2020年存储行业十大事件：全球格局生变、价格跌宕起伏、国产芯片承压突围！

电子发烧友网报道（文/李弯弯）2020年已接近尾声，这一年对于存储行业来说是不同寻常的一年。首先，价格涨跌出乎寻常，年初DRAM、NAND因为疫情原因产能供应不足，价格大涨，行业预计今年全年存储都将处于持续上涨的趋势，然而第二季度开始存储价格开始下跌，9月因为华为禁令更是引起NAND、DRAM价格暴跌，不过市场预计随着数据中心建设加速，明年存储价格将有望回调。

其次，SK海力士发起收购英特尔NAND闪存业务，足以颠覆全球NAND市场的竞争格局。再者值得重点关注的是，今年对于国产存储行业来说，可谓是飞速发展的一年，长江存储推出128 3D NAND，进入国际主流水平，越来越多固态硬盘厂商纷纷推出基于长江存储64层3D NAND的国产SSD产品，长鑫存储DDR4量产，多家内存条厂商推出基于长鑫内存颗粒的内存条，国内多家NOR Flash厂商推出并量产50nm/48nm的产品，进入新一代工艺水平。

一、存储芯片价格年初上涨，后持续下跌

今年年初，存储价格长势明显，据3月11日报道，据渠道商透露，三星等多家主要供应商已经通知下季度DRAM、NAND Flash合约价，涨幅都达双位数。

涨价的原因主要有，一是中国内地主要大厂停工、出货不顺，而渠道商库存降低；二是疫情冲击全球经济，存储器市场受惠于疫情带动宅经济大好，网购、电商、线上游戏、电竞游戏逆势成长，第一季度三大存储器需求仍强，其中，因数据中心扩大服务器建置，推升服务器用DRAM和NAND Flash需求更为强劲。

当时行纷纷预测下半年DRAM市场供给将短缺，并推升价格上涨，NAND Flash下半年供应会更紧张。不过据6月份报道，存储芯片总体的平均销售价格，在二季度已出现了下滑的趋势，现货市场的价格也有下滑，今年10月份，DRAM 和 NAND 价格继续遭遇集体暴跌，分析师认为，这是由于美国对华为的制裁所致，加剧了存储芯片市场价格的下跌。

Trend Force分析师认为，NAND 是受华为影响相对较小的市场，由于市场对 5G 网络的需求增加，以及通信网络产品的销售增长，NAND 价格并未出现大幅下降的现象。此外预计明年上半年内存市场将出现反弹，由于主要数据中心公司的投资有所增加，明年对 DRAM 的需求预计将增长 20%。

同时NOR Flash也喊涨价，明年上半年涨幅或达5-10%，随着 TWS 耳机出货放量，智能手机导入 OLED 面板，今年以来 NOR Flash 需求大增，但内存厂仍未开出新产能，第三季就已供给吃紧，到了第四季时已有业者涨价，反映供需吃紧的状态。

外资近期报告指出，明年上半年单季涨幅都达 5%，不过业者透露，涨幅预计超过此幅度，甚至上看10%。据悉，华邦电子本季 NOR Flash 已涨价 7-9%，明年上半年价格持续看涨，而旺宏则指出，明年上半年价格仍未谈妥，对于市场热议明年上半年价格走势正向看待。

二、SK海力士将以90亿美元收购英特尔旗下NAND闪存芯片业务

2020年10月20日消息，SK海力士和英特尔已经达成协议，前者将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务，具体包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务，以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。

两家公司将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可，之后SK海力士将首先支付70亿美元获得英特尔的NAND SSD业务（包括NANDSSD相关知识产权和员工）以及大连工厂，预计到2025年3月，SK海力士最终支付20亿美元收购其余相关资产，包括NAND闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及大连工厂的员工。

本次收购之前，整个NAND 市场基本由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士以及英特尔六家厂商主导，其中三星、铠侠、西部数据的市场占比依次是32%、18%、15%，美光、SK海力士以及英特尔分别占11%，可见SK海力士排名第三，英特尔排名第六。

