美光桃园晶圆厂突发停电，意味着内存或涨价
DRAM内存的价格这两年起起伏伏，2020年整体上一直在走低，32GB单条内存甚至杀到了600元出头，不过到了明年，很可能又会重新涨上去。
有网友戏言，DRAM内存厂商又该点一把火、停一次电、中一次病毒之类的了。
真是说什么来什么——12月3日，美国存储巨头美光位于台湾桃园的晶圆厂突然遭遇停电！
美光表示，厂区第一时间启动了安全防护机制，确认所有员工安全无虞，但造成的影响正在评估确认中。
至于此次停电事件是否会造成产能损失，并导致内存价格上涨，还要进一步观察，但是存储厂商们屡屡在市场价格偏低的时候遭遇停电、中毒、火灾、水灾等各种意外，实在无法不让“阴谋论”们浮想联翩。
事实上，就在最近才传出各路晶圆厂产能吃紧，纷纷开始涨价的消息，而作为DRAM内存芯片最大代工厂的力积电更是直言，受到5G、AI应用的推动，直到明年下半年，逻辑芯片、DRAM芯片都会缺货到无法想象的地步。
责编AJX
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
DRAM
+关注
关注
40文章
2334浏览量
183981 -
晶圆
+关注
关注
52文章
5003浏览量
128420 -
美光
+关注
关注
5文章
717浏览量
51514
发布评论请先 登录
相关推荐
美光加入16-Hi HBM3E内存竞争
近日，全球DRAM内存巨头之一的美光科技公司宣布，将正式进军16-Hi(即16层堆叠)HBM3E内存市场。目前，美
AFE0064芯片手册中把所有的地引脚都表示为GND，是不是就意味着不分数字地和模拟地呢？
最近在用AFE0064设计一款产品，再画版图的时候遇到了问题，就是AFE0064芯片手册中把所有的地引脚都表示为GND，是不是就意味着不分数字地和模拟地呢？如果后端AD分数字地和模拟地，为了达到更好的性能，GND应该和数字地相连，还是模拟地链接呢？
发表于 01-10 07:06
美光新加坡HBM内存封装工厂破土动工
近日，全球领先的HBM内存制造商之一——美光宣布，其位于新加坡的HBM内存先进封装工厂项目已于当地时间今日正式破土动工。这座工厂预计将于2026年正式投入运营，成为新加坡当地的首家此类
ADS7230有两个电源和两个地，是不是意味着芯片内部模拟部分和数字部分是隔离的？
ADS7230有两个电源和两个地，是不是意味着芯片内部模拟部分和数字部分是隔离的？或者是非隔离，只做电平转换的？忘各位大侠解答，小弟不甚感激！！！
发表于 01-08 08:21
ADS1274没有DRDY信号输出，是否意味着芯片已经损坏？
ADS1274有CLK信号，但是没有DRDY信号输出，是否意味着芯片已经损坏？
芯片工作正常应该一直有DRDY信号输出的，之前芯片一直是正常的，接了个传感器加载测试结果DRDY就没输出了，传感器
发表于 12-31 07:34
在ADS8320的规格书里，Tcsd最大为0ns,请问这是不是意味着Dclock极性只能是空闲为低？
在ADS8320的规格书里，Tcsd最大为0ns,请问这是不是意味着Dclock极性只能是空闲为低？
发表于 11-29 06:47
ADC的数据表给出了±VREF的输入范围，是否意味着可以测量相对于接地的负电压？
我的 ADC 的数据表给出了 ±VREF 的输入范围。这是否意味着我可以测量相对于接地的负电压？
发表于 11-26 08:22
ADS1262浮空测量波动大，是否意味着连接上信号实测波动也会很大？
：
1.这样的测试数据是否具有参考价值？换句话说，浮空测量波动大，是否意味着连接上信号实测波动也会很大？
2.USB转TTL芯片接电脑输出的5V电压是否不够稳定，无法正确反应采集效果？
发表于 11-19 06:17
美光12层堆叠HBM3E 36GB内存启动交付
美光科技近期宣布，其“生产可用”的12层堆叠HBM3E 36GB内存已成功启动交付，标志着AI计算领域的一大飞跃。这款先进内存正陆续送达主要
美光将在西安工厂率先启动LPCAMM和MRDIMM内存模组量产
据最新韩媒报道，全球领先的半导体存储解决方案供应商美光科技已决定在中国西安的工厂率先启动LPCAMM（低功耗客户异步内存模组）和MRDIMM（多排名直接内存访问
DDR5内存面临涨价潮，存储巨头转向HBM生产
近日，存储芯片市场传来重大消息，SK海力士正式通知市场，其DDR5内存产品将涨价15%至20%，这一举动无疑给市场投下了一枚震撼弹。此次涨价的根源在于，SK海力士、美
败诉！美光或赔偿4.45亿美元
来源：满天芯，谢谢 编辑：感知芯视界 Link 美光科技因故意侵权内存子系统供应商Netlist公司的专利而可能面临三倍赔偿。 5月23日，美国德克萨斯州东区地方法院的陪审员裁定，美
美光获得巨额补贴！
。 这笔补贴将支持美光到 2030 年在美国投资 500 亿美元（当前约 3630 亿元人民币），在纽约州克莱建设两座先进 DRAM 内存“超级晶圆厂，并在总部所在地爱达荷州博伊西建设
台湾地震或致美光二季度DRAM内存供应受挫
作为全球 DRAM 市场的领军企业，美光在台湾设有桃园和台中两个主要生产基地。根据 TrendForce 集邦咨询早先发布的报告，地震发生时，桃园产线超过六成的晶圆被毁损。
工商网监
评论