美光宣布已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片
美光今天宣布，已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片，这也是迄今为止最先进的DRAM工艺，可明显提升容量密度、性能并降低功耗。
不同于CPU、GPU等新品，DRAM内存、NAND闪存的工艺节点都不使用明确的数字，而是1x、1y、1z、1α等等，越往后越先进，或者说1xnm比较接近20nm，1αnm则更接近10nm。
美光的1αnm DRAM工艺可适用于各种不同的内存芯片，尤其适用于最新旗舰手机标配的LPDDR5，相比于1z工艺可以将容量密度增加多达40％，同时还能让功耗降低15％，能让5G手机性能更好、机身更轻薄、续航更持久。
DDR4、LPDDR4甚至是未来的DDR5，同样都能使用这种新工艺，并支持智能手机、笔记本、台式机、服务器、嵌入式等各种应用设备。
美光台湾晶圆厂已经开始量产并出货1αnm DRAM内存芯片，首批是DDR4内存条，隶属于Crucial英睿达品牌，还在试产和评估LPDDR4，后续会用于更多内存类型。
责任编辑：lq
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
闪存
+关注
关注
16文章
1776浏览量
114804 -
DRAM
+关注
关注
40文章
2303浏览量
183292 -
美光
+关注
关注
5文章
708浏览量
51401
原文标题：美光全球首创1αnm内存工艺！
文章出处：【微信号：CSF211ic，微信公众号：中国半导体论坛】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
美光已在广岛Fab15工厂利用EUV试产1γ DRAM
在存储芯片领域，技术的每一次革新都牵动着行业的脉搏。近日，存储芯片大厂美光科技在公布其2024财年第三财季财报的同时，也宣布了一个令人振奋的
美光科技将在日本广岛新建DRAM芯片工厂
近日，美光科技宣布，将在日本广岛县建立一座新的DRAM芯片生产工厂，预计最早于2027年底正式投入运营。该项目的总投资预估在6000亿至80
美光宣布将在日本广岛建设DRAM工厂
据悉，新厂将采用EUV光刻机技术，并计划在2025年量产的下一代1-gamma（nm）节点引入EUV光刻技术。鉴于DRAM行业的代际周期，新厂有望具备生产1-gamma甚至
SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产
值得注意的是，目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm（第六代10+nm级）制程DRAM
美光率先出货用于AI数据中心的关键内存产品
美光科技近日在业界取得重大突破，成功验证并率先推出了一款针对AI数据中心的关键内存产品。这款新产品基于大容量32Gb单块DRAM芯片，构建成
美光科技推出基于大容量32Gb单块DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM内存
2024 年 5 月 9 日， Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块
美光率先出货用于 AI 数据中心的关键内存产品
– Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块
发表于 05-09 14:05
•217次阅读
美光232层QLC NAND芯片已量产并出货，推出SSD新品
美光科技近期宣布，其创新的232层QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的
美光科技: 纳米印刷助降DRAM成本
近期的演示会上，美光详细阐述了其针对纳米印刷与DRAM制造之间的具体工作模式。他们提出，DRAM工艺的每一个节点以及浸入式光刻的精度要求使得
美光科技开始量产HBM3E高带宽内存解决方案
美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球内存与存储解决方案的领先供应商，近日宣布已经
工商网监
评论