSiC公司的业务发展迅猛，年增长率高达20-30%的双位数，远高于硅器件的平均年增长率。

从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器，这些领域都是UnitedSiC的应用领域。Liu Luwei透露，在效率和性能要求更高、同时成本不敏感的应用上，例如：车载、快充领域，SiC MOSFET正在逐渐取代硅器件。

Liu Luwei表示，早在2016年，UnitedSiC就开始与中国的客户合作，合作项目覆盖了几乎所有领域，包括电动汽车的OBC、DC/DC，驱动，快速充电桩，电信电源，服务器电源，太阳能，储能以及高压断路器。

为了更好的为国内用户提供全方面的支持，很快的， UnitedSiC将会在深圳成立应用实验室，进一步优化对客户的支持。

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