如果SK海力士完成对英特尔NAND业务的收购，即全球第三的NAND厂商收购了排名第六的厂商的NAND业务，可见收购完成之后全球NAND业务基本掌握在五家厂商手中，同时SK海力士能否很好的融合英特尔的NAND业务还是未知数，而长江存储等新进入者正在强势崛起，可见整个NAND市场的竞争格局将会发生很大变化。

三、长江存储推出 128 层 QLC 闪存，业界领先

2020年4月13日消息，长江存储宣布128层QLC 3D NAND 闪存研发成功，并已经在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证，该公司此次共发布两款产能品，一款是128层QLC规格的3D NAND闪存X2-6070，一款是128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片X2-9060。

值得一提的是，128层QLC规格的3D NAND闪存是业界首款，当前各大厂商推出的QLC规格基本是在96层。长江存储128层NAND闪存最晚将于明年上半年开始量产，未来将在满产时配合10万片月产能，将在平衡全球供应上发挥关键作用。

目前128层3D NAND是国际主流水平，三星、东芝、美光等都在2019年发布了128层3D NAND产品，而长江存储用短短3年时间便实现了从32层到64层再到128层的跨越，长江存储此次重点推出的128层QLC更直接参与国际竞争。

此外需要注意的是，除了已经量产的128层3D NAND，英特尔预计将在今年年底实现更高层数144层产品的量产，三星正在开发176层第七代V-NAND，计划明年4月实现量产，SK 海力士也正在进行176层3D NAND的研发，未来长江存储也还是还需要继续加快进度。

四、长江存储64 层3D NAND量产，获多家存储主控芯片支持及SSD厂商采用

长江存储2019年9月正式对外宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。长江存储副总裁杨道虹今年年初表示，公司当前的任务是如期达成月产能10万片，在二期项目中达到30万片/月产能。

随着长江存储64层3D NAND量产，得一微、群联、慧容等主控芯片厂商纷纷表示公司主控支持长江存储64层3D NAND，同时朗科、光威、台电、国科微等固态硬盘厂商也陆续推出并开卖基于长江存储64层3D NAND颗粒的纯国产SSD产品，并且长江存储还推出了自己的固态硬盘产品。

2020年9月，朗科在京东上线了朗系列S520S固态硬盘，采用基于Xtacking架构创新研发的长江存储64层TLC 3D NAND原厂颗粒，主控为得一微电子的SATA固态硬盘主控芯片YS9082HC。

2020年5月，光威推出了SATA 6Gbps SSD光威弈Pro系列，搭载长江存储量产的64层堆叠3D TLC闪存颗粒，采用自研领先的Xtacking架构，相比传统架构存储密度提升5倍，数据传输率翻番达到800Mbps，编程/擦写循环可达3000次，容量可选240GB、256GB、512GB。主控芯片是联芸科技的MSA090X系列，采用SRAM融合Smart Cache架构设计。

2020年11月18日，台电科技联合长江存储，发布台电纯国产化固态硬盘腾龙系列DS10，该SSD采用长江存储全新一代64层TLC闪存颗粒。作为一款纯国产化系列固态硬盘，台电腾龙系列DS10搭载了同样来自国产厂商的联芸科技专业级SATA主控MAS0902A。读写性能达到强劲的550MB/s和520MB/s，媲美国际主流产品性能。

2020年5月14日，国科微与长江存储在湖南长沙正式签署长期供货协议，在签约仪式上，国科微预发布搭载长江存储64层3D NAND颗粒的固态硬盘。4月26日，国科微与长江存储举行“云签约”，批量采购长江存储64层3D NAND颗粒，全年采购金额预计突破亿元。

9月10日，长江存储推出致钛系列两款消费级固态硬盘(SSD)新品，分别为PCIe接口PC005 Active和SATA接口SC001 Active，兼具强劲的性能和可靠的品质。

