参数:100V 25A
封装:DFN3333
内阻:25mR(Vgs=10V)
30mR(Vgs=4.5V)
结电容:839pF
开启电压:1.7V
应用领域:车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去频闪、LED升降压照明、太阳能源、舞台灯照明、加湿器、美容仪等电压开关应用。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
场效应管
+关注
关注
47文章
1175浏览量
64589 -
MOS管
+关注
关注
108文章
2454浏览量
67869 -
MOS
+关注
关注
32文章
1293浏览量
94547
发布评论请先 登录
相关推荐
PSMN2R3-100SSE N沟道100V、2.3 mOhm MOSFET规格书
电子发烧友网站提供《PSMN2R3-100SSE N沟道100V、2.3 mOhm MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
发表于 02-14 15:42
•0次下载

MOS管FHP230N06V型号参数
,目前市场中常见的会有CS160N06、HY3906P、IRFB7537PBF等型号MOS管是可以用于低压工频逆变器中的。但今天飞虹半导体是想给大家推荐另外一款纯国产的低耐压、大电流、低导通电阻的功率 MOSFET。 它就是FH

100VMOS管-100V3A/5A/8A/10A/15A/40A N通道MOS管和P通道MOS管 皮实耐抗 性价比高
关于100V MOS管(包括N通道和P通道)的特性、工作原理、应用领域以及惠海MOS管在典型应用领域的讲解。以下是对这些信息的概括和补充:
发表于 10-28 11:07
30V MOS管 60V MOS管 100V MOS管-5N10N通道MOS管-HC5N10 100V5A 低结电容 高性价比
的应用,一般选择小体积薄封装DFN的mos管,特别是电流较大工作频率较高的时候。
05
我司的mos管产品不适合电动车控制器比如80
发表于 10-11 09:47
MOS管寄生参数的影响
MOS(金属-氧化物-半导体)管作为常见的半导体器件,在集成电路中发挥着至关重要的作用。然而,MOS管的性能并非仅由其基本电气特性决定,还受到多种寄生
应用需求升级,100V GaN市场爆发?
12V往48V升级;而电动汽车的低压系统,随着电动化的发展,车载电器功率越来越大,因此也正在从12V往48V发展。 而为了应对这些应用的
AP5101C高压线性LED恒流驱动芯片 6-100V 2A LED灯电源驱动
产品描述
AP5101C 是一款高压线性 LED 恒流芯片,简单、内置功率管 ,适用于 6- 100V 输入的高精度降压 LED 恒流驱动芯片。电流2.0A。AP5101C可实现内置MOS做
发表于 05-29 09:05
30V MOS管 60VMOS管 100VMOS管 150VMOS管推荐
NMOS和PMOS管,可搭配芯片。
我司MOS具有:低内阻、低开启、低结电容、等特性,SGT工艺和沟道MOS 管专注高品质
MOS
发表于 05-28 15:36
APG10N10G 100v贴片mos管-PD快充同步整流mos管规格书参数
骊微电子供应APG10N10G 100v贴片mos管,提供APG10N10GPD快充同步整流mos管规格书
发表于 03-25 15:33
•0次下载
具有闩锁效应抑制和1.8V逻辑电平的TMUX821x 100V、扁平Ron、1:1、四通道开关数据表
电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制和1.8V逻辑电平的TMUX821x 100V、扁平Ron、1:1、四通道开关数据表.pdf》资料免费下载
发表于 03-20 11:16
•0次下载

160V半桥SOI半桥驱动器驱动100V MOSFET评估套件
带有额定电压为160V的2ED2748S01G(3x310引脚DFN封装)半桥栅极驱动器,可驱动12个额定电压为100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N

ESD管PTVS0542H100可以替代 PClamp0511ZV ---国产化替代篇
IPP 是否接近 ; 5. CJ 是否接近。 PTVS0542H100 封装是DFN1006, PClamp0511ZV 封装是 DFN1006 PTVS0542H100 的 VRW

评论