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IGBT的应用领域与器件介绍

Q4MP_gh_c472c21 来源:SourceIKA 作者:SourceIKA 2021-04-08 10:40 次阅读

IGBT的应用

从功能上来说,IGBT就是一个由晶体管实现的电路开关。当其导通时,可以承受几十到几百安培量级的电流;当其关断时,可以承受几百至几千伏特的电压。

家里的电灯开关是用按钮控制的。IGBT作为晶体管的一种,它不用机械按钮,而是由别的电路来控制的。具体点说,IGBT的简化模型有3个接口,有两个(集电极、发射极)接在强电电路上,还有一个接收控制电信号,叫作门极。给门极一个高电平信号,开关(集电极与发射极之间)就通了;再给低电平信号,开关就断了。给门级发出控制指令的电路称为控制电路,你可以理解为是一种“计算机”,只不过实际用的“计算机”通常是单片机或者是叫作DSP微处理器,擅长处理数字信号,比较小巧,甚至对于一些很基本的应用,可能靠一些简单的芯片和电路就可以实现控制,无需编程。但要注意的是,门级所谓数字信号的电压也需要10到20伏特,所以在控制电路和IGBT之间还需要一个小的“驱动电路”来进行信号的转换。

这种可以用数字信号控制的强电开关还有很多种。作为其中的一员,IGBT的特点是,在它这个电流电压等级下,它支持的开关速度是最高的,一秒钟可以开关近万次。换言之,IGBT开关频率可以达到10kHz级别。GTO以前也用在轨道交通列车上,但是GTO开关速度低,所以现在只有在最大电压电流超过IGBT承受范围的场合才使用。IGCT本质上也是GTO,不过结构做了优化,其开关速度和最大电压电流都介于GTO和IGBT之间。另一方面,比IGBT开关速度更快的是大功率MOSFET,但其支持的最大电压电流均小于IGBT。

要这么快的开关干什么用?常见的强电只有50Hz的交流电,变压器能变它的电压,但是不能改变它的频率,更不能把它变成直流;另一方面,光伏电站发出的直流电,也无法转换为交流。而利用IGBT这种开关,人们可以设计出一类电路,通过控制IGBT,把电源侧的交流电变成给定电压的直流电,或是把各种电变成所需频率的交流电。这类电路统称电力电子电路,由电力电子电路做成的设备称为变换器。特别的,把交流电变成直流电的电路叫做整流器,把直流电变成交流电的叫做逆变器,而直流变直流的电路其实是花样最多的,一般直接称为变换器。

怎么实现的?需要讲一下PWM(脉宽调制)的概念。这个道理可以用照明灯接触不良时快速闪烁来类比。闪烁的灯看起来没有正常的灯亮,这是因为闪烁的灯亮0.1秒,又灭0.1秒,总共0.2秒的时间内它只发出了正常灯0.1秒的光能,所以显得暗。功率电路的本质是传输电能,所以也可以利用这个原理。如果用电器前0.2秒接了300V的电压,后0.1秒接了0V的电压,那在0.3秒内,它就等效于用电器两端始终接着200V的电压。我们管这个只持续0.2秒的300V电压叫脉冲,通过改变脉冲在0.3秒内占据的时间(也就是脉宽),就可以实现等效电压在这个时刻内成为0~300V内的任何一个值,所谓的脉宽调制一词就是这么来的。电压一高一低变化的总时间越短,从宏观上看电压越接近等效电压。

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通过较高电压直流电和PWM方法,得到任意较低电压直流电的示意图

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通过直流电和PWM方法,得到不同电压、不同频率交流电的示意图

如果你仔细看了上一段的说明,你会发现实现这个功能需要至少两个开关,一个接在用电器和300V之间,一个接在用电器和0V之间。两个开关交替导通才可以实现PWM,这和家里的电灯只有一个开关是不太一样的。当然,在很多应用中,可以将其中一个开关替换为二极管,另外一个开关的通断可以自动控制二极管的通断。