对于SSD来说，主控芯片与存储颗粒的配合密不可分，据了解，国内知名主控厂商得一微电子全产品线存储控制芯片（PCIe/SATA/eMMC/UFS/ NM/USB/SD）已全面支持长江存储历代NAND Flash颗粒。并且作为钻石级生态合作伙伴，得一微与长江存储于今年8月份正式签署了Xtacking商标使用协议。

闪存控制芯片群联电子很早就开始与长江存储接洽合作，目前群联全系列NAND控制芯片已经全面支持长江存储64层NAND，例如高阶的PCIe SSD控制芯片PS5012、SATA SSD控制芯片PS3112、符合高速移动存储需求的UFS控制芯片PS8318及eMMC控制芯片PS8229、NM Card (NanoMemory Card) 控制芯片PS8229、以及消费应用的SD与USB控制芯片等，均支持长江存储的64层3D NAND，董事长潘健成指出，除了64层3D NAND以外，群联也已经开始安排研发团队着手支持长江存储近期发布的128层3D NAND。

2020年9月，慧荣科技宣布公司全系列主控芯片全面支持长江存储Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层 Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。

慧荣科技身为SSD主控芯片的市场领导者，近10年的NAND Flash主控出货累积超过60亿颗，凭借对NAND市场及技术的深入了解，与长江存储保持紧密合作及技术交流, 并提供完整的主控芯片解决方案, 来提升存储巿场的应用。

近些年来长江存储在3D NAND技术迅速提升, 已成为闪存市场的主要供应厂商之一，今年成功推出128层QLC 3D NAND闪存芯片, 是目前行业内首款单颗 Die 容量 1.33Tb 的 NAND 闪存，可见，在技术的快速升级下，在越来越多的主控和固态硬盘厂商的支持下，长江存储未来的市场竞争力也将迅速提升，国产NAND也将与国际大厂同台竞争。

五、长鑫存储DDR4、LPDDR4x量产开卖，多家厂商推出国产内存条

2020年2月，长鑫存储正式在官网公开列出DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片，全部产品都符合国际通行标准规范，并已开始接受上述产品的技术和销售咨询，据报道，长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求，支持多领域应用、多产品组合，并有充分的可靠性保障，预计到2020年底长鑫存储的内存芯片月产能可达4万片晶圆。

随着长鑫存储内存芯片开卖，威刚、江波龙、七彩虹、金泰克等内存厂商纷纷推出基于长鑫存储内存芯片的国产内存条。

2020年5月，威刚宣布将在中国市场导入长鑫存储的高质量、高效能内存颗粒，包括桌面级U-DIMM、笔记本级SO-DIMM。威刚表示，长鑫存储的8Gb DDR4内存芯片，均以10nm级工艺，经过多次优化，制程工艺已达国际主流水平，并符合JEDEC设计生产规范、RoHS环保标准。

2020年11月23日，江波龙嵌入式存储品牌FORESEE宣布推出3款国产化内存，分别为DDR4 SODIMM 8GB、DDR4 UDIMM 8GB、DDR4 UDIMM 16GB，核心DRAM均采用长鑫存储的颗粒，标志着中国存储开始参与市场竞争。2019年9月，长鑫存储发布与国际主流DRAM产品同步的10nm级第一代8Gb DDR4。目前长鑫存储正使用其 10G1 技术来制造8Gb DDR4 存储器芯片，经过多次迭代和优化，其工艺已进入国际化主流水平，其技术突破和自主制造已达到行业一流。

2020年6月，七彩虹正式推出了自己的国产内存条产品“国创·战戟”系列，采用了合肥长鑫的DDR4内存颗粒，由江波龙代工生产。七彩虹旗下内存产品现在分为四个档次：其中战斧系列是普通入门级的马甲条；国创·战戟系列是面向中低端市场的裸条，全系列标配国产颗粒；CVN系列为高端灯条，支持五大主板平台ARGB同步；iGame系列则是主打玩家定制，定位于旗舰电竞市场。

2020年7月，金泰克推出全新的骁帅系列DDR4内存8GB DDR4-2666，该系列内存采用合肥长鑫存储新一代颗粒，引用真正的国内芯片，据报道，金泰克首批发布DDR4 8GB 2666MHz，后续还会增加DDR4 16GB 2666MHz，DDR4 8GB/16GB 3200MHz系列产品。

