赶日超美，韩国如何制霸全球存储芯片 27 年

全球存储芯片业正被持续装进韩企的口袋。

继最近 SK 海力士官宣收购英特尔 NAND 闪存业务及其位于大连的 Fab 68 厂后，SK 海力士相对薄弱的 NAND 实力得到进一步补足。

作为全球存储芯片千年老二，SK 海力士一直在老大三星的光环下承压前行。这两家韩国公司的版图，已覆盖超过 72% 的全球 DRAM 市场和超过 45% 的全球 NAND 闪存市场。

凭借暴利的存储芯片，三星和 SK 海力士一路赚得体满钵满，不断扩充疆域、扩大投资，付诸各种努力捍卫这块血赚的地盘。

回顾韩企存储芯片上位史，这是一个颇为励志的故事，在巨头环伺时另起炉灶，从零技术基础起步，到技术领先全球，再到用市场手段逼退竞争对手，韩企如何一步步称霸全球存储芯片市场？这是一个极其值得分析的经典案例。

▲2018 年全球半导体细分市场规模分布：存储器是全球最大的半导体细分市场。

01. 从零，到第一

全球存储芯片第一的板凳很难捂热，美国日本各坐了十年左右，而韩国一直坐到今天。

起初英特尔在 70 年代前后凭存储器起家，当了十年的存储器老大；然后 80 年代日本凭借集中五家企业的实力集中力量攻关技术，火速攻占存储市场，带领日本半导体走向世界巅峰，甚至一度将美国硅谷企业打得毫无还手之力，英特尔被逼到差点倒闭。

等美国看不惯日本半导体崛起、出手打压的时候，早已蓄力的韩国三星、SK 海力士等企业开始明夺市场，一边靠逆势扩张竞争，另一边积极抱美国大腿。

美韩联合下，日本半导体兵败如山倒，日企存储芯片界仅存的 “独苗”尔必达在 2012 年宣告破产，被美国美光科技并购。

不过尔必达曾占有的市场，却并没有随着并购而通通装进美光的口袋，相当一部分市场被三星和 SK 海力士进一步蚕食。

从 TrendForce 数据可以看到，2011 年第一季度，全球 DRAM 市场前五分别是韩国三星、SK 海力士、日本尔必达、美国美光科技、中国台湾南亚科技，两家韩企合计市占率约为 62.7%，尔必达和美光合占近 1/4 的市场。

而到 2017 年，两大韩厂 DRAM 市占率合计达 74.2%，较 2011 年占比更大，第三名美光仅占不到 1/5 的全球市场。存储芯片业务给三星和 SK 海力士带来了丰厚的回报。

2017 年得益于存储芯片价格持续上涨，三星半导体部门收入首次超过英特尔，成为全球销售额最高的半导体企业；SK 海力士也在同一年营收超过美光，位列全球第三。

▲2017 年全球半导体企业销售额 TOP10（来源：Gartner）

2019 年受存储芯片价格回落影响，三星、SK 海力士、美光等均出现业绩下滑，但这并不影响这两家韩企的半导体销售额稳居全球前四。

从 1993 年三星首次登顶起，内存产业格局风云变幻，当年开创 DRAM 芯片先河的英特尔、德州仪器、IBM 等元老在 20 世纪末退出市场，德企奇梦达、日企尔必达破产，三星、SK 海力士、美光三家垄断超过 90% 的市场份额。

如今，六大玩家瓜分 99% 市场的 NAND 闪存领域中，排名第六的 SK 海力士上周又宣布要收购排名第五的英特尔 NAND 业务。

如果这一交易顺利完成，SK 海力士有望跃升至 NAND 市场第二或第三名，而韩企将坐拥全球 NAND 领域的半壁江山。

▲2019 年第四季度全球 NAND 品牌厂商营收排名（来源：行业分析机构 DRAMeXchange）

当然了，地位最稳的仍是三星，这家存储芯片技术和市场都遥遥领先的韩企，已经稳坐全球存储芯片老大的位置长达 27 年。

02. 暴走三星，“自杀式”逆袭上位

三星能从零技术背景到成功问鼎全球第一，有几个因素功不可没。

首先要有足够资本担得起风险。技术研发、规模生产都离不开大量资金投入，尤其在价格下跌、产能过剩的存储器低谷时期，没有充足的资金，很难撑过亏损的逆境。

而三星是韩国政府扶持的家族企业，足够有钱，可以任性。在半导体事业起步阶段，三星宛如孤注一掷的赌徒，一边负债累累，一边持续进行 “自杀式”投资，不断砸重金研发扩产。

