0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

中芯国际EUV光刻机进入“全面开发阶段”

lhl545545 来源:快科技 作者:宪瑞 2020-12-17 09:23 次阅读

日前国内最大的晶圆代工厂中芯国际爆出联席CEO梁孟松离职的消息,今天该公司股价也大跌5.5%,目前市值4250亿元,这件事也引发网络热议。

12月16日晚,上交所也发布关于中芯国际集成电路制造有限公司有关事项的监管工作函,表达了对此事的关注。

中芯国际EUV***进入“全面开发阶段”

今天商务,中芯国际发布说明公告,确认公司已知悉梁孟松博士有条件辞任的意愿。中芯方面表示,公司目前正积极与梁博士核实其真实辞任之意愿,任何本公司最高管理层人事变动,以本公司发布公告为准。

12月15日,中芯国际宣布,前台积电副总蒋尚义获委任为中芯国际董事会副董事长、第二类执行董事及战略委员会成员,其任期自2020年12月15日起至2021年股东周年大会为止。

与此同时,中芯国际联席CEO梁孟松被曝在董事会上提出了辞职!不过,中芯国际董事长周子学并未当场批准。

网上也流传出了梁孟松的声明,称自2017年11月担任中芯国际联席CEO至今已有三年多,几乎从未休假,在其带领的2000多位工程师的尽心竭力的努力下,完成了中芯国际从28nm到7nm工艺的五个世代的技术开发。

据梁孟松透露,目前中芯国际的“28nm、14nm、12nm及N+1等技术均已进入规模量产,7nm技术的开发也已经完成,明年四月就可以马上进入风险量产。

5nm和3nm的最关键、也是最艰巨的8大项技术也已经有序展开, 只待EUV***的到来,就可以进入全面开发阶段”。
责任编辑:pj

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 中芯国际
    +关注

    关注

    27

    文章

    1413

    浏览量

    65244
  • 5nm
    5nm
    +关注

    关注

    1

    文章

    342

    浏览量

    26027
  • EUV光刻机
    +关注

    关注

    2

    文章

    128

    浏览量

    15080
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    光刻机巨头ASML业绩暴雷,芯片迎来新一轮“寒流”?

    电子发烧友网报道(文/黄山明)作为芯片制造过程的核心设备,光刻机决定着芯片工艺的制程。尤其是EUV光刻机已经成为高端芯片(7nm及以下)芯片量产的关键,但目前
    的头像 发表于 10-17 00:13 2601次阅读

    今日看点丨 2011亿元!比亚迪单季营收首次超过特斯拉;三星将于2025年初引进High NA EUV光刻机

    1. 三星将于2025 年初引进High NA EUV 光刻机,加快开发1nm 芯片   据报道,三星电子正准备在2025年初引入其首款High NA EUV(极紫外)
    发表于 10-31 10:56 739次阅读

    ASML拟于2030年推出Hyper-NA EUV光刻机,将芯片密度限制再缩小

    ASML再度宣布新光刻机计划。据报道,ASML预计2030年推出的Hyper-NA极紫外光EUV),将缩小最高电晶体密度芯片的设计限制。 ASML前总裁Martinvan den Brink宣布
    的头像 发表于 06-18 09:57 416次阅读

    俄罗斯首台光刻机问世

    的一部分,目前正在对其进行测试,该设备可确保生产350nm的芯片。什帕克还指出,到2026年将获得130nm的国产光刻机,下一步将是开发90nm光刻机,并继续向下迈进。 此前,俄罗斯曾表示,计划到2026年实现65nm的芯片节点
    的头像 发表于 05-28 15:47 685次阅读

    Rapidus对首代工艺0.33NA EUV解决方案表示满意,未采用高NA EUV光刻机

    在全球四大先进制程代工巨头(包括台积电、三星电子、英特尔以及Rapidus),只有英特尔明确表示将使用High NA EUV光刻机进行大规模生产。
    的头像 发表于 05-27 14:37 573次阅读

    后门!ASML可远程锁光刻机

    来源:国网,谢谢 编辑:感知视界 Link 5月22日消息,据外媒报道,台积电从ASML购买的EUV极紫外光刻机,暗藏后门,可以在必要的时候执行远程锁定! 据《联合早报》报道,荷兰
    的头像 发表于 05-24 09:35 485次阅读

    台积电A16制程采用EUV光刻机,2026年下半年量产

    据台湾业内人士透露,台积电并未为A16制程配备高数值孔径(High-NA)EUV光刻机,而选择利用现有的EUV光刻机进行生产。相较之下,英特尔和三星则计划在此
    的头像 发表于 05-17 17:21 862次阅读

    ASML发货第二台High NA EUV光刻机,已成功印刷10nm线宽图案

    ASML公司近日宣布发货了第二台High NA EUV光刻机,并且已成功印刷出10纳米线宽图案,这一重大突破标志着半导体制造领域的技术革新向前迈进了一大步。
    的头像 发表于 04-29 10:44 749次阅读

    英特尔突破技术壁垒:首台商用High NA EUV光刻机成功组装

    英特尔的研发团队正致力于对这台先进的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻机进行细致的校准工作,以确保其能够顺利融入未来的生产线。
    的头像 发表于 04-22 15:52 850次阅读

    广州增12英寸MEMS芯片量产线搬入光刻机,顺利进入调试投产准备阶段

    据传感器专家网获悉,3月11日,广州增科技有限公司12英寸先进智能传感器及特色工艺晶圆制造量产线项目在广州增城开发区举行光刻机搬入活动,标志着增项目顺利
    的头像 发表于 03-22 18:10 1558次阅读

    光刻机的发展历程及工艺流程

    光刻机经历了5代产品发展,每次改进和创新都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。按照使用光源依次从g-line、i-line发展到KrF、ArF和EUV;按照工作原理依次从接触接近式光刻机
    发表于 03-21 11:31 5588次阅读
    <b class='flag-5'>光刻机</b>的发展历程及工艺流程

    ASML 首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 完成安装

    3 月 13 日消息,光刻机制造商 ASML 宣布其首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 已完成安装,新机型将带来更高的生产效率。 ▲ ASML 在 X 平台上的相关动态
    的头像 发表于 03-14 08:42 494次阅读
    ASML 首台新款 <b class='flag-5'>EUV</b> <b class='flag-5'>光刻机</b> Twinscan NXE:3800E 完成安装

    浅谈不同阶段光刻机工作方式

    在曝光过程,掩模版与涂覆有光刻胶的硅片直接接触。接触式光刻机的缩放比为1:1,分辨率可达到4-5微米。由于掩模和光刻胶膜层反复接触和分离,随着曝光次数的增加,会引起掩模版和
    发表于 03-08 10:42 1112次阅读
    浅谈不同<b class='flag-5'>阶段</b><b class='flag-5'>光刻机</b>工作方式

    光刻胶和光刻机的区别

    光刻胶是一种涂覆在半导体器件表面的特殊液体材料,可以通过光刻机上的模板或掩模来进行曝光。
    的头像 发表于 03-04 17:19 4026次阅读

    光刻机结构及IC制造工艺工作原理

    光刻机是微电子制造的关键设备,广泛应用于集成电路、平面显示器、LED、MEMS等领域。在集成电路制造光刻机被用于制造芯片上的电路图案。
    发表于 01-29 09:37 2463次阅读
    <b class='flag-5'>光刻机</b>结构及IC制造工艺工作原理