RDNA3显卡或使用小芯片堆核 良率大幅提升
AMD的RX 6000系列显卡用上了7nm RDNA2架构，能效比再次提升50%，性能也摸到了RTX 3090的水平，而今天预计会推出RDNA3架构显卡了。
RDNA3架构会有什么样的改进？性能、能效提升是可以预期的，关键是怎么做到？日前有传闻称AMD申请了小芯片chiplets架构设计的专利，有可能是用于RDNA3架构显卡的。
AMD的思路是利用“高带宽被动交联”（high bandwidth passive crosslink）来解决这些障碍，将第一个GPU小芯片与CPU处理器直接耦合在一起（communicably coupled），而其他GPU小芯片都通过被动交联与第一个GPU小芯片耦合，而所有的GPU小芯片都放置在同一个中介层（interposer）之上。
简单来说，GPU如果用上这种小芯片架构设计，那么GPU的运算核心也可以跟IO核心分离，类似Zen2/Zen3上那样，运算单元就可以堆更多核心。
考虑到RDNA2的流处理器单元都已经8192个了，AMD通过小芯片架构来堆叠1万以上的核心更容易了，毕竟这个方向是绕不过的。
GPU使用小芯片架构有利有弊，设计当然会复杂，但是考虑到未来的先进工艺越来越贵，制造单一大核心芯片成本居高不下，所以外媒称AMD采用小芯片GPU方案的一个目的就是省钱——不用制造大核心GPU芯片了，良率大幅提升，经济性更好，这条路已经在Zen2、Zen3上成功验证了。
责任编辑：PSY
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
452文章
50150浏览量
420486 -
amd
+关注
关注
25文章
5415浏览量
133779 -
显卡
+关注
关注
16文章
2415浏览量
67361 -
芯片堆叠
+关注
关注
0文章
18浏览量
14555
发布评论请先 登录
相关推荐
三星3nm良率仅20%，仍不放弃Exynos 2500处理器，欲打造“十核怪兽”
，导致Exynos 2500良率不佳的原因是，这颗SoC基于三星第二代3nm GAA制程工艺——SF3工艺，然而目前第二代SF3工艺的
AMD确认2025年推出RDNA 4显卡,光追与AI性能大幅提升
10月30日，AMD在2024年第三季度财报电话会议上宣布了一个关于GPU的重要信息：其下一代RDNA 4显卡计划于2025年初发布。AMD首席执行官苏姿丰明确表示：“我们计划在2025年初推出首批RDNA 4 GPU。”这一消
优可测白光干涉仪：激光陀螺仪提升良率与精度的关键
激光陀螺仪广泛应用于航空航天、军事防御、海洋勘探、自动驾驶等领域，其高灵敏度、强抗干扰和可靠性源于精密制造技术。优可测白光干涉仪助力激光陀螺仪镜片精度提升，提高生产效率和良率。
英伟达为提升RTX 50系列显卡良率,推迟上市计划
）差异导致的芯片翘曲及系统潜在故障问题。为解决这一问题，英伟达已着手重新设计GPU芯片的顶部金属层和凸点结构，旨在提升产品良率。这一调整不仅
广立微INF-AI助力格科微产品良率提升
AI技术在半导体设计、制造和优化等方面的应用日益深入。在设计阶段，AI可以通过机器学习算法，提高芯片性能和能效。在制造过程中，AI用于预测和检测缺陷，优化生产流程，快速提升良率。同时A
三星3nm芯片良率低迷，量产前景不明
近期，三星电子在半导体制造领域遭遇挑战，其最新的Exynos 2500芯片在3nm工艺上的生产良率持续低迷，目前仍低于20%，远低于行业通常要求的60%量产标准。这一情况引发了业界对三
传三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
近日，据韩国媒体报道，三星在其1b nm（即12nm级）DRAM内存生产过程中遇到了良率不足的挑战。目前，该制程的良率仍低于业界一般目标的80%~90%，仅达到五成左右。为了应对这一局
SK海力士HBM3E内存良率已达80%
早在今年3月份，韩国媒体DealSite报道中指出，全球HBM存储器的平均良率约为65%。据此来看，SK海力士在近期对HBM3E存储器的生产工艺进行了显著
AMD RDNA4或采用GDDR6显存，Navi 4X或Navi 4C具备216个计算单元
因受限 RDNA 3 世代尴尬处境，AMD 下一代 RDNA4 游戏显卡似乎选择避开与英伟达在旗舰级别产品上的竞争。据消息人士 Kepler 透露，AMD 下一代
AMD RDNA4显卡全部搭载18Gbps显存，带宽略逊于部分RDNA3产品
现行的零售版RadeonRX7900XT、7900XT搭载的是20Gbps的GDDR6显存，而RX7800XT则采用了19.5Gbps的显存。因此，RDNA4显卡的显存速度可能不及部分RDNA3产品，与RX7900GRE、RX7
三星3纳米良率不足60%
三星近年来在半导体制造领域持续投入，并力争在先进制程技术上取得突破。然而，据韩媒报道，三星在3纳米制程上的良率问题似乎仍未得到有效解决，这对其在市场上的竞争力构成了一定的挑战。 据百能云芯电子.元器
龙芯3C6000芯片流片交付，IO接口改进显著，支持32核、64核服务器
据悉，龙芯 3C6000 已完成交付并开始量产。数据显示，该款芯片相较于现有的龙芯 3C5000 服务器产品，IO 接口有大幅度的改良与提升
三星突破4nm制程良率瓶颈，台积电该有危机感了
三星已将4nm制程良率提升到了70%左右，并重点在汽车芯片方面寻求突破。特斯拉已经将其新一代FSD芯片交由三星生产，该
工商网监
评论