针对DDR2和DDR3的PCB信号完整性设计介绍-电子发烧友网

本文章主要涉及到对DDR2和DDR3在PCB设计时，考虑信号完整性和电源完整性的设计事项，这些是具有相当大的挑战性的。

文章重点是讨论在尽可能少的PCB层数，特别是4层板的情况下的相关技术，其中一些设计方法在以前已经成熟的使用过。

介绍

目前，比较普遍使用中的DDR2的速度已经高达800 Mbps，甚至更高的速度，如1066 Mbps，而DDR3的速度已经高达1600 Mbps。

对于如此高的速度，从PCB的设计角度来帮大家分析，要做到严格的时序匹配，以满足信号的完整性，这里有很多的因素需要考虑，所有的这些因素都有可能相互影响。

它们可以被分类为PCB叠层、阻抗、互联拓扑、时延匹配、串扰、信号及电源完整性和时序，目前，有很多EDA工具可以对它们进行很好的计算和仿真，其中Cadence ALLEGRO SI-230 和 Ansoft’s HFSS 使用的比较多。

表1显示了DDR2和DDR3所具有的共有技术要求和专有的技术要求。

PCB的叠层（stackup）和阻抗

对于一块受PCB层数约束的基板（如4层板）来说，其所有的信号线只能走在TOP和BOTTOM层，中间的两层，其中一层为GND平面层，而另一层为 VDD 平面层，Vtt和Vref在VDD平面层布线。

而当使用6层来走线时，设计一种专用拓扑结构变得更加容易，同时由于Power层和GND层的间距变小了，从而提高了电源完整性。

互联通道的另一参数阻抗，在DDR2的设计时必须是恒定连续的，单端走线的阻抗匹配电阻50 Ohms必须被用到所有的单端信号上，且做到阻抗匹配，而对于差分信号，100 Ohms的终端阻抗匹配电阻必须被用到所有的差分信号终端，比如CLOCK和DQS信号。另外，所有的匹配电阻必须上拉到VTT，且保持50 Ohms，ODT的设置也必须保持在50 Ohms。

在 DDR3的设计时，单端信号的终端匹配电阻在40和60 Ohms之间可选择的被设计到ADDR/CMD/CNTRL信号线上，这已经被证明有很多的优点。

而且，上拉到VTT的终端匹配电阻根据SI仿真的结果的走线阻抗，电阻值可能需要做出不同的选择，通常其电阻值在30-70 Ohms之间。而差分信号的阻抗匹配电阻始终在100 Ohms。

互联拓扑

对于DDR2和DDR3，其中信号DQ、DM和DQS都是点对点的互联方式，所以不需要任何的拓扑结构，然而例外的是，在multi-rank DIMMs（Dual In Line Memory Modules）的设计中并不是这样的。

在点对点的方式时，可以很容易的通过ODT的阻抗设置来做到阻抗匹配，从而实现其波形完整性。而对于 ADDR/CMD/CNTRL和一些时钟信号，它们都是需要多点互联的，所以需要选择一个合适的拓扑结构，图2列出了一些相关的拓扑结构，其中Fly- By拓扑结构是一种特殊的菊花链，它不需要很长的连线，甚至有时不需要短线（Stub）。

对于DDR3，这些所有的拓扑结构都是适用的，然而前提条件是走线要尽可能的短。Fly-By拓扑结构在处理噪声方面，具有很好的波形完整性，然而在一个4 层板上很难实现，需要6层板以上，而菊花链式拓扑结构在一个4层板上是容易实现的。另外，树形拓扑结构要求AB的长度和AC的长度非常接近（如图2）。

考虑到波形的完整性，以及尽可能的提高分支的走线长度，同时又要满足板层的约束要求，在基于4层板的DDR3设计中，最合理的拓扑结构就是带有最少短线（Stub）的菊花链式拓扑结构。

