三星电子宣布(3月25日),开发了业内首款容量达到512GB的DDR5内存模组。
据悉,存储颗粒采用高电介质金属栅极(HKMG)晶体管工艺制造,进一步降低漏电。
单DRAM芯片的容量是16Gb(2GB),通过TSV穿孔实现了8层堆叠,也就是16GB,凑成512GB的话总计需要32颗。
速度方面,这款DDR5内存条的速度高达7200Mbps,也就是7200MHz频率。即便如此,三星表示功耗下降了13%。
Intel副总裁Carolyn Duran确认,三星的新款DDR5内存和下一代至强可扩展处理器(Sapphire Rapids蓝宝石激流)兼容。根据路线图,Sapphire Rapids应该是第四代至强可扩展处理器,年底前登陆,除了DDR5,还会首发PCIe 5.0。
三星表示,旗下多款DDR5内存已经进入试样阶段。
对于普通消费者来说,对DDR5的支持要等到下半年的12代酷睿(Alder Lake)和AMD Zen4了。
那么,最近有买内存的小伙伴吗?内存条的价格是不是在悄然上涨?
据供应链消息,DRAM内存颗粒的现货价格最近极速上涨,今年初到现在已经涨了60%多,是2019年3月份以来的最高价格水平。
内存价格大涨与多方面需求有关,PC、消费电子以及汽车行业的生产正在迅速恢复,导致内存芯片需求意外增长。
这一次的内存价格上涨还看不到头,短期内无法解决,三星、SK海力士及美光三大内存巨头过去两年就在削减内存产能,再加上最近半年来全球半导体产能紧张,各种电子元件都在涨价,内存价格已经无法回头。
唯一的变数就要看国产内存了,生产内存模组的厂商光威之前表态,喊出了“内存涨价不要怕,光威纯国产内存2021年将大幅增产”的口号,他们采用合肥长鑫内存颗粒的纯国产内存今年会大幅增产,有望抑制内存价格涨势。
此前合肥产投集团披露,截至2020年底,合肥长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目提前达到4万片/月产能,开始启动6万片/月产能建设,实现了从投产到量产再到批量销售的关键跨越。
另外,存储大厂SK海力士的CEO李锡熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE国际可靠性物理研讨会上发表主题演讲,分享了在闪存、内存未来发展方面的一些规划和展望。
3D NAND闪存方面,如今行业的发展重点不是更先进的工艺,也不是QLC、PLC,而是堆叠层数的不断增加,SK海力士就已经做到了176层。
SK海力士此前认为,3D闪存的堆叠层数极限是500层,不过现在更加乐观,认为在不远的将来就能做到600层。
当然,为了做到这一点,需要在技术方面进行诸多创新和突破,比如SK海力士提出了原子层沉积(ALD)技术,进一步强化闪存单元属性,可以更高效地存储、释放电荷,并且在堆叠层数大大增加后依然保持电荷一致性。
为了解决薄膜应力(film stress)问题,SK海力士引入了新的氮氧化物材料。
为了解决堆叠层数增加后存储单元之间的干扰、电荷丢失问题,SK海力士开发了独立的电荷阱氮化物(CTN)结构,以增强可靠性。
另外针对DRAM内存发展,SK海力士在考虑引入EUV极紫外光刻,可将工艺制程推进到10nm以下。
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原文标题:单条512GB!DDR5-7200内存全球首发
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