总之,我现在有了电压、频率都受我控制的强电了。这个强电就可以用来驱动高铁的电机。现在高铁使用的都是交流电机,它结构简单且省电,但是转速很难调整。好在它的转速和输入交流电源的频率有很密切的关系,所以就可以用使用IGBT的变换器搞出电压、频率受控的强电,来灵活控制电机的转速。反映到高铁上,就是高铁列车的车速。这就是所谓的变压变频控制(VVVF)。

除了高铁,像电动汽车、变频空调、风力发电机等很多用到交流电机的场合,都用得到IGBT及配套的这类电路来控制电机。光伏发电、电力储能等领域,主要用IGBT进行交流电、直流电之间的转换。

IGBT器件

IGBT的特点可以从其全称中了解一二:绝缘栅双极晶体管。

所谓绝缘栅,是指IGBT与MOSFET类似,作为控制的门级和功率电路部分是绝缘的,之间没有通过导体或半导体电气连接。门级只要出现一定的电压,在半导体内部形成一定的电场,就可以实现IGBT的导通。

有了绝缘栅,在开关时,只需要在IGBT切换状态的瞬时间内给门级注入/抽取一点能量,改变内部电场,就可以改变IGBT的工作状态。这个过程很容易做的非常快速,这也是IGBT、功率MOSFET的最大开关速度较高的原因之一。相比之下,普通的三极管(BJT)中,控制极需要有持续的电流才能维持导通,而且当主功率电路中的电流较大时,这个电流也必须相应地变得比较大才能支持这样的电流。

所谓双极,是指IGBT导通时,半导体内的电子和空穴两种粒子都参与电流传导。就像教科书里二极管导通时电压总是0.7V一样,利用电导调制现象,IGBT导通时的电压相对于大电流不敏感。相比之下,功率MOSFET作为单极器件,其导通时类似一个小电阻,小电阻上的电压和电流呈线性关系,因此当电流超过一定程度时,功率MOSFET上消耗的电能(电压和电流的乘积)就太大了,限制了MOSFET的最大电流。另一方面,减小MOSFET中小电阻的努力会希望MOSFET的两个功率极不要相隔太远,但这也制约了MOSFET承受电压的能力。

所谓晶体管,其与GTO等晶闸管有一定的区别。晶闸管的内部结构类似于两个晶体管,依靠这两个晶体管之间相互放大,实现了IGBT等晶体管难以实现的超大电流的传导。但其问题在于关断器件时,需要抽取很大的电流,让两个晶体管退出相互放大的状态。这一过程需要的瞬时功率大,速度也比较慢,所以关断晶闸管的过程会损失比较多的能量。这也是为什么GTO支持的开关频率会明显小于IGBT。

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IGBT结构示意图,可简化为一个PNP型三极管和一个N-MOSFET的组合

IGBT的结构可简化视为一个PNP型三极管和一个N-MOSFET的组合。门及信号直接控制MOSFET的通断,当MOSFET导通时,会持续向PNP型三极管的基极抽取电流,实现PNP三极管的导通。当MOSFET关断时,会掐断这一电流,从而关断PNP三极管。

IGBT是非常成功的电力电子器件之一。当然,被IGBT一定程度取代的GTO也很成功,至今在电网级别的应用中还很广泛。相比之下,还有很多不为人知的器件都成为了历史中的过客。不过,近年宽禁带半导体器件技术取得了不少突破,其中碳化硅(SiC)材料耐压、耐温更高,因此用碳化硅做成的MOSFET就可以直接媲美IGBT的电压、电流承载能力,而无需再使用更为复杂的IGBT结构。在电动汽车、轨道交通领域,商品化的基于SiC-MOSFET的变换器已经投入市场了。当然,理论上碳化硅材料和IGBT结构也是可以结合的,其电压、电流也会上升一个等级,或有望挤占目前硅基GTO的市场。
编辑:lyn

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原文标题:高铁中的 IGBT 是什么?都在哪些领域有应用?

文章出处:【微信号:gh_c472c2199c88,微信公众号:嵌入式微处理器】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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