凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质,近年来在 Kbit 和 Mbit 级小规模数据存储领域开始风生水起,在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获,这就是铁电存储器 FRAM。
存储设备(主要指存储数据的半导体产品)通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时消失,如 DRAM 。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会消失,这意味着数据一旦被写入,只要不进行擦除或重写,数据就不会改变。FRAM 是一种与 Flash 相同的非易失性存储器。
FRAM技术和工作原理
FRAM是运用铁电材料(PZT等)的铁电性(Ferro electricity)和铁电效应(Ferroelectric Effect)来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。
当一个电场被加到铁电晶体时,中心离子顺着电场的方向在晶体里移动,当离子移动时,它通过一个能量壁垒,从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。
移去电场后中心离子保持不动,记忆体的状态也得以保存。
材料本身的迟滞特性的两个稳定点代表0或1的极化值。
FRAM的特点
独特性能成就技术“硬核”,FRAM 是存储界的实力派。除非易失性以外,FRAM 还具备三大主要优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。
其中,FRAM 写入次数寿命高达 10 万亿次、而 EEPROM 仅有百万次(10^6)。同时, FRAM 写入数据可在 150ns 内完成、速度约为 EEPROM 的 1/30,000,写入一个字节数据的功耗仅为 150nJ、约为 EEPROM 的 1/400,在电池供电应用中具有无与伦比的优势。
富士通FRAM产品
富士通半导体早在 1995 年已开始研发 FRAM 存储器,至 1999 年成功量产推向市场,迄今已有 22 年的量产经验,出货量累计更是达到惊人的 40 亿颗!
与此同时,公司15年来获得了国内来自学术界与政府机构的11项大奖。
目前,富士通可提供I2C、SPI、Parallel三种接口,存储容量从4Kbit到8Mbit,同时温度适应性最高达125℃的多种FRAM产品。
富士通FRAM的应用领域
经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破,富士通FRAM 产品已成功应用于智能卡及 IC 卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域,医疗设备及医疗 RFID 标签等医疗领域、胎压监测及新能源汽车电池管理系统等汽车领域等等,涉及的应用超过200种,几乎覆盖所有主要领域!
今后,富士通将进一步降低存储器的功耗,扩大存储器的操作温度范围,加大存储器的容量,同时继续开发最适合客户用途的产品。
责任编辑:lq
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原文标题:覆盖应用领域超200种,累计出货量达40亿!FRAM为何是智能时代最佳存储选择?
文章出处:【微信号:Fujitsu_Semi,微信公众号:加贺富仪艾电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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