关键底气是核心技术实力过硬。三星就成功走出了一条从技术复制到创新超越的路。

三星 1983 年刚开始研发 DRAM 时，没有任何技术基础，先是从美日企业购买技术授权，派专家赶赴美日企业学习，进而开发出第一款 64KB DRAM，与世界先进技术之间的差距逾 4 年。

随后三星从美日网罗大量半导体人才，不顾亏损大力投资技术研发。仅用 6 年时间，三星便研发出领先全球的 16M DRAM，实现技术前进 5 代。随后 1993 年，三星因 16M DRAM 量产跃居存储芯片市场第一，从此蝉联至今。

▲韩国三星 DRAM 技术能力变化过程

扩张存储器市场，三星有一大杀招——押注 “逆周期定律”。当存储器市场不景气，其他企业削弱投资、减少生产时，三星反其道而行之，冒着血亏的风险继续投资和扩大生产规模，通过规模效应压低成本，进一步加剧行业亏损，逼对手纷纷出局。

这种逆势扩张策略，三星在 20 世纪 80 年代、90 年代，以及 2008 年金融危机前后均曾实施。

经过二十几年的竞争，内存生产厂家从上世纪 80 年代的四五十家，到 2008 年仅剩韩国三星与 SK 海力士、德国奇梦达、美国美光、日本尔必达五家。2008 年内存价格再次暴跌，几年后奇梦达、尔必达先后破产，韩企迎来全面胜利。

▲2008 年金融海啸后经济前景未明，三星仍加码于资本支出与研发费用。

强大的市场调研能力也至为关键。三星充分发挥丰富的市场调研能力，将优秀人才提拔为市场调研专员派往各个国家和地区，准确把握市场变化和需求，为经营决策提供参考。

信息收集带来的精准数据分析，辅助三星预判到时代更迭带来的空前机遇。90 年代个人电脑（PC）取代大型机成为主流，DRAM 需求发生变化，日企陷入创新窘境，被韩企用更加便宜、小巧、方便的技术战胜。

日企尔必达依然遵照先前的生产逻辑，近乎病态地追求均一性和高成品率，却忽略了相较于高品质，低成本和高规模才是 PC 用 DRAM 的核心竞争力所在。

这给三星等不拘泥于高成本率的韩企一个巨大的机会，三星采取四代产品同时研发的策略，致力于提高生产效率和降低每颗 DRAM 芯片的成本，至于成品率，提升至能满足市场需求的水准就足够了。通过大批量生产廉价 DRAM，三星很快在市占率上超过日企。

除了自己做研发生产，韩企还投资竞争对手。

2017 年，日本最大的集成电路公司东芝存储器是全球第四大存储芯片巨头、第二大 NAND 闪存芯片巨头，然而因为东芝集团的巨额亏损，东芝存储器被以 180 亿美元卖给美国贝恩资本主导的联盟，全球第二大存储芯片商 SK 海力士也顺势成了东芝存储器的股东。

如今的三星和 SK 海力士，坐拥全球最先进的存储器技术和产能，即便面对不稳定的周期变化，依然能呈现出风雨不动安如山的姿态。

03. 角逐中国市场，持续加固优势

无论是日企赶超美企，还是韩企赶超日企，这些逆袭的故事，都给亟待实现我国半导体产业自主可控的梦想埋下了希望的种子。

作为全球最大的电子产品制造国和全球最大的电子产品消费市场，中国大陆对存储芯片需求旺盛，且依赖进口的程度仍相当高，为以三星、SK 海力士为代表的国际存储芯片玩家贡献了相当丰厚的收入。