对于DDR2-800，这所有的拓扑结构都适用，只是有少许的差别。然而，也是知道的，菊花链式拓扑结构被证明在SI方面是具有优势的。

对于超过两片的SD RAM，通常，是根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。图3显示了不同摆放方式而特殊设计的拓扑结构，在这些拓扑结构中，只有A和 D是最适合4层板的PCB设计。

然而，对于DDR2-800，所列的这些拓扑结构都能满足其波形的完整性，而在DDR3的设计中，特别是在1600 Mbps时，则只有D是满足设计的。

时延匹配

在做到时延的匹配时，往往会在布线时采用trombone方式走线，另外，在布线时难免会有切换板层的时候，此时就会添加一些过孔。不幸的是，但所有这些弯曲的走线和带过孔的走线，将它们拉直变为等长度理想走线时，此时它们的时延是不等的，如图4所示。

显然，上面讲到的trombone方式在时延方面同直走线的不对等是很好理解的，而带过孔的走线就更加明显了。在中心线长度对等的情况下，trombone 走线的时延比直走线的实际延时是要来的小的，而对于带有过孔的走线，时延是要来的大的。这种时延的产生，这里有两种方法去解决它。

一种方法是，只需要在 EDA工具里进行精确的时延匹配计算，然后控制走线的长度就可以了。而另一种方法是在可接受的范围内，减少不匹配度。

对于trombone线，时延的不对等可以通过增大L3的长度而降低，因为并行线间会存在耦合，其详细的结果，可以通过SigXP仿真清楚的看出，如图 5，L3（图中的S）长度的不同，其结果会有不同的时延，尽可能的加长S的长度，则可以更好的降低时延的不对等。对于微带线来说，L3大于7倍的走线到地的距离是必须的。

trombone线的时延是受到其并行走线之间的耦合而影响，一种在不需要提高其间距的情况下，并且能降低耦合的程度的方法是采用saw tooth线。显然，saw tooth线比trombone线具有更好的效果。

但是，依来看它需要更多的空间。由于各种可能造成时延不同的原因，所以，在实际的设计时，要借助于CAD工具进行严格的计算，从而控制走线的时延匹配。

考虑到在图2中6层板上的过孔的因素，当一个地过孔靠近信号过孔放置时，则在时延方面的影响是必须要考虑的。

先举个例子，在TOP层的微带线长度是 150 mils，BOTTOM层的微带线也是150 mils，线宽都为4 mils，且过孔的参数为：barrel diameter=”8mils”，pad diameter=”18mils”，anti-pad diameter=”26mils”。

这里有三种方案进行对比考虑：

一种是，通过过孔互联的这个过孔附近没有任何地过孔，那么，其返回路径只能通过离此过孔250 mils的PCB边缘来提供；

第二种是，一根长达362 mils的微带线；

第三种是，在一个信号线的四周有四个地过孔环绕着。图6显示了带有60 Ohm的常规线的S-Parameters，从图中可以看出，带有四个地过孔环绕的信号过孔的S-Parameters就像一根连续的微带线，从而提高了 S21特性。

由此可知，在信号过孔附近缺少返回路径的情况下，则此信号过孔会大大增高其阻抗。当今的高速系统里，在时延方面显得尤为重要。

现做一个测试电路，类似于图5，驱动源是一个线性的60 Ohms阻抗输出的梯形信号，信号的上升沿和下降沿均为100 ps，幅值为1V。此信号源按照图6的三种方式，且其端接一60 Ohms的负载，其激励为一800 MHz的周期信号。

在0.5V这一点，我们观察从信号源到接收端之间的时间延迟，显示出来它们之间的时延差异。其结果如图7所示，在图中只显示了信号的上升沿，从这图中可以很明显的看出，带有四个地过孔环绕的过孔时延同直线相比只有3 ps，而在没有地过孔环绕的情况下，其时延是8 ps。

由此可知，在信号过孔的周围增加地过孔的密度是有帮助的。然而，在4层板的PCB里，这个就显得不是完全的可行性，由于其信号线是靠近电源平面的，这就使得信号的返回路径是由它们之间的耦合程度来决定的。

