比利时imec的“Advanced RF”计划是一项竞争前的研究计划,旨在为5G以上和100GHz以上的设备,系统和网络创建路线图。
该计划将研究使用由化合物和CMOS半导体制成的混合IC,以在100GHz以上的载频上实现非常高的带宽和能效。imec将寻求多个合作伙伴资助和参与这项工作,并共同制作原型,以展示各种电路和系统的潜力。它已经是EU Taranto项目的一部分,该项目生产了紧凑的140GHz无线电模块,该模块可实现高达80 Gbit / s的单链路数据速率。
“还有6G上的确切特性和性能规格一些讨论,因为实际的标准化工作尚未开始,” IMEC的的连通域副总裁 MichaelPeeters在 R&d活动的一份声明中说。“不过,显而易见的是,下一代无线网络将大大超过上一代。预计的功能包括100 Gbit / s的单链路吞吐量,微秒级延迟和显着更高的能源效率——不到1纳焦/位。”
“我们认为,这对于实现诸如人工智能(AI)等自动驾驶系统之间的联合学习这样的概念至关重要,其他用例包括在人口稠密的城市中心部署超高速,超可靠的移动热点,沉浸式增强现实(AR)应用程序和全息技术得到了支持。”
硅目前缺乏以期望的速率和能量效率进行传输的能力,因此需要添加化合物半导体电路。
“新的III-V材料(例如磷化铟(InP))可能提供了一种出路,但尚未将其集成到硅平台上。因此,我们将专门研究III-V / CMOS混合方法。我们将研究如何将III-V材料与CMOS技术异构结合,这些材料在可靠性方面如何发挥作用,起作用的降解机制如何,等等。在这些见解的基础上,我们旨在创建高效,低成本的移动设备技术。-有效地在100GHz甚至更高的频率下运行。
同样,对于高比特率接口的当前默认选择——正交频域复用(OFDM),可能不再是在100GHz以上运行的6G系统的正确选择。更高频率的更多定向波束可以更加积极地利用空间复用。可能需要网格划分以及数据和控制的更大分离。
“人们普遍认为,未来的移动网络将必须在100GHz以上的频率下运行,才能提供100 Gbit / s或更高的数据速率。但是,到目前为止,尚缺乏清晰,成熟的基础技术开发途径,” imec首席执行官Luc Van den hove说,“通过我们的Advanced RF计划,我们的目标是将影响力扩展到超出我们在半导体领域的先驱角色,提供有关整个连接生态系统的见识和技术,不仅涉及启用6G的方面,而且还适用于下一代Wi- Fi通讯”。
责任编辑:tzh
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