来自复旦大学微电子学院的消息,该校周鹏团队针对具有重大需求的3-5纳米节点晶体管技术,验证了双层沟道厚度分别为0.6 /1.2纳米的围栅多桥沟道晶体管(GAA,Gate All Around),实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一,为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径。
据悉,相关成果已经在第66届IEDM国际电子器件大会上在线发表。
报道提到,工艺制程提升到5nm节点以下后,传统晶体管微缩提升性能难以为继,需要做重大革新。于是GAA晶体管乘势而起,它可实现更好的栅控能力和漏电控制。
此番周鹏团队设计并制备出超薄围栅双桥沟道晶体管,驱动电流与普通MoS2晶体管相比提升超过400%,室温下可达到理想的亚阈值摆幅(60mV/dec),漏电流降低了两个数量级。
据悉,GAA晶体管也被译作“环绕栅极晶体管”,取代的是华人教授胡正明团队研制的FinFET(鳍式场效应晶体管)。按照目前掌握的资料,三星打算从2022年投产的第一代3nm就引入GAA晶体管,台积电略保守,3nm仍是FinFET,2nm开始启用GAA。
另外,中芯国际梁孟松日前也披露,该公司的5nm和3nm的最关键、也是最艰巨的8大项技术也已经有序展开, 只待EUV***的到来,就可以进入全面开发阶段。
双桥沟道晶体管示意图及其性能图
责编AJX
-
晶体管
+关注
关注
77文章
9167浏览量
136058 -
3nm
+关注
关注
2文章
223浏览量
13776 -
GAA
+关注
关注
2文章
36浏览量
7347
发布评论请先 登录
相关推荐
降压开关稳压器如何使用串联晶体管
晶体管Ⅴbe扩散现象是什么?
在特殊类型晶体管的时候如何分析?
晶体管和场效应管的本质问题理解
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B0/D4/wKgZomVYOdyAAYNJAAOsT9RkuoA680.jpg)
全球首颗3nm电脑来了!苹果Mac电脑正式进入3nm时代
![全球首颗<b class='flag-5'>3nm</b>电脑来了!苹果Mac电脑正式进入<b class='flag-5'>3nm</b>时代](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AE/9C/wKgZomVJwB2AemLDAABOlZXC2fM479.png)
什么是3nm工艺芯片?3nm工艺芯片意味着什么?
![什么是<b class='flag-5'>3nm</b>工艺芯片?<b class='flag-5'>3nm</b>工艺芯片意味着什么?](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/C5/wKgZomUJUsWATcrgAAAaQN1SRis526.png)
联发科台积电3nm天玑旗舰芯片成功流片 或为“天玑9400”
![](https://file.elecfans.com/web2/M00/AF/31/poYBAGSkFFGAYHWiAAHFZKLNmvs346.png)
评论