所以，在4层的PCB设计时，为符合电源完整性（power integrity）要求，对其耦合程度的控制是相当重要的。

对于DDR2和DDR3，时钟信号是以差分的形式传输的，而在DDR2里，DQS信号是以单端或差分方式通讯取决于其工作的速率，当以高度速率工作时则采用差分的方式。显然，在同样的长度下，差分线的切换时延是小于单端线的。

根据时序仿真的结果，时钟信号和DQS也许需要比相应的ADDR/CMD /CNTRL和DATA线长一点。

另外，必须确保时钟线和DQS布在其相关的ADDR/CMD/CNTRL和DQ线的当中。由于DQ和DM在很高的速度下传输，所以，需要在每一个字节里，它们要有严格的长度匹配，而且不能有过孔。

差分信号对阻抗不连续的敏感度比较低，所以换层走线是没多大问题的，在布线时优先考虑布时钟线和DQS。

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串扰

在设计微带线时，串扰是产生时延的一个相当重要的因素。通常，可以通过加大并行微带线之间的间距来降低串扰的相互影响，然而，在合理利用走线空间上这是一个很大的弊端，所以，应该控制在一个合理的范围里面。典型的一个规则是，并行走线的间距大于走线到地平面的距离的两倍。

另外，地过孔也起到一个相当重要的作用，图8显示了有地过孔和没地过孔的耦合程度，在有多个地过孔的情况下，其耦合程度降低了7 dB。考虑到互联通路的成本预算，对于两边进行适当的仿真是必须的，当在所有的网线上加一个周期性的激励，将会由串扰产生的信号抖动，通过仿真，可以在时域观察信号的抖动，从而通过合理的设计，综合考虑空间和信号完整性，选择最优的走线间距。

信号及电源完整性

这里的电源完整性指的是在最大的信号切换情况下，其电源的容差性。当未符合此容差要求时，将会导致很多的问题，比如加大时钟抖动、数据抖动和串扰。

这里，可以很好的理解与去偶相关的理论，现在从”目标阻抗”的公式定义开始讨论。

Ztarget=Voltage tolerance/Transient Current （1）

在这里，关键是要去理解在最差的切换情况下瞬间电流（Transient Current）的影响，另一个重要因素是切换的频率。在所有的频率范围里，去耦网络必须确保它的阻抗等于或小于目标阻抗（Ztarget）。

在一块 PCB上，由电源和地层所构成的电容，以及所有的去耦电容，必须能够确保在100KHz左右到100-200MH左右之间的去耦作用。频率在 100KHz以下，在电压调节模块里的大电容可以很好的进行去耦。而频率在200MHz以上的，则应该由片上电容或专用的封装好的电容进行去耦。

实际的电源完整性是相当复杂的，其中要考虑到IC的封装、仿真信号的切换频率和PCB耗电网络。对于PCB设计来说，目标阻抗的去耦设计是相对来说比较简单的，也是比较实际的解决方案。

在 DDR的设计上有三类电源，它们是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬间电流从Idd2到Idd7大小不同，详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和专用的一定数量的去耦电容，可以做到电源完整性，其中去耦电容从10nF到10uF大小不同，共有10个左右。另外，表贴电容最合适，它具有更小的焊接阻抗。

Vref要求更加严格的容差性，但是它承载着比较小的电流。显然，它只需要很窄的走线，且通过一两个去耦电容就可以达到目标阻抗的要求。由于Vref相当重要，所以去耦电容的摆放尽量靠近器件的管脚。

然而，对VTT的布线是具有相当大的挑战性，因为它不只要有严格的容差性，而且还有很大的瞬间电流，不过此电流的大小可以很容易的就计算出来。最终，可以通过增加去耦电容来实现它的目标阻抗匹配。

在4层板的PCB里，层之间的间距比较大，从而失去其电源层间的电容优势，所以，去耦电容的数量将大大增加，尤其是小于10 nF的高频电容。详细的计算和仿真可以通过EDA工具来实现。

