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高性能运动控制芯片IRMCF343的主要性能特点及应用方案

电子设计 来源:电子工程网 作者:电子工程网 2021-03-30 15:19 次阅读

IR公司的IRMCF343是高级基于RAM的马达控制,对于高级变频电器马达控制具有紧凑和高效的优势。IRMCF343集成了两个计算引擎:一个是无传感器永磁马达控制的运动控制引擎(MCETM),另一个是8位高速MCU(8051)。晶振频率最大为60MHz,内部时钟最大为128MHz,无传感器控制计算时间典型为11us,MCETM计算数据范围为16位。主要特性,外形图和典型应用设置,以及1700W IRMCS3043马达驱动平台主要特性和性能指标与IRMCS3043参考设计套件。

IRMCF343是一款基于RAM的高性能运动控制IC,主要设计用于家电应用。IRMCF343旨在为先进的变频设备电机控制实现低成本和高性能的控制解决方案。

IRMCF343包含两个计算引擎。一种是运动控制引擎(MCETM),用于对永磁电动机进行无传感器控制。另一个是8位高速微控制器(8051)。两个计算引擎都集成到一个单芯片中。MCETM包含一组控制元素,例如比例加积分,矢量旋转器,角度估计器,乘/除,低损耗SV PWM,单分流IFB。用户可以通过使用图形编译器连接这些控制元素来对运动控制算法进行编程。无传感器控制算法的关键组件(例如角度估计器)作为以硬件实现的完整预定义控制块提供。还提供了一种独特的模拟/数字电路和算法来完全支持单并联电流重建。8051微控制器执行2周期指令执行(60 MIPS在120MHz)。MCE和8051微控制器通过双端口RAM连接到过程信号监视和命令输入。MCETM的高级图形编译器无缝集成到MATLAB / Simulink环境中,而8051开发则支持基于第三方JTAG的仿真器工具。IRMCF343带有小型QFP64引脚无铅封装。

IRMCF343性能总结:

马克西姆微米晶体频率60MHz的

最大内部时钟(SYSCLK)频率128兆赫

传感器控制计算时间11个微秒典型

MCETM运算数据范围为16位带符号的

程序RAM从外部EEPROM 48K加载的字节

数据RAM 8K字节

GATEKILL潜伏期(数字滤波)2μsecPWM

载波频率计数器16位/ SYSCLK

A / D输入通道5

A / D转换器分辨率12位

A / D转换器转换速度2微秒

8051指令执行速度2 SYSCLK

模拟输出(PWM)分辨率8位

UART波特率(典型值)57.6K bps

I / O数量(最大值)23

封装(无铅)QFP64

IRMCF343主要特性:

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