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三星1nm时代光刻机体积将增加

lhl545545 来源:比特网 作者:贾桂鹏 2021-01-13 16:43 次阅读

近日,在日本东京举办的ITF论坛上,与ASML合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程在微缩层面技术细节。

目前,ASML在3nm、2nm、1nm甚至Sub 1nm都已经做出了清晰的路径规划,据了解,1nm时代的光刻机在体积方面将会增加不少。

体积增加的主要原因是光学器件增大所致,洁净室指数也达到天花板。

据悉,在台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了NA=0.33的EUV曝光设备,而在2nm后就需要更高分辨率的曝光设备,也就是NA=0.55。

现在,ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计(NXE:5000系列),预计将会在2022年实现商业化。

ASML目前在售的两款极紫外光刻机分别是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C,预计3600D计划在明年年中出货,其生产效率将会提升18%。
责任编辑:pj

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