最近Techinsights举办了一场关于存储技术的网络研讨会,Jeongdong Choe博士介绍了他对最新的DRAM,NAND,新兴和嵌入式存储器技术的观察与分析。
以下概述了讨论的相关主题。
DRAM
三星,美光和SK hynix等主要DRAM厂商已经生产出缩小至15 nm设计规则(D / R)的DRAM单元。现在,他们正在开发n + 1和n + 2世代,即所谓的1a(或1α)和1b(或1β),这意味着采用EUV的DRAM单元D / R可能能够进一步缩小至12nm以下。由于图形化,漏电流和感测裕度的挑战,单元尺寸微缩的速度越来越慢。
Graphic DRAM和高带宽内存(例如GDDR6(X)和HBM2(E))采用20 nm或10 nm级的DRAM技术节点。
通过在模块中添加低功耗DRAM芯片,智能手机上的相机模块实现了三颗芯片的堆叠。
在先进的DRAM产品中可以看到一些创新,例如高k介电材料,柱形电容器,凹槽沟道LV晶体管和HKMG外围晶体管。
展望DRAM技术趋势和研发路线图,DRAM微缩将在未来10多年中持续进行。
NAND
随着主要NAND制造商争相增加3D NAND堆叠层的数量,他们都已经推出了自己的96L或128L 3D NAND芯片。三星128L V-NAND(V6),KIOXIA和Western Digital Company(WDC)96L BiCS4,Intel / Micron 96L / 128L和176L FG CuA以及SK hynix 128L 4D NAND PUC产品已投放市场。我们将讨论该领域中许多创新的变化。
除了存储密度之外,3D NAND还应用于高速SSD,例如三星Z-SSD和具有多plane的并行KIOXIA XL-FLASH。
SK hynix已达到147层垂直存储单元堆叠;我们将探讨他们的解决方案以及美光的解决方案。
嵌入式和新兴存储技术
尽管Micron的X100 SSD目前仅可用于附加卡(AIC),但Intel不仅将XPoint内存应用程序扩展到常规SSD,而且还扩展到了Intel Optane非易失内存。
Everspin已经发布许多新型pMTJ MRAM产品(第三代,1GB /芯片基于 28nm工艺),Avalanche/Renesas(40纳米)和三星/索尼(28FDS)。Dialog(先前为Adesto)的第二代ReRAM(CBRAM)产品也已上市。
技术路线图
本演示文稿中还包括Techinsights对当前和将来的DRAM,NAND和新兴/嵌入式存储器技术分析,趋势和路线图,这些内容通常仅供我们的存储器用户使用。
审核编辑:符乾江
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