时序

对于时序的计算和分析在一些相关文献里有详细的介绍，下面列出需要设置和分析的8个方面：

1）写建立分析：DQ vs. DQS

2）写保持分析：DQ vs. DQS

3）读建立分析：DQ vs. DQS

4）读保持分析：DQ vs. DQS

5）写建立分析：DQS vs. CLK

6）写保持分析：DQS vs. CLK

7）写建立分析：ADDR/CMD/CNTRL vs. CLK

8）写保持分析：ADDR/CMD/CNTRL vs. CLK

表2举了一个针对写建立（Write Setup）分析的例子。表中的一些数据需要从控制器和存储器厂家获取，段”Interconnect”的数据是取之于SI仿真工具。

对于DDR2上面所有的8 项都是需要分析的，而对于DDR3，5项和6项不需要考虑。在PCB设计时，长度方面的容差必须要保证total margin是正的。

PCB Layout

在实际的PCB设计时，考虑到SI的要求，往往有很多的折中方案。通常，需要优先考虑对于那些对信号的完整性要求比较高的。画PCB时，当考虑以下的一些相关因素，那么对于设计PCB来说可靠性就会更高。

1）首先，要在相关的EDA工具里设置好拓扑结构和相关约束。

2）将BGA引脚突围，将ADDR/CMD/CNTRL引脚布置在DQ/DQS/DM字节组的中间，由于所有这些分组操作，为了尽可能少的信号交叉，一些独立的管脚也许会被交换到其它区域布线。

3）由串扰仿真的结果可知，尽量减少短线（stubs）长度。通常，短线（stubs）是可以被削减的，但不是所有的管脚都做得到的。

在BGA焊盘和存储器焊盘之间也许只需要两段的走线就可以实现了，但是此走线必须要很细，那么就提高了PCB的制作成本，而且，不是所有的走线都只需要两段的，除非使用微小的过孔和盘中孔的技术。最终，考虑到信号完整性的容差和成本，可能选择折中的方案。

4）将Vref的去耦电容靠近Vref管脚摆放；Vtt的去耦电容摆放在最远的一个SDRAM外端；VDD的去耦电容需要靠近器件摆放。小电容值的去耦电容需要更靠近器件摆放。

正确的去耦设计中，并不是所有的去耦电容都是靠近器件摆放的。所有的去耦电容的管脚都需要扇出后走线，这样可以减少阻抗，通常，两端段的扇出走线会垂直于电容布线。

5）当切换平面层时，尽量做到长度匹配和加入一些地过孔，这些事先应该在EDA工具里进行很好的仿真。

通常，在时域分析来看，差分线的正负两根线要做到延时匹配，保证其误差在+/- 2ps，而其它的信号要做到+/- 10 ps。

DIMM

之前介绍的大部分规则都适合于在PCB上含有一个或更多的DIMM，唯一例外的是在DIMM里所要考虑到去耦因素同在DIMM组里有所区别。

在DIMM组里，对于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓扑结构里，带有少的短线菊花链拓扑结构和树形拓扑结构是适用的。

案例

上面所介绍的相关规则，在DDR2 PCB、DDR3 PCB和DDR3-DIMM PCB里，都已经得到普遍的应用。

在下面的案例中，我们采用MOSAID公司的控制器，它提供了对DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面，采用了 IBIS模型，其存储器的模型来自MICRON Technolgy，Inc。

对于DDR3 SDRAM的模型提供1333 Mbps的速率。在这里，数据是操作是在1600 Mbps下的。对于不带缓存（unbuffered DIMM（MT_DDR3_0542cc）EBD模型是来自Micron Technology，下面所有的波形都是采用通常的测试方法，且是在SDRAM die级进行计算和仿真的。

图2所示的6层板里，只在TOP和BOTTOM层进行了布线，存储器由两片的SDRAM以菊花链的方式所构成。而在DIMM的案例里，只有一个不带缓存的DIMM被使用。图9-11是对TOP/BOTTOM层布线的一个闪照图和信号完整性仿真图。