机械革命新一代游戏本偷跑：R9 5900H 单核 / 多核跑分提升 20% 以上
随着 CES 2021 的临近，一些爆料者开始 “冒死”曝光新品。现在，什么值得买的一名创作者曝光了机械革命即将发布的一款新品，搭载了 AMD 的 R9 5900H 处理器，显卡应该是英伟达的 RTX 30 系列。
可能是存在NDA协议的问题，这名爆料者没有公布显卡的信息，但是公布了大家关心的R9 5900H的Cinebench R20 跑分。
如上图所示，R9 5900H 在Cinebench R20中单核584分，多核 5264分。对比外媒CPU-Monkey 的跑分榜，上一代的R9 4900H 单核470分左右，多核 4300分左右。R9 5900H 的单核提升和多核提升分别达到了24%和22%。
AMD 的CES 2021 发布会将于下周开始，届时锁定IT之家了解海量笔记本新品资讯。
责任编辑：PSY
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
多核
+关注
关注
0文章
43浏览量
12397 -
单核处理器
+关注
关注
0文章
15浏览量
6906 -
游戏本
+关注
关注
0文章
81浏览量
7605
发布评论请先 登录
相关推荐
软通动力旗下机械革命旗舰产品亮相CES NVIDIA、AMD展台
新的高度。 在今年CES国际消费电子展，NVIDIA发布了采用Blackwell架构的RTX 50系列显卡，凭借强大的性能和创新的技术吸引了众多目光，尤其是旗舰级的RTX 5090/5080成为了万众瞩目的焦点。机械革命在NVIDIA展台同步展示搭载该GPU的
机械革命与NVIDIA联手首发RTX 50系列游戏本
近日，在万众瞩目的CES 2025国际消费电子展上，软通动力旗下知名PC品牌机械革命携手NVIDIA，全球同步首发了一系列搭载全新GeForce RTX 50系列笔记本电脑GPU的游戏本
机械革命在CES 2025发布全新一代游戏本
CES 2025国际消费电子展上，软通动力旗下PC品牌机械革命与NVIDIA联手打造的搭载GeForce RTX 50系列笔记本电脑GPU的全新一代游戏本全球同步首发！包括面向于骨灰级
机械革命携新品即将亮相CES 2025
CES 2025国际消费电子展的脚步日益临近，软通动力旗下PC品牌机械革命宣布将携其全新产品亮相这一全球顶级的科技舞台。新一代游戏本样机已经
械革命新一代游戏本散热系统曝光
一年一度的CES国际消费电子展已经进入倒计时阶段，软通动力旗下PC品牌机械革命新一代游戏本也离我们越来越近，今天为大家提前曝光
机械革命新品将搭载OLED & MiniLED屏幕亮相CES 2025
机械革命新一代游戏本将亮相于2025年1月初在美国拉斯维加斯举办的CES 2025国际消费类电子产品展览会。作为机械
软通动力旗下机械革命发布极光X游戏本
被大家期待的极光家族最新成员极光X游戏本马上就要与大家见面啦！极光X游戏本将登陆京东商城，并准备一场隆重的发布会，全方位讲解极光X，让等待多时的玩家朋友购机不迷路！
请问RT-Thread有用到寄存器R9吗？
想把RT-Thread改为位置无关程序，但是位置无关程序需要用到R9显式指定，如果RT-Thread操作系统中用到了R9，是不是就没有办法把RT-Thread修改为位置无关程序了？
发表于 09-27 10:00
CPU单核性能与多核性能的区别
CPU的单核性能与多核性能在多个方面存在显著的差异，这些差异主要体现在处理能力、应用场景、性能瓶颈以及技术发展等方面。以下是对两者区别的详细探讨。
软通动力旗下品牌机械革命翼龙15 Pro长续航版上市！
ACD三面全金属外壳的机械革命新品翼龙15 Pro游戏本掀起了2024年游戏本的一股金属风暴。
索尼Xperia 10 VI Geekbench跑分曝光，搭载高通骁龙6 Gen 1处理器
值得注意的是，在此次发布会前夕，代号为“parrot”的Xperia 10 VI已意外出现在Geekbench跑分网站上，其单核得分为934分，多核得分达2816
vivo X100S手机曝光：搭载天玑9300+处理器，16GB内存，综合跑分表现出色
vivo产品经理韩伯啸提供的图片透露，该机在Geekbench跑分中单核得分为2313分，多核得分为7743
龙芯：自主研发CPU提升性能，单核通用性能提高20倍
张戈强调，龙芯CPU的主要IP核均为自主研发，这使得其性价比得到显著提升。他指出，国产CPU与主流CPU的差距主要体现在单核性能上，而非多核性能。近年来，龙芯CPU的单核通用性能已
英飞凌发布新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术
英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
高通Snapdragon X Elite跑分泄露，Arm笔记本处理器的全面反攻开始
通Snapdragon X Elite展示了优异的单核和多核性能表现。其单核跑分2574，超过AMD Ryzen
工商网监
评论