基于LinkSwitch-4开关IC提高基于BJT的方案的可靠性

众所周知，与MOSFET相比，双极性结式晶体管（BJT）在成本上有很大的优势。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情况下，当功率级提高到3W以上时，BJT中的开关损失可能就会成为大问题。

Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的双极结型晶体管（BJT）开关，能够提供比现有BJT或MOSFET开关更高的效率。新的系列器件专门适用于要求满足美国能源部（DoE）和欧盟行为准则（CoC）严格的新效率标准的充电器和适配器，帮助工程师设计出能销往美国及欧洲地区且具有更大竞争优势的产品。

LinkSwitch-4系列恒压/恒流初级侧调节（PSR）开关IC，采用高级自适应基极（Base）-发射极（Emitter）开关驱动技术，该技术还可消除与BJT相关的次级击穿，降低对电流增益变化的敏感度，从而允许使用成本极低的BJT。自适应基极-发射极开关驱动技术不仅通过大幅优化BJT开关特性来提供设计和制造过程中BJT晶体管的选择灵活性，而且还可极大提高基于BJT的方案的可靠性。

LinkSwitch-4开关IC采用高级自适应基极-发射极开关驱动技术，得以提高效率

随着美国DOE-6和欧洲COC V5能效标准实施的逼近，满足新标准的技术方案需求也日益迫切。DoE新标准DoE-6，是主要针对电池充电器与外部电源的节能标准，它要求在充电器USB电缆末端进行效率合规测量。而CoC V5着重对空载功耗、效率提出更高的要求。

LinkSwitch-4 IC集成了采用准谐振开关策略的多模式PWM/PFM控制器，可提高效率并满足

LinkSwitch-4适用于要求满足美国DoE-6和欧盟CoC的新效率标准的充电器和适配器，并能够用于1.5A和2A大电流智能手机充电器。

另外，除了智能手机，LinkSwitch-4 IC还适用于无绳电话、PDA、MP3和其他便携式音频设备的充电器及适配器等应用，并提供SOT-23-6和SO-8两种封装。

采用LinkSwitch-4 IC的10W 2A充电器设计

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