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Nmos(DFN3x3)-惠海半导体HC1033D耐压100V 8A

100V耐压MOS管 来源:惠海半导体 作者:惠海半导体 2021-01-07 14:05 次阅读

型号:HC1033D
参数:100V8A
类型:N沟道场效应管
内阻150mR
低结电容400pF
封装:DFN3*3-8L
小体积,散热强
低开启电压1.5V
低内阻
低结电容
低开启电压

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