目前,电力照明功耗已占全球功耗的15%,从而导致高效能、低成本的照明技术开发极其重要。而白色发光二极管(WLEDs)恰凭借其自身高寿命、高效率的优势一跃成为当前照明和显示行业的焦点,其制造方式主要是借助RGB LED阵列或者荧光粉涂层的蓝色LED实现,因此导致现有的WLED技术比较依赖于蓝色LED的外延晶片(如GaN外延晶片),在一定程度上增加了制造流程的成本。
为了进一步降低WLED的制造成本,南京理工大学的曾海波教授团队和华盛顿大学的David Ginger教授团队合作,研究人员基于溶液处理的单层异相卤化物钙钛矿设计并制备了一种WLED,该LED不仅不需要荧光粉涂层实现白光发射,而且具备较大的宽带发射层和极高的峰值亮度,并且随着该制备方法的继续研究,其效率和亮度还能进一步得到提高。
卤化物钙钛矿由于具有较高的光致发光量子产率(PLQY)、优异的光电性能和低成本的溶液处理等优点,而被众多科研人员所青睐,试图将其作为WLED的发光材料。
通过大量的研究和优化,目前钙钛矿型绿色LED和红色LED的外部量子效率(EQE)已经超过了20%,但在蓝色LED的开发中却一直未有所突破,从而阻碍了钙钛矿型WLED的实现。
此外,钙钛矿材料具有很强的载流子-声子和激子-声子耦合,其中载流子和激子在晶格畸变中“自陷“效应,导致在整个可见光光谱范围都具有良好的宽带发射效应,因此也可以将其直接应用于WLED的发光材料中。
虽然目前钙钛矿材料中自陷态激子的白色光致发光(PL)的发展很快,但由于该材料的电荷传输特性较差,在一定程度上降低了其白色电致发光(EL)的效率,也使得钙钛矿型WLED的实现遭遇了瓶颈。
为了解决这一问题,曾海波等人将同时具有α相和δ相碘化铯铅(α-CsPbI3和δ-CsPbI3)材料作为钙钛矿型WLED有效注入和复合载流子的发射层,如图1(a)所示。这种混合相材料可以将α-CsPbI3的高电荷传输特性和δ-CsPbI3宽带白色自陷发射特性相结合,从而弥补钙钛矿材料中电荷传输特性较差的问题。
图1 (a)钙钛矿型WLED结构示意图;(b)工作状态下的WLED实物图。
图源:Nature Photonics, 2020: 1-7.Fig1(a)、(b)
在实际工作时,α-CsPbI3负责电荷的注入和传输,随后由δ-CsPbI3负责改进白色EL,并最终在α/δ-异相界面处实现两相的电荷注入平衡,从而赋予钙钛矿型WLED较高的效率和亮度,其亮度可达12,200cd·m−2,EQE可达6.5%,如图1(b)所示。
此外通过调整退火工艺,如图2所示,在398K以下α-CsPbI3会向δ-CsPbI3产生缓慢相变,此时可以根据目标α/δ的相位比选择合适的温度以停止相变过程,从而对钙钛矿型WLED的色温实现自由调控的特性。
图2 CsPbI3样品在加热/冷却条件下的相变和α/δ比的变化示意图
图源:Nature Photonics, 2020: 1-7.Fig2(a)
这项工作为基于溶液处理的卤化物钙钛矿型WLED提供了一种全新的思路和方法,并可通过提高控制α相和δ相域的大小和连通性的方式实现WLED稳定性及其他性能的改善,从而满足低成本、宽带发射的商业化WLED要求。
原文标题:异相钙钛矿型白光LED
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