但当中国资本开始为自主可控争取更多可能时，韩企的危机意识油然而生。

2015 年 7 月，紫光集团向美国美光提出 230 亿美元的收购邀约，然而美光以担心被美国政府阻挠为由拒绝了这一交易。

走收购外企的捷径不成，那就自己造。从 2016 年起，福建晋华、合肥长鑫、长江存储三大国产存储芯片企业均陆续投资发力，砸千亿级资金，兴建 DRAM 或 NAND Flash 芯片生产线。

这令韩企感到空前的警惕。

可以看到，过去几年，三星、SK 海力士正持续采取一些措施来巩固自己的地盘。

其一，控制产能，避免存储芯片价格下滑。

韩国存储芯片巨头是控制产能、玩价格战的老手。他们拥有充沛的资金，能游刃有余地抵御市场低迷，还擅长通过控制产量影响市场。

十年前欧盟委员会曾向包括三星、SK 海力士、英飞凌、日立、美光在内的 10 家内存制造商开出 3.31 亿欧元罚单，原因就是它们操控了内存价格，而美光由于当了污点证人被免于处罚。

2018 年 7 月，三星被曝通过控制内存产能来延缓内存降价，外媒 Semiwiki 报道称，这一举措导致一些半导体设备供应商的设备出货量短期内下降了 10-25%。

2019 年三星、SK 海力士以及美国美光均考虑通过减产弥补降价损失。

其二，积极在中国大陆建新厂。

2018 年 3 月，三星在西安举行存储芯片二期项目开工奠基仪式，总投资额为 70 亿美元，这是三星继 2012 年在西安高新区花 108 亿美元投资一期 NAND 闪存芯片项目后的又一笔投资。

2019 年 12 月，三星西安闪存芯片项目二期第二阶段 80 亿美元投资启动，二期项目预计至 2021 年下半年竣工，建成后将新增月产能 13 万片。

今年 3 月，三星西安一期项目在 1 月、2 月实现满产生产，月产 13 万片存储芯片。

SK 海力士早在 2005 年就在无锡高新区建设了工厂，累计总投资超 100 亿美元。2017 年 10 月，SK 海力士二工厂项目正式签约，在去年 4 月正式竣工，预计完全投产后，月产能将提升至 18 万片 12 英寸晶圆，海力士无锡公司也将成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的 10 纳米级 DRAM 产品生产基地。

不过由于今年疫情影响，三星二期项目和 SK 海力士的无锡工厂推迟了大约 3 个星期。

而如果 SK 海力士能顺利收购英特尔 NAND 闪存业务，也将把生产非易失性存储器的大连英特尔工厂一并收之麾下。

其三，拉大技术差距，引入 EUV 技术。

EUV 光刻技术是实现更先进芯片制程的关键技术，此前主要被用于生产 7nm 及以下的逻辑芯片，而今年，三星和 SK 海力士均释放了将其引入存储芯片生产线的讯号。

据韩媒报道，今年 8 月，三星 “平泽 2 号”半导体工厂已开始运营，将生产全球首个基于 EUV 的移动 DRAM 产品。三星电子的一位发言人透露，使用 EUV 的 1a 工艺，生产效率是基于 12 英寸晶圆的 1x 工艺的两倍。

SK 海力士也在加速推进基于 1a 工艺的 EUV DRAM 产品。此前 SK 海力士已在 M16 芯片厂园区内安装了两台 EUV ***，计划将 EUV 技术应用于下一代 DRAM 芯片生产。

一台 EUV ***造价超过 1 亿美元，数量又极其稀缺，迄今中国大陆企业产线尚未拿到一台 EUV 光刻设备。如果韩企基于 EUV 的 DRAM 产品落地，将进一步拉大与中国大陆企业间的技术差距。

04. 结语：存储芯片市场竞争门槛升级

如今存储芯片发展愈发集中，尤其是 DRAM 内存市场，持续向三星、SK 海力士、美光三家聚拢。

如果 SK 海力士最终成功收购和吸收英特尔 NAND 业务，全球存储芯片市场的大半江山都将成为韩企的囊中之物。

而从历史经验来看，争夺存储芯片市场将不可避免地需要更多资金的投入，这也意味着未来竞争的门槛进一步增高，其他玩家如想突围，将面临技术、成本以及市场的多重竞争。责任编辑：PSY