六、国内NOR Flash厂商陆续量产50nm产品，进入新一代工艺节点

当前行业主流NOR Flash产品的工艺节点是65nm，其中Cypress和镁光到了45nm，技术节点较为领先，旺宏目前最先进的制程是48nm，华邦58nm，国内兆易创新有少量55nm工艺节点的产品。今年以来，国内多家厂商陆续宣布50nm产品量产，包括武汉新芯、恒烁半导体、博雅科技、东芯半导体，着意味着国内诸多NOR Flash厂商都在进入新一代工艺节点。

2020年5月13日，武汉新芯宣布其采用50nm Floating Gate工艺SPINOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产，产品容量覆盖16Mb到256Mb。武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示，XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nm FloaTIng Gate工艺，在性能和成本方面进一步提高了竞争力。针对快速发展的IoT和5G市场，武汉新芯将持续投入研发自有品牌的闪存产品，不断拓展产品线，为客户带来更多高性价比的产品与解决方案。

2020年5月22日，东芯半导体宣布公司进行自主研发、改良，升级，全新打造出的48nm Serial NOR Flash 产品正式上线，东芯当时表示该48nm NOR Flash 产品已经开始给客户送样测试，预计今年下半年开始量产。东芯总经理陈磊对电子发烧友表示，“在低功耗1.8V的产品规划上，目前公司已经有了从64Mb到256Mb的产品，下一步将会向更高容量的512Mb产品延续，包括1Gb的SPI NOR FLASH。”

2020年4月，恒烁半导体推出了第一款面向物联网应用的 50nm 128Mb 高速低功耗 NOR Flash 存储芯片，恒烁半导体吕向东6月份在接受电子发烧友采访的时候表示，50nm128Mb NOR Flash芯片客户验证已经通过，预计Q3在很多应用市场大量出货。吕向东谈到，128Mb的产品是公司在50nm工艺下量产的第一款产品，今年年底计划推出256Mb、64Mb的产品，明年会将全线产品都切入50nm技术工艺下。

2020年7月31日，上海华力微电子有限公司与珠海博雅科技有限公司共同宣布，博雅科技研发的50nm 256M ETOX NOR Flash于2020年初在上海华力领先流片成功，现已成功量产。该产品是国内首颗50nm 256M NOR Flash，产品性能参数指标和国际一线品牌同类产品相比，达到同一水平甚至更高，其成功量产标志着国内NOR Flash高容量产品正式迈入50nm时代。

七、TWS等可穿戴设备带动NOR Flash市场规模增长

NOR Flash芯片应用领域极其广泛，几乎所有需要存储系统运行数据的电子设备都需要使用NOR Flash。当前在新兴应用的推动下，市场对NOR Flash需求非常旺盛。

以TWS耳机为例，据央视报道， 刚过去的“双十一”购物狂欢节，TWS耳机销量再创新高，苏宁易购深圳大区消费电子公司总经理张维在央视采访中表示，双十一期间，无线蓝牙耳机全渠道销售额同比增长116％，其中AirPods Pro同比增长了360％。

Counterpoint数据显示，2017年、2018年、2019年，TWS耳机出货量增速为118％、130％、183％，呈现飞速发展状态。根据Counterpoint的预测，2020年TWS耳机的出货量有望达2。3亿台。

TWS耳机为了存储更多固件和代码程序，必须外扩一颗串行NOR Flash，一对TWS耳机则需要两颗NOR Flash。随着技术的不断进步，以及相关企业为了保证自家TWS耳机具有较强的市场竞争力，TWS耳机功能将会持续增加，而功能的增加也就意味着NOR Flash容量需求的增多。

八、数据中心等企业级需求将持续带动DRAM、NAND市场增长

今年年初，因为疫情原因，线上教育、线上娱乐、线上办公等需求带动服务器需求大增，三星、美光等存储芯片厂商也因此受益，以美光为例，2020年7月，美光公布截至5月28日的第三季度业绩显示，公司第三季度营业收入为54.4亿美元，同比增长13.6%，高于市场53.1亿美元的预期。

