三安集成：加速技术突破，化合物半导体广泛布局-电子发烧友网

【编者按】2021中国IC风云榜“年度最佳技术突破奖”征集现已启动！入围标准深耕半导体某一细分领域，从技术产品主要性能和指标（20%）、技术突破创新性（30%）、应用市场（20%）、销售情况（30%）四个维度进行。评选将由中国半导体投资联盟129家会员单位及400多位半导体行业CEO共同担任评选评委。奖项的结果将在2021年1月份中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

本期候选企业：厦门市三安集成电路有限公司（以下简称“三安集成”）

伴随5G、物联网等市场兴起，化合物半导体也迎来新的风口。三安光电于2014年5月投资30亿元成立的三安集成，主要从事化合物半导体微波集成电路、光技术芯片和功率电子元件的研发、制造和服务。

将化合物半导体制造平台从LED外延片、芯片，横向拓展到射频、光技术和电力电子领域，三安光电有其先天优势。

三安光电具备20多年的化合物半导体制造经验，拥有规模化外延生长的管理经验与优势。基于对III-V族化合物材料的熟悉，得以将砷化镓、氮化镓等LED芯片主要的材料和工艺，快速拓展到微波射频集成电路（MMIC）代工制造和光通讯芯片制造领域，并成功进入国内龙头企业的供应链。作为三安光电的全资子公司，三安集成是中国首家6英寸化合物半导体晶圆代工厂。也正是三安集成，将三安光电带入全新的第二赛道。

三安集成预见第三代半导体材料尤其是碳化硅的市场潜力，于2020年7月在湖南长沙布局第三代半导体业务，总投资160亿元，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。项目建成达产后将形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。由此建立起横跨材料和市场的化合物半导体大制造平台。

目前，三安集成已通过ISO9001国际质量管理体系认证和IATF16949汽车行业质量管理体系认证，并积极投身国际行业标准制定，是JEDEC JC-70宽禁带功率半导体标准委员会成员。

在迎接新机遇的同时，三安集成也在积极打磨自身技术，筑高护城河。截至目前，三安集成专利和核心技术主要集中在制造工艺层面，拥有近百项覆盖外延生长、芯片制造授权专利。

2020年，三安集成在多个技术领域也取得了突破。

在RF（射频）领域，三安集成开发了H20HG6 砷化镓HBT制程工艺，该技术可应用于3G/4G, Sub-6G, WLAN 功放器件，目前已成功应用在手持通讯终端的功放器件。同时，2020年四季度Duplexer滤波器出货量超过10kk。

在光技术领域，三安集成今年还推出了25G CWDM DFB芯片系列，其在外延结构等重要技术环节做了特殊的设计，使得25G DFB 在高温条件下具备更好的可靠性，结合高带宽特性，三安集成成为世界上少数可以提供100G/200G LR4 的25G DFB应用的供应商之一。

在电力电子领域，三安集成碳化硅MPS 肖特基二极管全系列650V和1200V产品采用混合PiN肖特基二极管（MPS）设计，能提供更好的可靠性和鲁棒性；今年12月更完成碳化硅MOSFET量产平台的打造，首发1200V 80mΩ MOSFET产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试。得益于其产品特性，三安集成碳化硅功率器件产品可广泛应用于牵引驱动、车载充电、新能源逆变、工业电源、数据中心、PFC、UPS等多领域。