重磅发布！利尔达推出基于海思第三代NB芯片方案模组——NB860
一直以来，基于海思NB-IoT芯片方案的模组在移动物联网市场扮演着主力中坚的角色。
继推出基于海思前两代NB-IoT芯片方案的NB05-01/NB86-G系列模组之后，2021年，利尔达正式推出基于海思第三代NB芯片Boudica 200方案的超低功耗高性能NB-IoT模组——NB860，功能的全面升级，为移动物联网市场的爆发提供充足动力！
NB860是一款超低功耗、高集成度的全网通NB-IoT模组，高度兼容NB86-G系列封装，尺寸20mm*16mm*2.2mm（L*W*H），用户可无缝切换迭代升级。
同时有着丰富的外设接口和支持更多的网络协议，极大方便用户的快速开发和应用需求。
作为NB86-G系列模组进阶版，NB860较之NB86-G系列能力更强：
NB860的出现，为NB-IoT产业诞生更多的千万级应用场景行业提供了可能。不仅推动智能抄表行业的持续扩大应用，更加推动消防烟感、智能停车、智慧城市、共享单车等更多领域应用落地。
利尔达携手海思，与行业伙伴一起，为NB-IoT产业持续发力！NB860是利尔达推出的第一款基于海思Boudica 200方案的NB-IoT模组，后续将持续推出兼容利尔达全系列的基于海思Boudica 150方案的NB-IoT模组，敬请期待~
NB860 3月份可送样，5月份实现量产。
联系人：丁先生18067988040
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
物联网
+关注
关注
2951文章
48236浏览量
419435 -
NB-IoT
+关注
关注
416文章
1455浏览量
191735
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
麦科信第三代光隔离探头正式发布
核心技术全面迭代，正式发布第三代光隔离探头，在高压、高频、强辐射干扰工况下，实现测量精度、操作体验及场景适配性全面突破。
AI-NB81 NB-IoT模组：物联网通信的得力助手
AI-NB81 NB-IoT模组：物联网通信的得力助手 在物联网飞速发展的今天，无线通信模组作为连接设备与网络的桥梁，发挥着至关重要的作用。四川爱联科技股份有限公司
博世第三代碳化硅芯片：性能跃升20%，重构电动汽车效率新标杆
2026年4月，博世正式推出第三代碳化硅芯片，以“综合性能提升20%”为核心突破，通过全球产能布局与技术革新，为电动汽车电驱系统注入高效能量控制新动能，标志着碳化硅半导体在电动出行领域的技术与产业双重突破。
基本半导体推出第三代碳化硅MOSFET顶部散热封装系列产品
基于第三代碳化硅MOSFET技术平台，基本半导体推出QDPAK、TOLT、T2PAK-7三款顶部散热封装产品。该系列产品聚焦工业与车载功率电子应用的实际痛点，在芯片性能与封装设计上进行
瑞可达推出第三代模块化交直流一体充电插座
瑞可达凭借深厚的技术积累与创新精神，推出第三代模块化交直流一体充电插座，以全新设计突破行业瓶颈，为新能源汽车充电系统提供更优解决方案。
龙腾半导体推出全新第三代超结MOSFET技术平台
今天，龙腾半导体正式交出答卷 -- 基于自主工艺路线开发的全新第三代（G3） 超结 MOSFET技术平台。
Cadence公司成功流片第三代UCIe IP解决方案
为推动小芯片创新的下一波浪潮，Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互连技术（UCIe）IP 解决方案，在台积电先进的 N3P 工艺上实现了业界领先的每通道 64Gbps 速率。随
Neway第三代GaN系列模块的生产成本
：Neway定位中高端市场，通过技术差异化（如高频化、高可靠性）获取溢价，部分抵消成本压力。例如，其第三代模块价格较同规格国际品牌低40%，但仍高于普通硅基方案。成本传导机制：在原材料价格上涨时，Neway
发表于 12-25 09:12
基本半导体B3M平台深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用
基础，将其定位为平面栅碳化硅（SiC）MOSFET技术的一次重要演进，其目标不仅在于追赶，更在于在特定性能维度上超越市场现有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平台概述 B3M系列是基本半导体推出的
掘金新蓝海！利尔达重磅推出NB-IoT全球通模组
//截至2025年，全球已部署137张NB-IoT网络，中国市场占据了全球84%的连接数，海外则仍是一片充满机遇与挑战的广阔蓝海。近日，利尔达重磅推
智光储能与海辰储能联合发布第三代级联型高压大容量储能系统
近日，在第五届全国新型储能技术及工程应用大会现场，广州智光储能科技有限公司（简称 “智光储能”）与海辰储能联合发布基于∞Cell 587Ah 大容量电池的第三代级联型高压大容量储能系统。这一突破性成果标志着全球首个大容量储能电池
第三代半导体的优势和应用领域
随着电子技术的快速发展，半导体材料的研究与应用不断演进。传统的硅（Si）半导体已无法满足现代电子设备对高效能和高频性能的需求，因此，第三代半导体材料应运而生。第三代半导体主要包括氮化镓（GaN
评论