美光致力于销售利润更高的固态硬盘，该公司表示，第三财季硬盘销量创下历史新高，而四分之三的NAND芯片是作为其高附加值产品给公司带来了极大的利润。美光表示，预计到2020年下半年，消费者对智能手机和其他消费电子产品的需求将低于最初的预期，但数据中心需求强劲，因此美光计划将DRAM和闪存芯片的供应从智能手机市场转向数据中心市场。

事实上今年服务器存储芯片用市场需求增长跟年初疫情有关，但是当前5G、云计算、人工智能等快速发展，持续带动服务器需求扩张，根据TrendForce集邦咨询，明年服务器的出货量大概还会持续6%到7%的成长，从DRAM市场来看，数据中心的落实是近年DRAM需求的主要推手，全年占DRAM市场五成以上的消耗量与三成以上的出货量。

九、大基金二期等资本增资存储企业，加速国产化推进

2020年11月11日消息，长鑫存储母公司睿力集成获得149亿元增资，根据出资方兆易创新公告显现，该公司拟出资3亿元与长鑫集成、石溪集电、大基金二期、三重一创等多名投资人签署协议，共同参与睿力集成增资事项，增资完成后，公司持有睿力集成约0.85%股权。

本次增资前，睿力集成的注册资本为189亿元，其中石溪集电持股69.01%，长鑫集成持股30.99%；本次增资后，睿力集成的注册资本将增至337.99亿元，石溪集电和长鑫集成的持股比例分别将降至38.59%和19.72%，大基金二期和兆易创新将各自持股14.08%。

目前长鑫存储是国内唯一量产国产DRAM内存的厂商，成立于2016年，公司专业从事动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，当前长鑫存储已经完成首颗国产 DDR4 内存芯片的量产和销售，并已推出第四代超低功耗双倍速率同步动态随机存储器LPDDR4X及第四代高速模组DDR4模组。

另外大基金二期还出资9.50亿元参与设立沛顿存储，沛顿存储投资总额30.67亿元，注册资本30.60亿元，其中，沛顿科技、大基金二期、合肥经开投创和中电聚芯分别现金出资17.10亿元、9.50亿元、3亿元和1亿元。

沛顿存储是存储先进封测与模组制造项目的主体，该项目将主要建设包括DRAM存储芯片封测、存储模组、NAND存储芯片封装业务，预计全部达产后月产能分别4800万颗、246万条、320万颗，建设期3年，可实现年产值28.63亿元。

可以预见，随着大基金二期等资本陆续投资存储企业，国内存储产业在资本的加持下，将有更多能量继续前进。

十、更高的176层3D NAND，预计明年4月份量产

从全球范围来看，NAND Flash厂商主要有三星、铠侠、美光、英特尔、西部数据、SK海力士，以及中国台湾地区的旺宏、华邦，以及国内的长江存储、兆易创新、东芯半导体、北京君正（收购北京矽成）等。

目前三星、铠侠、美光、英特尔、西部数据、SK海力士、长江存储已经推出或量产3D NAND产品。128层是目前已经量产的最高层数，三星、SK海力士已经实现量产。美光公司在今年二季度财报电话会议中表示，公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND存储器（128层）的量产工作，按计划将于2020 Q3 开始生产，Q4 向客户发货。

另外国产领先NAND Flash厂商长江存储也已于今年4月份发布128层3D NAND产品，并将于今年年底或明年年初量产128层3D NAND。与2D NAND 相比，3D NAND 能够实现更高的容量和性能、更低的功耗和成本，因此提高3D NAND层数，产品的容量和性能将更高。

这也是为什么众多厂商都在积极研发和推出更高层数的3D NAND产品，据了解，英特尔预计将在今年年底实现更高层数144层产品的量产，三星正在开发176层第七代V-NAND，计划明年4月实现量产。

2020年存储行业充斥着诸多变化，2021年可以预见将会有更多挑战和突破。

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