据报道,市调机构Yole Developpement的报告显示,虽然存储市场具有季节和周期性波动的特性,但全球NAND存储市场规模仍会呈增长态势,预计2019-2025年该市场规模年复合增长率为11%,将从2019年的440亿美元增长至2025年的810亿美元。
与此同时,3D NAND存储晶圆制造设备市场规模也会同步增长,据Yole预估,该市场规模将会由2019的102亿美元增长至2025年的175亿美元,年复合增长率达到9%。
就设备厂商而言,阿斯麦(ASML)、应材(Applied Materials)、东京威力科创(Tokyo Electron)和科林研发(Lam Research)为前四大3D NAND存储晶圆制造设备厂商,合计共占70%以上市场。
其中ASML为微影设备领域领导厂商。科林研发除了是蚀刻设备领导者外,也在积极拓展化学气相沉积(CVD)与原子层沉积(ALD)设备市场。目前科林研发、应材、东京威力科创在CVD、ALD、物理气相沉积(PVD),以及蚀刻设备等市场中竞争激烈。
另外,该报道指出,虽然各存储制造厂商在提高3D NAND层数和整体晶粒储存密度上会有各自不同策略,但大致可区分为串堆叠(string stacking)、储存单元架构(cell architecture),与逻辑电路设计等3个重点范畴。
责任编辑:pj
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