科创板上市委2021年第10次审议会议结果显示,普冉半导体(上海)股份有限公司(下称“普冉半导体”)(首发)符合发行条件、上市条件和信息披露要求。
这也意味着,历时9个月,存储器芯片厂商普冉半导体成功闯关科创板,即将登陆资本市场的舞台。
据悉,普冉半导体主要从事集成电路产品的研发设计和销售,专注于NOR Flash和EERPOM两大非易失性存储器业务,致力于成为新型应用领域中小容量非易失性存储器的产品和服务提供商。
大客户优势显著,研发实力强劲
作为一家专注于存储器芯片研发和应用的厂商,目前普冉半导体已逐渐形成以 NOR Flash和 EEPROM 存储器芯片为主的产品矩阵。其中,NOR Flash 产品在读写功耗、静态功耗、擦写速度和芯片面积等关键指标方面表现优异,产品广泛应用于低功耗蓝牙模块、TWS耳机、手机触控和指纹、TDDI(触屏)、AMOLED 面板、可穿戴设备和安全芯片等领域。同时,伴随着下游5G手机存量替换和手机多摄像头配置趋势,摄像头模组及其存储器芯片需求呈现爆发式增长,其EEPROM出货量呈现明显的增长趋势。
基于此,2017至2020年第三季度,普冉半导体分别实现营业收入7,780.11万元、17,825.27万元、36,298.96万元、46,369.32万元,收入三年复合增长率为116.00%,分别实现净利润371.79万元、1,337.37万元、3,232.08万元、4,702.39万元,净利润三年复合增长率194.84%。
可以说,普冉半导体近年来在业绩层面的突飞猛进,也得益于其在NOR Flash和EERPOM两大业务领域的优质客户资源的加持。
据悉,在NOR Flash业务方面,普冉半导体已经和汇顶科技、恒玄科技、杰理科技、中科蓝讯等主控原厂,深天马、合力泰、华星光电等手机屏幕厂商建立了稳定的业务合作关系,产品应用于三星、OPPO、vivo、华为、小米、联想、惠普等品牌厂商。
在EEPROM业务方面,普冉半导体已经和舜宇、欧菲光、丘钛、信利、合力泰、三星电机、三赢兴、盛泰等行业内领先的手机摄像头模组厂商以及闻泰科技、华勤通讯、龙旗科技等ODM厂商形成了稳定的合作关系,产品广泛应用于OPPO、vivo、华为、小米、美的等知名厂商的终端产品中。
除此之外,值得关注的是,普冉半导体在研发领域的持续投入,不仅保障了其收入和利润的快速增长,也是进行技术升级,保持竞争力的重要法宝。
报告期内,普冉半导体的研发投入分别为1,290.91万元、1,345.79万元、3,114.11万元和2,984.00万元,累计研发投入金额占报告期公司累计营业收入比例为8.07%,研发投入占比较高。
普冉半导体基于自有知识产权和研发设计平台,在NOR Flash和EEPROM领域都具有优秀的设计能力,是目前市场上少数能够利用SONOS工艺平台完成NOR Flash存储器芯片的研发设计的企业之一。
纵观整个行业,近年来集成电路行业按照摩尔定律继续发展演变,芯片的集成度和性能不断改善升级。存储器芯片产品的标准化程度较高,差异化竞争较小,因此技术升级是存储器芯片公司间竞争的主要策略,研发实力则尤为关键。
在上述研发积淀之上,普冉半导体在研发层面也有着更长远更深入的战略布局。
募资加码,持续深耕存储芯片
世界半导体贸易统计组织(WSTS)曾预测,存储芯片将成为推动半导体行业增长的主要力量,而2021年存储芯片将成为增长最快的品类,销售额预计增长13.3%。
众所周知,存储芯片市场由DRAM、NAND Flash和NOR Flash、EEPROM 等细分市场组成,其中NOR Flash和EEPROM 市场也已经历数十年的发展,其市场竞争日趋激烈。近年来,受蓝牙耳机出货量上升、智能手机多摄像头配置趋势等因素的影响,NOR Flash 和 EEPROM 市场规模呈现稳定增长态势,2019年全球NOR Flash和EEPROM市场规模约36亿美元。
在此背景下,基于NOR Flash和EEPROM的市场需求空间不断增长,作为此领域的新进入者,为加速技术、产品等迭代进程和发挥专利技术的先发优势,普冉半导体再次发力,持续深耕存储芯片领域,并不断募资加码。
据悉,此次普冉半导体登陆科创板,拟募资3.45亿元,将投向于闪存芯片升级研发及产业化项目、EEPROM芯片升级研发及产业化项目和总部基地及前沿技术研发项目。
在闪存芯片升级研发及产业化项目项目中,普冉半导体将采用领先于业界的工艺制程,对NOR Flash存储器芯片开展设计研究,实现公司在先进制程、大容量Flash存储器芯片领域的产业化。项目具体研发的产品包括:40nmNOR Flash系列存储器芯片;NewGenNOR Flash系列存储器芯片。本项目的产品将被应用于物联网、蓝牙、智能穿戴设备、指纹识别、智能家居、智能手机等领域。
在EEPROM芯片升级研发及产业化项目中,普冉半导体将对工业和消费级以及车载级EEPROM存储器芯片开展设计研究,实现公司EEPROM存储器芯片在多维下游应用领域的产业化。项目具体研发产品包括两部分:其一,公司拟在当前技术积累下,对手机摄像头模组等消费类EEPROM以及智能电表、智慧通信等工业类EEPROM存储器芯片进行升级研发,使其达到更低工作电压和更低功耗;其二,公司拟开发车载EEPROM产品,通过运用纠错校验(ECC)和差分存储技术,使其具备超高擦写能力、超长数据保存时间等特点。
普冉半导体表示,闪存芯片的升级研发是完善公司在闪存芯片产品布局的必然选择;EEPROM芯片的更新换代将有利于巩固公司在细分领域的领先地位;总部基地及前沿技术研发项目是解决公司实验场地和办公场地不足问题的必然举措,有助于公司在现有技术储备的基础上突破原有存储器芯片性能并持续进行优化。
谈及未来发展战略,普冉半导体表示,公司将专注于集成电路设计领域的科技创新,围绕非易失存储器领域,以NOR Flash和EEPROM为核心,不断满足客户对高性能存储器芯片的需求,在持续经营中实现企业的技术积累,保障公司经营业务的可持续发展。
责任编辑:tzh
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