紫光国芯成功研发基于DDR4的NVDIMM-N

我们知道，传统的DDR DIMM内存是易失性的，也就是必须维持通电才能保持数据，一旦断电就都没了。

Intel创造了Optane傲腾持久内存，做到了非易失性，也兼容DDR DIMM，但仅用于数据中心，和普通用户无关。

现在，JEDEC固态技术标准协会发布了DDR4 NVDIMM-P非易失内存标准规范，序列编号JESD304-4.01，也可以在断电后不丢失数据，而且完全兼容DDR4内存标准。

根据规范，这种新内存兼容普通的DIMM内存标准、固件，可以最大程度减少对于现有设备、平台的更改，同时为新内存提供了低延迟接口，提高了易用性，未来也会兼容支持DDR5。

NVDIMM-P的新功能：

－ 持久性：操作系统能够低延迟、高带宽访问非易失内存。

－ 虚拟化的内存：在DDR通道启用尽可能多的内存容量。

－ 大容量：支持扩展的内存寻址功能。

－ 支持即插即用：在电脑开机时可以直接插入标准的双列内存插槽，并立刻与同一总线上的DDR内存交互操作。

NVDIMM-P的主要特征：

－ 与现有DDR通道完全兼容，包括物理接口、电气性能、协议、时钟。

－ 保证为下一代CPU插槽增加的针脚尽可能少。

－ 协议支持数据读取时的不确定延迟。

－ 确保数据在非易失内存中的事务性操作。

－ 从NAND到DRAM多种延迟模式的支持（在模块级别）。

－ 内存本身具备高可靠性、链路错误保护功能。

事实上，NVDIMM是一个系列标准，除了这里说的NVDIMM-P，还有NVDIMM-F、NVDIMM-N、NVDIMM-H。

NVDIMM-F本质上就是DDR接口的SSD固态盘，只使用NAND闪存，优点是延迟低（纳秒级别）、带宽高（DDR4可超过200GT/s），不怕断电，也不需要外接供电，但性能和DRAM仍然远不是一个级别。

NVDIMM-N混合使用DRAM、DRAM，在内存条上集成NAND闪存，外接电源供电，断电时将数据转移保存到NAND闪存中，重新来电后恢复到DRAM，但闪存只是个备份，正常工作时闲置无法使用。

有消息称，紫光集团旗下西安紫光国芯也成功研发出了一看基于DDR4的NVDIMM-N。

NVDIMM-P则是以上二者的结合，三星主导DDR4版本，美光主导DDR5版本。

NVDIMM-H正在研发，美国Netlist公司主导，类似NVDIMM-N，也是DRAM、NAND混合体，但硬件结构差异较大。
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