0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星首次推出 HBM-PIM 技术,功耗降低 71% 提供两倍多性能

工程师邓生 来源:IT之家 作者:问舟 2021-02-18 09:12 次阅读

三星昨日宣布了一项新的突破,面向 AI 人工智能市场首次推出了 HBM-PIM 技术,据介绍,新架构可提供两倍多的系统性能,并将功耗降低 71%。

在此前,行业内性能最强运用最广泛的是 HBM 和 HBM2 内存技术,而这次的 HBM-PIM 则是在 HBM 芯片上集成了 AI 处理器的功能,这也是业界第一个高带宽内存(HBM)集成人工智能(AI)处理能力的芯片。

三星关于 HBM-PIM 的论文被选为在 2 月 22 日举行的著名的国际固态电路虚拟会议(ISSCC)上发表。三星的 HBM-PIM 目前正在人工智能加速器内由领先的 AI 解决方案合作伙伴进行测试,所有验证预计将在今年上半年完成。

IT之家了解到,电子计算机多年来都是走诺伊曼架构体系,而这项三星 HBM-PIM 技术不同。

相比于诺伊曼架构使用单独的处理器和内存单元来执行数百万个复杂的数据处理任务,三星新技术通过将 DRAM 优化的 AI 引擎放在每个内存库(存储子单元)内,将处理能力直接带到数据存储的位置,从而实现并行处理并最大限度地减少数据移动。

此外,三星还表示 HBM-PIM 也不需要任何硬件或软件更改,从而可以更快地集成到现有系统中。

责任编辑:PSY

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    452

    文章

    50117

    浏览量

    420326
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15842

    浏览量

    180843
  • 人工智能
    +关注

    关注

    1789

    文章

    46545

    浏览量

    236823
  • 内存技术
    +关注

    关注

    0

    文章

    25

    浏览量

    9815
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星HBM技术逆袭:NVIDIA认证助力业绩飙升

    在8月1日公布的最新财报中,三星电子再次展示了其在高带宽内存(HBM)领域的强劲表现。数据显示,三星第二季度HBM销售额同比大幅增长超过50%,营业利润更是达到了6.45万亿韩元,这一
    的头像 发表于 08-01 14:42 393次阅读

    三星电子重组架构,加速HBM技术创新

    在半导体技术日新月异的今天,三星电子再次展现了其作为行业领导者的前瞻视野与战略布局。据韩国媒体最新报道,三星电子已正式启动了组织重组计划,旨在通过整合与优化资源,构建一个全新的高带宽内存(HB
    的头像 发表于 07-08 11:54 372次阅读

    三星将于今年内推出3D HBM芯片封装服务

    近日,据韩国媒体报道,全球领先的半导体制造商三星即将在今年推出其高带宽内存(HBM)的3D封装服务。这一重大举措是三星在2024年三星代工论
    的头像 发表于 06-19 14:35 850次阅读

    英伟达否认三星HBM未通过测试

    英伟达公司CEO黄仁勋近日就有关三星HBM(高带宽内存)的传闻进行了澄清。他明确表示,英伟达仍在认证三星提供HBM内存,并否认了
    的头像 发表于 06-06 10:06 507次阅读

    SK海力士力挫三星,稳坐HBM行业领军地位

    值得注意的是,早年对HBM技术表现出浓厚兴趣的三星,与英伟达共同研发了HBMHBM2系列产品,然而销售初期市场反应冷淡,导致持续亏损。
    的头像 发表于 05-29 15:50 424次阅读

    三星电子否认HBM产品未达标,多家合作公司保证质量

    针对媒体报道三星电子高带宽存储(HBM)产品未达英伟达品质标准的传闻,三星予以明确否认。该报道列举了散热及功耗等问题,并称三星
    的头像 发表于 05-27 09:51 336次阅读

    三星HBM芯片因发热和功耗问题影响测试,与英伟达合作暂时搁浅

    这是三星首次公开承认未能通过英伟达测试的原因。三星在声明中表示,HBM是定制化存储产品,需“依据客户需求进行优化”,并强调正与客户紧密合作以提升产品
    的头像 发表于 05-24 14:17 421次阅读

    三星HBM芯片遇阻英伟达测试

    近日,三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片在英伟达测试中遭遇挫折。据知情人士透露,芯片因发热和功耗问题未能达标,影响到了其HBM3及下一代HBM
    的头像 发表于 05-24 14:10 472次阅读

    英伟达寻求从三星采购HBM芯片

    英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系,计划从后者采购高带宽存储(HBM)芯片。HBM作为人工智能(AI)芯片的核心组件,其重要性不言而喻。与此同时,三星正努力追赶业内领头羊SK海力士,
    的头像 发表于 03-25 11:42 668次阅读

    英伟达CEO赞誉三星HBM内存,计划采购

     提及此前有人预测英伟达可能向三星购买HBM3或HBM3E等内存,黄仁勋在会上直接认可三星实力,称其为“极具价值的公司”。他透露目前已对三星
    的头像 发表于 03-20 16:17 768次阅读

    三星追赶AI芯片竞赛,计划采用海力士制造技术

    三星必须采取一些措施来提高其HBM产量......采用MUF技术三星来说有点不得已而为之,因为它最终遵循了SK海力士首次使用的
    的头像 发表于 03-14 11:00 649次阅读

    三星电子发布业界最大容量HBM

    三星电子近日宣布,公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升,这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新
    的头像 发表于 03-08 10:10 612次阅读

    三星电子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

    三星电子近期研发的这款36GB HBM3E 12H DRAM确实在业界引起了广泛关注。其宣称的带宽新纪录,不仅展现了三星在半导体技术领域的持续创新能力,也为整个存储行业树立了新的
    的头像 发表于 03-08 10:04 725次阅读

    三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM

    近日,三星电子宣布,已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存(HBM3E)产品——HBM3E 12H,再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解,
    的头像 发表于 02-27 14:28 963次阅读

    三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

    数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,
    的头像 发表于 01-08 10:25 906次阅读